具有电流阻挡层的发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种高效率的具有电流阻挡层的发光元件。此发光元件包括：第一导电型半导体层；第二导电型半导体层；活性层，布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间；电流阻挡层，布置于所述第二导电型半导体层上；透明电极层，覆盖所述电流阻挡层；第一电极，电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极，位于所述透明电极层上，并电连接于所述透明电极层，且包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘延伸的第二电极延伸部；以及第二反射层，布置于所述第二电极与所述透明电极层之间，其中，所述第二电极焊盘及第二电极延伸部分别覆盖所述电流阻挡层的至少一部分。

【技术实现步骤摘要】
具有电流阻挡层的发光元件
本专利技术涉及一种发光元件，尤其涉及一种具有电流阻挡层的发光元件。
技术介绍
发光元件通过电子与空穴的复合而发光。发光元件通常包括n型半导体层、活性层、p型半导体层以及用于供应电力的焊盘电极，并且采用用于促进半导体层内电流分散的透明电极和/或电极延伸部。进而，在焊盘电极或从焊盘电极延伸的电极延伸部的下部可以布置用于促进电流的水平分散的电流阻挡层(CBL：Currentblockinglayer)。但是，在活性层生成而向焊盘电极或电极延伸部行进的光的一部分可能被焊盘电极或电极延伸部吸收。为了防止这种情况，电流阻挡层可以由包括多个电介质层的分布式布拉格反射器(DBR：DistributedBraggReflector)构成，从而反射向焊盘电极及电极延伸部行进的光。另外，透明电极通常形成于p型半导体层上，为了降低透明电极与半导体层的接触电阻，沉积透明电极材料层后，执行快速热处理(RapidThermalAnnealing)工序。由于通常电流阻挡层布置于透明电极下部，因此电流阻挡层在透明电极的热处理工序中暴露于高温。在此，在电流阻挡层暴露于高温的情况下，可能在电流阻挡层诱发应力。尤其，在电流阻挡层包括如分布式布拉格反射器等的多个层的情况下，由于快速热处理在电流阻挡层诱发应力，从而可能剥离电流阻挡层。
技术实现思路
本专利技术所要解决的课题是提供一种能够防止电流阻挡层的剥离的发光元件。本专利技术所要解决的另一课题是提供一种能够完善电流阻挡层的反射性能的发光元件。本专利技术所要解决的又一课题是提供一种减少电极造成的光吸收，从而改善光提取效率的发光元件。本专利技术所要解决的又一课题是提供一种包括结构改善的分布式布拉格反射器的发光元件。根据本专利技术的一实施例，提供一种发光元件，包括：第一导电型半导体层；第二导电型半导体层；活性层，布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间；电流阻挡层，布置于所述第二导电型半导体层上；透明电极层，覆盖所述电流阻挡层；第一电极，电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极，位于所述透明电极层上，并电连接于所述透明电极层，且包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘延伸的第二电极延伸部；以及第二反射层，布置于所述第二电极与所述透明电极层之间，其中，所述第二电极焊盘及第二电极延伸部分别覆盖所述电流阻挡层的至少一部分。本专利技术提供一种发光元件，所述发光元件防止电流阻挡层的剥离，从而提高可靠性，并且还包括用于减少电极造成的光吸收的反射层，从改善光提取效率。附图说明图1是用于说明根据本专利技术的一实施例的发光元件的平面图。图2至图6分别是沿图1的截取线A-A'线、B-B'线、C-C'线、D-D'线及E-E'线截取的剖面图。图7a是图1的区域α的放大平面图，图7b及图7c分别是沿图1的截取线F-F'及G-G'截取的剖面图。图8a至8c图示应用根据本专利技术的一实施例的发光元件的封装件。图9是用于说明根据本专利技术的另一实施例的发光元件的平面图。图10是用于说明根据本专利技术的又一实施例的发光元件的平面图。图11是用于说明根据本专利技术的又一实施例的发光元件的平面图。图12是用于说明根据本专利技术的实施例的反射层的局部放大剖面图。具体实施方式以下，参照附图详细说明本专利技术的实施例。为了将本专利技术的思想充分传递给本领域技术人员，作为示例提供以下介绍的实施例。因此，本专利技术不限于如下所述的实施例，其可以具体化为其他形态。另外，在附图中，可能为了便利而夸张图示构成要素的宽度、长度、厚度等。并且，当记载到某构成要素布置于其他构成要素的“上部”或“上”时，不仅包括各部分均“直接”布置于其他构成要素的“上部”或“上”的情形，还包括各构成要素与其他构成要素之间夹设有另一构成要素的情形。在整个说明书中，相同的附图符号表示相同的构成要素。根据本专利技术的一实施例的发光元件的特征在于，包括：第一导电型半导体层；第二导电型半导体层；活性层，布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间；电流阻挡层，布置于所述第二导电型半导体层上；透明电极层，覆盖所述电流阻挡层；第一电极，电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极，位于所述透明电极层上，并电连接于所述透明电极层，且包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘延伸的第二电极延伸部；以及第二反射层，布置于所述第二电极与所述透明电极层之间，其中，所述第二电极焊盘及第二电极延伸部分别覆盖所述电流阻挡层的至少一部分。在此，所述第二反射层可以包括折射率不同的电介质层，所述第二电极可以限定于所述电流阻挡层的上部区域内而布置。所述电流阻挡层可以包括：第一电流阻挡层，对应于所述第二电极焊盘；以及第二电流阻挡层，对应于所述第二电极延伸部。所述第二反射层可以包括布置于所述第二电极焊盘与所述第一电流阻挡层之间且具有至少一个凹陷部的反射层。所述凹陷部可以位于所述电流阻挡层的上部区域内，所述第二电极焊盘的下表面的至少一部分通过所述反射层的至少一个凹陷部与所述透明电极层连接。所述第二反射层可以包括位于所述第二电极延伸部与所述透明电极层之间的多个点状的反射层，且所述反射层的宽度大于所述第二电极延伸部的宽度。并且，所述多个点状的反射层可以限定于所述电流阻挡层的上部区域内而布置。并且，所述发光元件还可以包括：绝缘层，位于所述第一电极下部；以及第一反射层，位于所述第一电极与所述绝缘层之间。在此，所述第一电极可以包括第一电极焊盘以及从所述第一电极焊盘延伸的第一电极延伸部，所述第一电极焊盘位于所述第二导电型半导体层上部，所述绝缘层使所述第一电极焊盘与所述第二导电型半导体层绝缘。所述第一反射层可以包括位于所述第一电极焊盘与所述第二导电型半导体层之间，且宽度小于所述绝缘层并大于所述第一电极焊盘的反射层。所述第一反射层可以包括所述第一电极延伸部下方的多个点状的反射层，所述反射层的宽度大于所述第一电极延伸部的宽度。所述第二反射层可以包括位于所述第二电极延伸部与所述透明电极层之间的多个点状的反射层，且所述反射层的宽度大于所述第二电极延伸部，所述第二反射层的多个点状与所述第一反射层的多个点状相互交错布置。所述第一电极可以包括第一电极焊盘以及从所述第一电极焊盘延伸的第一电极延伸部，所述第一电极焊盘位于所述第一导电型半导体层上部，所述绝缘层的面积小于所述第一电极焊盘，且布置于所述第一电极焊盘与所述第一导电型半导体层之间的一部分区域。布置于所述第一电极焊盘与第一导电型半导体层之间的绝缘层的面积可以小于所述第一电极焊盘面积的90％。发光元件还可以包括台面，所述台面位于所述第一导电型半导体层上，并包括所述活性层与所述第二导电型半导体层，其中，所述台面还包括形成于其侧面的至少一个的凹槽，第一导电型半导体层通过所述凹槽局部地暴露，所述绝缘层包括使被暴露的所述第一导电型半导体层局部地暴露的开口部，所述第一电极延伸部通过所述开口部与所述第一导电型半导体层连接。所述第二反射层可以包括位于所述第二电极延伸部与所述透明电极层之间的多个点状的反射层，且所述反射层的宽度大于所述第二电极延伸部的宽度，所述第二反射层的相隔的多个点状与所述台面的至少一个的凹槽的位置相互交错地布置。所述电流阻挡层可以是单层，所述反射层包括折射率互不相同的多个层。所述反射层可以包括第一区域及第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其中，包括：第一导电型半导体层；第二导电型半导体层；活性层，布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间；电流阻挡层，布置于所述第二导电型半导体层之上；透明电极层，覆盖所述电流阻挡层；第一电极，电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极，位于所述透明电极层之上，电连接于所述透明电极层，且包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘延伸的第二电极延伸部；以及第二反射层，布置于所述第二电极与所述透明电极层之间，其中，所述第二电极焊盘及第二电极延伸部分别覆盖所述电流阻挡层的至少一部分。

