一种薄膜封装结构、显示装置以及薄膜封装结构的制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种薄膜封装结构、显示装置以及薄膜封装结构制备方法。其中，所述薄膜封装结构包括：第一基板；覆盖在第一基板上的封装层；其中，封装层包括：层叠设置的第一绝缘层、平坦层和第二绝缘层；第一绝缘层靠近第一基板设置，第一绝缘层在朝向平坦层的一侧呈多孔结构，平坦层覆盖在第一绝缘层上并填充在第一绝缘层的多孔结构中，第二绝缘层覆盖在平坦层上。通过本发明专利技术实施例提供的薄膜封装结构，在多孔结构中填充的有机材料可以吸收应力，避免绝缘层受力过大而发生弯折断裂，可提高该柔性基板的可靠性和弯曲性。覆盖在第一绝缘层上的平坦层能够起到平坦化的功能。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜封装结构、显示装置以及薄膜封装结构的制备方法
本专利技术涉及TFT-LCD
，特别是涉及一种薄膜封装结构、显示装置以及薄膜封装结构的制备方法
技术介绍
目前，柔性显示装置具有可卷曲、宽视角和便于携带等特点，在便携产品领域应用广泛。但是，现有技术中柔性显示装置的绝缘层通常是由氮化硅、氧化硅和氮氧化硅等无机材料制成。而这些无机材料韧性差，在柔性产品弯曲时易造成绝缘层断裂，进而影响柔性显示装置上的薄膜晶体管和存储电容等器件损伤，对产品的良率及信赖性上造成极大的影响。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜封装结构、显示装置以及薄膜封装结构的制备方法，以解决现有的柔性产品在弯曲时绝缘层易断裂的问题。为了解决上述问题，本专利技术公开了薄膜封装结构，包括：第一基板；覆盖在所述第一基板上的封装层；其中，所述封装层包括：层叠设置的第一绝缘层、平坦层和第二绝缘层；所述第一绝缘层靠近所述第一基板设置，所述第一绝缘层在朝向所述平坦层的一侧呈多孔结构，所述平坦层覆盖在所述第一绝缘层上并填充在所述第一绝缘层的多孔结构中，所述第二绝缘层覆盖在所述平坦层上。优选的，所述第一绝缘层的材料为氮化硅或氧化硅或氮氧化硅。优选的，所述平坦层的材料为有机材料。优选的，所述平坦层为聚丙烯亚胺或聚酰亚胺。优选的，所述多孔结构的孔径为2μm-8μm。优选的，所述平坦层的厚度为1μm-4μm。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种薄膜封装结构的制备方法，所述方法包括：提供第一基板；在所述第一基板上，形成第一绝缘层；对所述第一绝缘层进行图案化处理形成多孔结构；在所述第一绝缘层上形成平坦层，所述平坦层填充在所述多孔结构中；在所述平坦层上形成第二绝缘层。优选的，在所述第一绝缘层上形成平坦层，包括：在所述第一绝缘层上旋涂有机材料，形成所述平坦层，所述有机材料填充在所述多孔结构中，并覆盖在所述第一绝缘层上。优选的，所述在所述平坦层上形成第二绝缘层，包括：利用PECVD法在所述平坦层上形成第二绝缘层。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种显示装置，包括如权利要求1-6任一项所述的薄膜封装结构。与现有技术相比，本专利技术包括以下优点：通过本专利技术实施例提供的薄膜封装结构，薄膜封装结构由多层绝缘层构成，其中一层绝缘层形成多孔结构，在多孔结构中填充有机材料，填充的有机材料可以吸收应力，避免绝缘层受力过大而发生弯折断裂，可提高该柔性基板的可靠性和弯曲性。进一步的，覆盖在第一绝缘层上的平坦层能够起到平坦化的功能。附图说明图1是本专利技术实施例一的一种薄膜封装结构的结构示意图；图2是示出了本专利技术实施例二的一种薄膜晶体管的制备方法的步骤流程图；图3是本专利技术实施例二的在第一基板上形成第一绝缘层后示意图；图4是本专利技术实施例二的在第一绝缘层上覆盖有平坦层后示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。实施例一参照图1，示出了本专利技术实施例一的一种薄膜封装结构的结构示意图。如图1所述，该薄膜封装结构包括：第一基板110，覆盖在第一基板110上的封装层120，其中，封装层120包括：层叠设置的第一绝缘层121、平坦层122和第二绝缘层123；第一绝缘层121靠近第一基板110设置，第一绝缘层121朝向平坦层122的一侧呈多孔结构，平坦层122覆盖在第一绝缘层121上并填充在第一绝缘层121的多孔结构中，并，第二绝缘层123覆盖在平坦层122上。在本专利技术实施例中，第一基板是可以显示的柔性基板，具体的，第一基板110包括：基底、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、内部介质层、源/漏极、像素电极层、像素保护绝缘层、有机发光层、掺杂区等。在本专利技术实施例中，第一绝缘层121的材料是氮化硅或氧化硅或氮氧化硅。其中，这些材料具有较高的抗冷热冲击性和硬度，作为封装材料能够很好的保护薄膜结构。在本专利技术实施例中，在第一绝缘层121的一侧具有多孔结构，其中，多孔结构的孔径为2μm-8μm，深度可根据第一绝缘层121的厚度调节，可贯穿第一绝缘层121。多孔结构避开第一基板110的发光位置，均匀的分布在第一绝缘层121上。具体的，多孔结构的数量根据第一绝缘层121的大小决定。在本专利技术实施例中，平坦层122的材料为有机材料，具体的，可以是聚丙烯亚胺或聚酰亚胺。平坦层122填充在第一绝缘层121的多孔结构中，并覆盖在第一绝缘层121上，覆盖在第一绝缘层121的平坦层122的厚度为1μm-4μm。其中，平坦层122也起到平坦化的作用。在本专利技术实施例中，第二绝缘层123覆盖在平坦层122上，并且第二绝缘层123的材料也是氮化硅或氧化硅或氮氧化硅，可以和第一绝缘层121的材料相同也可以不同，本专利技术对此不加以限制。通过本专利技术实施例提供的薄膜封装结构，薄膜封装结构由多层绝缘层构成，其中一层绝缘层形成多孔结构，在多孔结构中填充有机材料，填充的有机材料可以吸收应力，避免绝缘层受力过大而发生弯折断裂，可提高该柔性基板的可靠性和弯曲性。进一步的，覆盖在第一绝缘层上的平坦层能够起到平坦化的功能。实施例二参照图2，示出了本专利技术实施例二的一种薄膜封装结构的制备方法的步骤流程图。本专利技术实施例的阵列基板的制备方法包括以下步骤：步骤201：提供第一基板。在本专利技术实施例中，第一基板110为以传统工艺制作的柔性基板结构。该柔性基板结构包括：基底、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、内部介质层、源/漏极、像素电极层、像素保护绝缘层、有机发光层、掺杂区等。步骤202：在所述第一基板上，形成第一绝缘层。如图3，在第一基板110上形成第一绝缘层121，具体的，采用PECVD方法在第一基板110上沉积氮化硅(SiNx)层。其中，第一绝缘层110也可以是氧化硅(SiOx)层或氮氧化硅(SiNxOX)层。步骤203：对所述第一绝缘层进行图案化处理形成多孔结构。如图3，对第一绝缘层121进行光刻刻蚀工序，在一侧形成多孔结构1211。其中，多孔结构的孔径为2μm-8μm，深度可根据第一绝缘层121的厚度调节，可贯穿第一绝缘层121。多孔结构避开第一基板110的发光位置，均匀的分布在第一绝缘层121上。具体的，多孔结构的数量根据第一绝缘层121的大小决定。步骤204：在所述第一绝缘层上形成平坦层，所述平坦层填充在所述多孔结构中。如图4，在本专利技术实施例中，在所述第一绝缘层上形成平坦层，包括：在所述第一绝缘层上旋涂有机材料，形成所述平坦层，所述有机材料填充在所述多孔结构中，并覆盖在所述第一绝缘层上。平坦层122的材料为有机材料，以旋涂的方法在第一绝缘层121的多孔结构中填充有机材料，并覆盖在第一绝缘层121上。在多孔结构中填充的有机材料能够吸收应力，避免绝缘层受力过大而发生弯折断裂，可提高该柔性基板的可靠性和弯曲性。覆盖在第一绝缘层上的平坦层能够起到平坦化的功能。步骤205：在所述平坦层上形成第二绝缘层。在本专利技术实施例中，如图1，利用PECVD法在所述平坦层上形成第二绝缘层。第二绝缘层123的材料也是氮化硅或氧化硅或氮氧化硅，可以和第一绝缘层121的材料相同也可以不同，本专利技术对此不加以限制。通过本专利技术实施例提供的薄膜封装结构的制备方法，在本专利技术提供的第一基板上，形成第一绝缘层，经过图案化处理在第一绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜封装结构，其特征在于，包括：第一基板；覆盖在所述第一基板上的封装层；其中，所述封装层包括：层叠设置的第一绝缘层、平坦层和第二绝缘层；所述第一绝缘层靠近所述第一基板设置，所述第一绝缘层在朝向所述平坦层的一侧呈多孔结构，所述平坦层覆盖在所述第一绝缘层上并填充在所述第一绝缘层的多孔结构中，所述第二绝缘层覆盖在所述平坦层上。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜封装结构，其特征在于，包括：第一基板；覆盖在所述第一基板上的封装层；其中，所述封装层包括：层叠设置的第一绝缘层、平坦层和第二绝缘层；所述第一绝缘层靠近所述第一基板设置，所述第一绝缘层在朝向所述平坦层的一侧呈多孔结构，所述平坦层覆盖在所述第一绝缘层上并填充在所述第一绝缘层的多孔结构中，所述第二绝缘层覆盖在所述平坦层上。2.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为氮化硅或氧化硅或氮氧化硅。3.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述平坦层的材料为有机材料。4.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述平坦层为聚丙烯亚胺或聚酰亚胺。5.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，所述多孔结构的孔径为2μm-8μm。6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹裕程，羊振中，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11