【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置、显示模块及电子设备
本专利技术的一个方式涉及一种设置有包括氧化物半导体的晶体管的显示装置。注意,本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。此外,本专利技术涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(compositionofmatter)。本专利技术的一个方式尤其涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、其驱动方法或其制造方法。
技术介绍
通过利用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体层来构成晶体管(也称为场效应晶体管(FET)或薄膜晶体管(TFT))的技术受到关注。该晶体管被广泛地应用于如集成电路(IC)及图像显示装置(显示装置)等电子器件。作为可以应用于晶体管的半导体层,以硅为代表的半导体材料被周知。另外,作为其他材料,氧化物半导体受到关注。例如,已公开了形成作为氧化物半导体使用包含In、Zn、Ga、Sn等的非晶氧化物的晶体管的技术(参照专利文献1)。另外,也公开了形成使用氧化物层的自对准的顶栅晶体管的技术(参照专利文献2)。另外,也公开了形成为了提高场效应迁移率由上下的栅电极的电场电性上包围其中形成沟道的氧化物层的晶体管的技术(参照专利文献3)。此外,已公开了一种电性的可靠性高,例如,阈值电压的漂移小的晶体管的制造技术,其中将通过加热释放氧的绝缘层用作其中形成沟道的氧化物半导体层的基底绝缘层,来降低该氧化物半导体层的氧缺陷(参照专利文献4)。[参考文献][专利文献][专利文献1]日本专利申请公开第20 ...
【技术保护点】
1.一种显示装置,包括:第一晶体管;第二晶体管;第一布线;以及第二布线,其中,所述第一晶体管包括:第一栅电极;第二栅电极;以及第一半导体层,所述第二晶体管包括:第一栅电极;第二栅电极;以及第二半导体层,所述第一布线传送控制所述第一晶体管及所述第二晶体管的导通状态的信号,所述第二布线传送恒定电压,所述第一晶体管的所述第一栅电极与所述第一布线电连接,所述第二晶体管的所述第一栅电极与所述第一布线电连接,所述第一晶体管的所述第二栅电极与所述第二布线电连接,所述第二晶体管的所述第二栅电极与所述第二布线电连接,所述第一半导体层及所述第二半导体层包含氧化物半导体,所述第一晶体管的所述第一栅电极及所述第二晶体管的所述第一栅电极包含金属材料,并且,所述第一晶体管的所述第二栅电极及所述第二晶体管的所述第二栅电极包含金属氧化物材料。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.28 JP 2015-256583;2016.11.09 JP 2016-218991.一种显示装置,包括:第一晶体管;第二晶体管;第一布线;以及第二布线,其中,所述第一晶体管包括:第一栅电极;第二栅电极;以及第一半导体层,所述第二晶体管包括:第一栅电极;第二栅电极;以及第二半导体层,所述第一布线传送控制所述第一晶体管及所述第二晶体管的导通状态的信号,所述第二布线传送恒定电压,所述第一晶体管的所述第一栅电极与所述第一布线电连接,所述第二晶体管的所述第一栅电极与所述第一布线电连接,所述第一晶体管的所述第二栅电极与所述第二布线电连接,所述第二晶体管的所述第二栅电极与所述第二布线电连接,所述第一半导体层及所述第二半导体层包含氧化物半导体,所述第一晶体管的所述第一栅电极及所述第二晶体管的所述第一栅电极包含金属材料,并且,所述第一晶体管的所述第二栅电极及所述第二晶体管的所述第二栅电极包含金属氧化物材料。2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述氧化物半导体包含氧、In、Zn以及M(M为Al、Ga、Y或Sn)。3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述氧化物半导体包括具有c轴取向性的结晶部。4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述金属氧化物材料包含氧、In、Zn以及M(M为Al、Ga、Y或Sn),并且,所述金属氧化物材料具有比所述氧化物半导体高的载流子密度。5.一种显示模块,包括:权利要求1所述的显示装置;以及触摸传感器。6.一种电子设备,包括:权利要求5所述的显示模块;以及操作按钮或电池。7.一种显示装置,包括:第一晶体管;第二晶体管;第三晶体管;第一布线;以及第二布线,其中,所述第一晶体管包括:第一栅电极;第二栅电极;以及第一半导体层,所述第二晶体管包括:第一栅电极;第二栅电极;以及第二半导体层,所述第三晶体管包括:第一栅电极;第二栅电极;以及第三半导体层,所述第一布线传送控制所述第一晶体管及所述第二晶体管的导通状态的信号,所述第二布线传送恒定电压,所述第一晶体管的所述第一栅电极与所述第一布线电连接,所述第二晶体管的所述第一栅电极与所述第一布线电连接,所述第一晶体管的所述第二栅电极与所述第二布线电连接,所述第二晶体管的所述第二栅电极与所述第二布线电连接,所述第三晶体管的所述第一栅电极与所述第三晶体管的所述第二栅电极彼此电连接,所述第一半导体层、所述第二半导体层及所述第三半导体层包含氧化物半导体,所述第一晶体管的所述第一栅电极、所述第二晶体管的所述第一栅电极及所述第三晶体管的所述第一栅电极包含金属材料,并且,所述第一晶体管的所述第二栅电极、所述第二晶体管的所述第二栅电极及所述第三晶体管的所述第二栅电极包含金属氧化物材料。8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述氧化物半导体包含氧、In、Zn以及M(M为Al、Ga、Y或Sn)。9.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述氧化物半导体包括具有c轴取向性的结晶部。10.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述金属氧化物材料包含氧、In、Zn以及M(M为Al、Ga、Y或Sn),并且,所述金属氧化物材料具有比所述氧化物半导体高的载流子密度。11.一种显示模块,包括:权利要求7所述的显示装置;以及触摸传感器。12.一种电子设备,包括:权利要求11所述的显示模块;以及操作按钮或电池。13.一种显示装置,包括:第一晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员:丰高耕平,高桥圭,肉户英明,楠纮慈,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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