有机发光装置制造方法及图纸

有机发光装置。一种有机发光装置包括：第一基板；薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层形成在所述第一基板上；发光二极管层，该发光二极管层形成在薄膜晶体管层上；以及钝化层，该钝化层形成在发光二极管层上，所述钝化层包括第一无机绝缘膜和第二无机绝缘膜，其中，第一无机绝缘膜中含有的H含量小于所述第二无机绝缘膜中含有的H含量。

Organic light emitting device

Organic light emitting devices. An organic light emitting device includes: a first substrate; a thin film transistor layer formed on the first substrate; a light emitting diode layer formed on the thin film transistor layer; and a passivation layer formed on the light emitting diode layer, the passivation layer comprising the first inorganic insulation. The edge film and the second inorganic insulating film, wherein the H content in the first inorganic insulating film is less than that in the second inorganic insulating film.

【技术实现步骤摘要】
有机发光装置本申请是申请日为2013年12月20日、申请号为201310712107.4、专利技术名称为“有机发光装置”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及有机发光装置，更具体地，涉及有机发光装置的钝化层。
技术介绍
虽然液晶显示装置已经广泛用作平板显示装置，但是液晶显示装置需要背光作为单独的光源并且在亮度和对比度方面具有技术局限性。就这一点而言，已经增加了对亮度和对比度比较优秀的有机发光装置的关注。有机发光装置具有在阴极与阳极之间插入发光层的结构，其中，阴极中产生电子，并且阳极中产生空穴。如果阴极中产生的电子和阳极中产生的空穴被注入到发光层中，则通过所注入的电子和空穴的复合产生激发子，然后所产生的激发子从被激发状态改变为基态，借此发出光。这样，有机发光装置显示图像图像。下文中，将参照附图描述根据相关技术的有机发光装置。图1是例示根据相关技术的有机发光装置的简要截面图。如图1所示，相关技术的有机发光装置包括第一基板10、发光装置层20、钝化层30、粘合层40和第二基板50。发光装置层20形成在第一基板10上。发光装置层20包括形成在第一基板10上的薄膜晶体管层21和形成在薄膜晶体管层21上的发光二极管层22。钝化层30形成在发光装置层20上。钝化层30用于防止水渗透到发光装置层20中。该钝化层30包括诸如SiNx等的无机绝缘膜。粘合层40形成在钝化层30上。粘合层40用于将基板50粘合到钝化层30上。第二基板50形成在粘合层40上，并且用于保护有机发光装置不受外部影响。相关技术的上述有机发光装置具有以下问题。可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或溅射来沉积用作钝化层的诸如SiNx等的无机绝缘膜。如果利用溅射法来沉积无机绝缘膜，则可能损坏构成发光二极管层22的有机发光层。因此，主要利用PECVD法来沉积无机绝缘膜。而且，如果利用PECVD法来沉积无机绝缘膜，则应当在小于有机发光层的玻璃转换温度Tg的温度执行沉积工序。因此，在100℃或更低的温度下，针对无机绝缘膜执行沉积工序。同时，通过这种沉积工序获得的无机绝缘膜含有从诸如SiH4和NH3等的源气分解的大量氢(H)。如上所述，根据相关技术的发光装置，钝化层30含有大量H。如果钝化层30含有大量H，则H随着时间流逝向下移动，借此H可以被扩散到薄膜晶体管层21的有源层中。这样，如果H被扩散到有源层中，则H使构成有源层的半导体氧化，借此改变了薄膜晶体管的阈值电压。因此，出现了所显示的图像质量劣化的问题。
技术实现思路
因此，本专利技术致力于提供一种有机发光装置，该有机发光装置能够基本解决由于相关技术的限制和缺陷而引起的一个或更多问题。本专利技术的优点是提供一种降低钝化层中含有的H含量、以最小化扩散到薄膜晶体管的有源层中的H量，从而提高图像质量的有机发光装置。本专利技术的附加优点和特征将在下面的描述中部分地得到描述，并且，在某种程度上，对于阅读下面内容的本领域普通技术人员将变得明确，或者可以通过本专利技术的实践来得到了解。通过书面的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本专利技术的目的和其它优点。为了实现这些目的和其它优点，并且根据本专利技术的目的，如本文具体实施和广泛描述的，根据本专利技术的有机发光装置包括第一基板；薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层形成在所述第一基板上；发光二极管层，该发光二极管层形成在所述薄膜晶体管层上；以及钝化层，该钝化层形成在所述发光二极管层上，所述钝化层包括第一无机绝缘膜和第二无机绝缘膜，其中，所述第一无机绝缘膜中含有的H含量小于所述第二无机绝缘膜中含有的H含量。应该理解，对本专利技术的以上概述和以下详述都是示例性和解释性的，并旨在对所要求保护的本专利技术提供进一步的解释。附图说明包括附图来提供对本专利技术的进一步理解，附图被结合到本申请中且构成本申请的一部分，附图示出了本专利技术的实施方式，且与说明书一起用于解释本专利技术的原理。