一种薄膜封装结构及其封装方法、OLED显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种薄膜封装结构及其封装方法、OLED显示装置，涉及显示装置技术领域，能够解决现有的OLED器件在显示区域开孔时，由于自发光层的切割截面暴露在含有水汽和氧气的外界环境中而造成的自发光层损坏失效的问题。所述薄膜封装结构包括基板，以及设置在基板上的TFT结构，还包括：设置在TFT结构上的自发光层，以及覆盖自发光层的封装膜层；封装膜层包括：依次形成在自发光层上的第一无机阻隔层、有机阻隔层和第二无机阻隔层；自发光层和封装膜层上具有凹陷区域；凹陷区域的底部为TFT结构，自发光层靠近凹陷区域的部分包裹有第一无机阻隔层和第二无机阻隔层。本发明专利技术用于显示装置的薄膜封装。

Film packaging structure and packaging method, OLED display device

The embodiment of the invention provides a film packaging structure and a packaging method, and an OLED display device, which relates to the technical field of display devices, and can solve the damage and failure of the self-luminescent layer caused by the cutting section of the self-luminescent layer exposed to the external environment containing water vapor and oxygen when the existing OLED device has a hole in the display area. The problem. The film packaging structure includes a substrate and a TFT structure disposed on the substrate, including a self-luminous layer disposed on the TFT structure and a package film covering the self-luminous layer; a package film layer comprises a first inorganic barrier layer, an organic barrier layer and a second inorganic barrier layer formed sequentially on the self-luminous layer; The light layer and the package film layer have a depression region, the bottom of the depression region is TFT structure, and the part of the self-luminous layer near the depression region is encapsulated with the first inorganic barrier layer and the second inorganic barrier layer. The invention is used for film encapsulation of display devices.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜封装结构及其封装方法、OLED显示装置
本专利技术涉及显示装置
，尤其涉及一种薄膜封装结构及其封装方法、OLED显示装置。
技术介绍
有机电致发光器件(OrganicLightEmittingDevice，OLED)是近年来逐渐发展起来的显示照明器件，由于其具有高响应、高对比度、可柔性化等优点，被视为拥有广泛的应用前景。参考图1所示，现有的OLED器件一般包括基板01、设置在基板01上的TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)结构02，设置在TFT结构02上的自发光层03，以及封装自发光层03的封装薄膜04。在制作OLED器件时，一般需要在OLED器件的显示区域内开孔，以便为摄像头、听筒等区域留下足够的空间，参考图2和图3所示，在对需要开孔的区域进行切割时，会导致OLED器件中的自发光层03的切割截面暴露在外界环境中，外界环境中的水汽和氧气会腐蚀损坏自发光层03，从而导致OLED器件损坏。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种薄膜封装结构及其封装方法、OLED显示装置，能够解决现有的OLED器件在显示区域开孔时，由于自发光层的切割截面暴露在含有水汽和氧气的外界环境中而造成的自发光层损坏失效的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：一方面，本专利技术实施例提供一种薄膜封装结构，包括基板，以及设置在所述基板上的TFT结构，还包括：设置在所述TFT结构上的自发光层，以及覆盖所述自发光层的封装膜层；所述封装膜层包括：依次形成在所述自发光层上的第一无机阻隔层、有机阻隔层和第二无机阻隔层；所述自发光层和所述封装膜层上具有凹陷区域；所述凹陷区域的底部为TFT结构，所述自发光层靠近所述凹陷区域的部分包裹有所述第一无机阻隔层和所述第二无机阻隔层。可选的，所述凹陷区域对应所述自发光层的部分沿垂直于其侧面且垂直于所述基板上表面的截面为倒梯形。可选的，所述截面的侧边与底边的夹角为100°～150°。另一方面，本专利技术实施例提供一种薄膜封装方法，所述方法包括：在设有TFT结构的基板的待开口区域形成隔断件，所述隔断件沿垂直于其侧面且垂直于所述基板上表面的截面为倒梯形；形成在所述隔断件和所述TFT结构上的自发光层；形成覆盖所述自发光层的第一无机阻隔层；在所述第一无机阻隔层上非所述隔断件的对应区域形成有机阻隔层；在所述有机阻隔层上形成第二无机阻隔层；去除所述隔断件及形成在其上的所述自发光层、所述第一无机阻隔层和所述第二无机阻隔层的对应部分，以形成凹陷区域。