【技术特征摘要】
2017.01.06 KR 10-2017-00025161.一种发光元件，其中，包括：第一导电型半导体层；第二导电型半导体层；活性层，布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间；电流阻挡层，布置于所述第二导电型半导体层之上；透明电极层，覆盖所述电流阻挡层；第一电极，电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极，位于所述透明电极层之上，电连接于所述透明电极层，且包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘延伸的第二电极延伸部；以及第二反射层，布置于所述第二电极与所述透明电极层之间，其中，所述第二电极焊盘及第二电极延伸部分别覆盖所述电流阻挡层的至少一部分。2.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述第二反射层包括折射率不同的电介质层。3.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述第二电极限定为位于所述电流阻挡层的上部区域之内。4.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述电流阻挡层包括：第一电流阻挡层，对应于所述第二电极焊盘；以及第二电流阻挡层，对应于所述第二电极延伸部。5.如权利要求4所述的发光元件，其中，所述第二反射层包括布置于所述第二电极焊盘与所述第一电流阻挡层之间且具有至少一个凹陷部的反射层。6.如权利要求5所述的发光元件，其中，所述凹陷部位于所述电流阻挡层的上部区域之内，所述第二电极焊盘的下表面的至少一部分通过所述反射层的至少一个凹陷部与所述透明电极层连接。7.如权利要求4所述的发光元件，其中，所述第二反射层包括所述第二电极延伸部与所述透明电极层之间的多个点状的反射层，且所述反射层的宽度大于所述第二电极延伸部的宽度。8.如权利要求7所述的发光元件，其中，所述多个点状的反射层限定为位于所述电流阻挡层的上部区域之内。9.如权利要求1所述的发光元件，其中，还包括：绝缘层，位于所述第一电极的下部；以及第一反射层，位于所述第一电极与所述绝缘层之间。10.如权利要求9所述的发光元件，其中，所述第一电极包括第一电极焊盘以及从所述第一电极焊盘延伸的第一电极延伸部，所述第一电极焊盘位于所述第二导电型半导体层的上部，所述绝缘层使所述第一电极焊盘与所述第二导电型半导体层绝缘。11.如权利要求10所述的发光元件，其中，所述第一反射层包括反射层，所述反射层位于所述第一电极焊盘与所述第二导电型半导体层之...

【专利技术属性】
技术研发人员：金艺瑟，金京完，金智惠，禹尚沅，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR