The invention discloses a MRAM readout circuit of adjustable voltage, which includes a current mirror, a reference unit group, a control current limiting unit and an operational amplifier OP Amp; in which the clamping voltage V_clamp of the control current limiting unit is controlled by the feedback effect of the operational amplifier OP Amp, so as to make reference to the reference unit group. The voltage on the unit is stable at about V_read. In addition, the input reference voltage V_read of the operational amplifier OP Amp can also be adjusted by a configurable reference voltage generator. The open readout circuit of the invention uses a feedback circuit to dynamically adjust the clamp voltage, so that the same MRAM module can adapt to different embedded environments and achieve the best power consumption in different environments.
【技术实现步骤摘要】
一种可调电压的MRAM读出电路
本专利技术属于半导体芯片存储器领域,尤其涉及一种可调电压的MRAM读出电路。
技术介绍
磁性随机存储器(MRAM)是一种新兴的非挥发性存储技术。它拥有高速的读写速度和高集成度,且可以被无限次的重复写入。MRAM可以像SRAM/DRAM一样快速随机读写,还可以像Flash闪存一样在断电后永久保留数据。MRAM具有很好的经济性和性能,它的单位容量占用的硅片面积比SRAM有很大的优势,比在此类芯片中经常使用的NORFlash也有优势,比嵌入式NORFlash的优势更大。MRAM读写时延接近最好的SRAM,功耗则在各种内存和存储技术最好;而且MRAM与标准CMOS半导体工艺兼容,DRAM以及Flash与标准CMOS半导体工艺不兼容;MRAM还可以和逻辑电路集成到一个芯片中。MRAM基于MTJ(磁性隧道结)结构。由两层铁磁性材料夹着一层非常薄的非铁磁绝缘材料组成的,如图1所示:下面的一层铁磁材料是具有固定磁化方向的参考层,上面的铁磁材料是可变磁化方向的记忆层,它的磁化方向可以和固定磁化层相平行或反平行。由于量子物理的效应,电流可以穿过中间的隧道势垒层,但是MTJ的电阻和可变磁化层的磁化方向有关。前一种情况电阻低,后一种情况电阻高。读取MRAM的过程就是对MTJ的电阻进行测量。写MRAM使用比较新的STT-MRAM技术使用比读更强的电流穿过MTJ进行写操作。一个自下而上的电流把可变磁化层置成与固定层平行的方向,自上而下的电路把它置成反平行的方向。如图2所示,每个MRAM的记忆单元由一个MTJ和一个NMOS管组成。NMOS管的门极(gat ...
【技术保护点】
1.一种可调电压的MRAM读出电路,包括电流镜、参考单元组、控制限流单元和运算放大器OP Amp,其特征在于,所述电流镜由等同的PMOS管组成,其中,所述每一路PMOS管的电流均为I_read;所述参考单元组包括一组并联的的参考单元,部分置于P状态,另外的置于AP状态;所述参考单元组一端接地另外一端连接所述控制限流单元,连接点为A;所述控制限流单元由同样的钳位电压V_clamp控制的一组等同的NMOS管组成,所述钳位电压V_clamp用于控制所述NMOS管的电阻;所述运算放大器OP Amp的一个输入为参考电压V_read,另一个输入为所述A点的电位V_A,所述运算放大器OP Amp的输出连接到所述钳位电压V_clamp,通过反馈效应,控制加在所述参考单元上的电压稳定在V_read左右。
【技术特征摘要】
1.一种可调电压的MRAM读出电路,包括电流镜、参考单元组、控制限流单元和运算放大器OPAmp,其特征在于,所述电流镜由等同的PMOS管组成,其中,所述每一路PMOS管的电流均为I_read;所述参考单元组包括一组并联的的参考单元,部分置于P状态,另外的置于AP状态;所述参考单元组一端接地另外一端连接所述控制限流单元,连接点为A;所述控制限流单元由同样的钳位电压V_clamp控制的一组等同的NMOS管组成,所述钳位电压V_clamp用于控制所述NMOS管的电阻;所述运算放大器OPAmp的一个输入为参考电压V_read,另一个输入为所述A点的电位V_A,所述运算放大器OPAmp...
【专利技术属性】
技术研发人员:戴瑾,
申请(专利权)人:上海磁宇信息科技有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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