可选的，所述在设有TFT结构的基板的待开口区域形成隔断件包括：在设有TFT结构的基板上涂覆光刻胶；经过曝光和显影，形成所述隔断件。可选的，所述光刻胶为负性光刻胶。可选的，所述截面的顶边与底边的差大于或等于0.5um。可选的，所述隔断件的高度为1um～10um。可选的，通过激光烧蚀工艺去除所述隔断件及形成在其上的所述自发光层、所述第一无机阻隔层和所述第二无机阻隔层的对应部分。再一方面，本专利技术实施例提供一种OLED显示装置，包括上述任意一种所述的薄膜封装结构。本专利技术实施例提供的薄膜封装结构及其封装方法、OLED显示装置，所述薄膜封装结构包括基板，以及设置在基板上的TFT结构，还包括：设置在TFT结构上的自发光层，以及覆盖自发光层的封装膜层；封装膜层包括：依次形成在自发光层上的第一无机阻隔层、有机阻隔层和第二无机阻隔层；自发光层和封装膜层上具有凹陷区域；凹陷区域的底部为TFT结构，自发光层靠近凹陷区域的部分包裹有第一无机阻隔层和第二无机阻隔层。相较于现有技术，本专利技术实施例提供的薄膜封装结构通过在自发光层和封装膜层上形成凹陷区域，自发光层在凹陷区域处断开，这样在凹陷区域进行切割以形成开孔区域时，就不会直接切割到自发光层，也就不会在自发光层上产生新的切割面。由于自发光层靠近凹陷区域的部分包裹有第一无机阻隔层和第二无机阻隔层，即自发光层的断开面上包裹有第一无机阻隔层和第二无机阻隔层，第一无机阻隔层和第二无机阻隔层可以很好的阻挡水汽和氧气对自发光层断开面的侵害，这样保护了自发光层在开孔工艺中不受水汽和氧气的侵害，从而提高了产品的信赖性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为相关技术提供的薄膜封装结构示意图一；图2为相关技术提供的薄膜封装结构示意图二；图3为相关技术提供的薄膜封装结构示意图三；图4为本专利技术实施例提供的薄膜封装结构示意图一；图5为本专利技术实施例提供的薄膜封装结构示意图二；图6为本专利技术实施例提供的薄膜封装结构示意图三；图7为本专利技术实施例提供的薄膜封装结构示意图四；图8为本专利技术实施例提供的薄膜封装结构示意图五；图9为本专利技术实施例提供的薄膜封装结构示意图六；图10为本专利技术实施例提供的薄膜封装结构示意图七；图11为本专利技术实施例提供的薄膜封装结构示意图八；图12为本专利技术实施例提供的薄膜封装结构示意图九；图13为本专利技术实施例提供的薄膜封装结构示意图十；图14为本专利技术实施例提供的薄膜封装方法流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种薄膜封装结构，如图11所示，包括基板11，以及设置在基板11上的TFT结构12，还包括：设置在TFT结构12上的自发光层13，以及覆盖自发光层13的封装膜层14；封装膜层14包括：依次形成在自发光层13上的第一无机阻隔层141、有机阻隔层142和第二无机阻隔层143；自发光层13和封装膜层14上具有凹陷区域15；凹陷区域15的底部为TFT结构12，自发光层13靠近凹陷区域15的部分包裹有第一无机阻隔层141和第二无机阻隔层143。本专利技术实施例对于第一无机阻隔层141、有机阻隔层142和第二无机阻隔层143的材料、制作工艺、制作厚度等均不做限定，本领域技术人员可以根据实际情况进行设定。示例的，可以利用PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积法)、ALD(Atomiclayerdeposition，原子层沉积)或SPUTTER等方法制作第一无机阻隔层141和第二无机阻隔层143；可以利用丝网印刷、打印或PECVD等方法制作有机阻隔层142。本专利技术实施例对于凹陷区域15的制作工艺、尺寸、形状等均不做限定，本领域技术人员可以根据实际情况进行设定。参考图11所示，由于在自发光层13和封装膜层14上形成了凹陷区域15，自发光层13在凹陷区域15处断开，这样在凹陷区域15进行切割以形成开孔区域时，就不会直接切割到自发光层13，也就不会在自发光层13上产生新的切割面。由于自发光层13靠近凹陷区域15的部分包裹有第一无机阻隔层141和第二无机阻隔层143，即自发光层13的断开面上包裹有第一无机本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜封装结构，包括基板，以及设置在所述基板上的TFT结构，其特征在于，还包括：设置在所述TFT结构上的自发光层，以及覆盖所述自发光层的封装膜层；所述封装膜层包括：依次形成在所述自发光层上的第一无机阻隔层、有机阻隔层和第二无机阻隔层；所述自发光层和所述封装膜层上具有凹陷区域；所述凹陷区域的底部为TFT结构，所述自发光层靠近所述凹陷区域的部分包裹有所述第一无机阻隔层和所述第二无机阻隔层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜封装结构，包括基板，以及设置在所述基板上的TFT结构，其特征在于，还包括：设置在所述TFT结构上的自发光层，以及覆盖所述自发光层的封装膜层；所述封装膜层包括：依次形成在所述自发光层上的第一无机阻隔层、有机阻隔层和第二无机阻隔层；所述自发光层和所述封装膜层上具有凹陷区域；所述凹陷区域的底部为TFT结构，所述自发光层靠近所述凹陷区域的部分包裹有所述第一无机阻隔层和所述第二无机阻隔层。2.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述凹陷区域对应所述自发光层的部分沿垂直于其侧面且垂直于所述基板上表面的截面为倒梯形。3.根据权利要求2所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述截面的侧边与底边的夹角为100°～150°。4.一种薄膜封装方法，其特征在于，所述方法包括：在设有TFT结构的基板的待开口区域形成隔断件，所述隔断件沿垂直于其侧面且垂直于所述基板上表面的截面为倒梯形；形成在所述隔断件和所述TFT结构上的自发光层；形成覆盖所述自发光层的第一无机阻隔层；在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王涛，孙韬，张嵩，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11