在附图中：图1是例示根据相关技术的有机发光装置的简要截面图；图2是例示根据本专利技术的一个实施方式的有机发光装置的简要截面图；图3的(a)至图3的(c)是例示根据本专利技术的多个实施方式的钝化层的截面图；以及图4是例示根据本专利技术的一个实施方式的有机发光装置的薄膜晶体管层的详细截面图。具体实施方式下面将详细描述本专利技术的示例性实施方式，在附图中例示出了本专利技术的示例性实施方式的示例。在可能的情况下，贯穿附图将使用相同的附图标记来指代相同或类似的部件。本说明书中公开的术语“上”意味着元件直接形成在另一个元件上，此外，第三元件部插入在这些元件之间。下文中，将参照附图对本专利技术的优选实施方式进行详细描述。图2是例示根据本专利技术的一个实施方式的有机发光装置的简要截面图。如图2所示，根据本专利技术的一个实施方式的有机发光装置包括第一基板100、薄膜晶体管层200、发光二极管层300、盖帽层400、钝化层500、粘合层600和第二基板700。虽然玻璃主要用作第一基板100，但是可以弯曲的透明塑料(例如，聚酰亚胺)也可以用作第一基板100。如果聚酰亚胺用作第一基板100的材料，考虑到在第一基板100上执行高温沉积工序，则可以使用具有优秀耐热性的聚酰亚胺(聚酰亚胺可以耐高温)。薄膜晶体管层200形成在第一基板100上。薄膜晶体管层200包括多条线(诸如选通线、数据线和电源线)、开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，其中，多个线与开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管连接。而且，通过组合薄膜晶体管的多条线和电极，可以形成电容器。后面将参照图4描述薄膜晶体管层200的细节。发光二极管层300形成在薄膜晶体管层200上。发光二极管层300包括堤岸层310、第一电极320、发光部330和第二电极340。堤岸层310构图在薄膜晶体管层200上。更详细地，堤岸层310形成在除了发光区域之外的区域中。发光区域由堤岸层310限定。堤岸层310包括，但不限于，有机绝缘材料(例如，聚酰亚胺、感光亚克力或BCB)。第一电极320构图在薄膜晶体管层200上。第一电极320与薄膜晶体管层200内部形成的漏极电连接。如果根据底部发光法应用本专利技术，则第一电极320包括透明导电材料。如果根据顶部发光法应用本专利技术，则第一电极320包括对反射有利的不透明导电材料。发光部330形成在第一电极320上。虽然未示出，但是发光部330可以由按照一定的顺序沉积空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层的结构形成。可以省略空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的一层或两层或更多层。有机发光层可以形成为发出相同颜色的光，例如，白光，或者可以形成为每像素发出不同颜色的光，例如，红光、绿光或蓝光。第二电极340形成在发光部330上。第二电极340可以以全部像素共有的电极的形式形成，而不针对每个像素进行分类。换言之，第二电极340可以形成在堤岸层310以及发光部330上。如果根据底部发光法应用本专利技术，则第二电极340包括对反射有利的不透明导电材料。如果根据顶部发光法应用本专利技术，则第二电极340包括透明导电材料。盖帽层400形成在发光二极管层300上。盖帽层400用于增强光提取效果。盖帽层400可以由构成发光部330的上述材料制成。例如，盖帽层400可以由构成空穴传输层或空穴注入层的材料或者构成有机发光层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光装置，该有机发光装置包括：第一基板；薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层形成在所述第一基板上；发光二极管层，该发光二极管层形成在所述薄膜晶体管层上；钝化层，该钝化层形成在所述发光二极管层上，所述钝化层交替地包括H含量相对大的无机绝缘膜和H含量相对小的无机绝缘膜；以及盖帽层，该盖帽层在所述发光二极管层和所述钝化层之间，其中，所述钝化层相对所述第一基板包围所述发光二极管层，并且其中，所述H含量相对小的无机绝缘膜中含有的H含量大于10％且小于30％，并且所述H含量相对大的无机绝缘膜中含有的H含量大于30％且小于40％。

【技术特征摘要】
2012.12.28 KR 10-2012-01570821.一种有机发光装置，该有机发光装置包括：第一基板；薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层形成在所述第一基板上；发光二极管层，该发光二极管层形成在所述薄膜晶体管层上；钝化层，该钝化层形成在所述发光二极管层上，所述钝化层交替地包括H含量相对大的无机绝缘膜和H含量相对小的无机绝缘膜；以及盖帽层，该盖帽层在所述发光二极管层和所述钝化层之间，其中，所述钝化层相对所述第一基板包围所述发光二极管层，并且其中，所述H含量相对小的无机绝缘膜中含有的H含量大于10％且小于30％，并且所述H含量相对大的无机绝缘膜中含有的H含量大于30％且小于40％。2.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述无机绝缘膜包括SiNx、SiOx、SiON或AlOx。3.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述H含量相对大的无机绝缘膜和所述H含量相对小的无机绝缘膜由彼此相同的材料制成。4.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜真求，申荣训，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR