A method for judging the semi metal properties of Co based Hassler alloy materials belongs to the detection technology field of semi metallic materials. The invention determines the semi gold property of the material by measuring the positive and negative of the anisotropic magnetoresistive ratio of the material, and determines that the deposition rate of the Co2FeSi film is stabilized at 0.0258nm/s by controlling the sputtering power and sputtering pressure by the positive or negative of the anisotropic magnetoresistive ratio. The preparation is prepared to obtain 50 nanometers thick and at a certain extent. Co2FeSi films annealed at elevated temperatures determine the semi gold properties of the material through the positive and negative ratio of the anisotropic magnetoresistance ratio. The semi gold properties of the Co2FeSi films are verified by the tight bound linear muffin tin orbit method based on the local spin density functional theory, and the Co2FeSi film is transformed from non semi metal to semi gold. The method has the advantages of simple structure, simple film forming process, simple and controllable device production, and relatively low cost.
【技术实现步骤摘要】
一种判断Co基哈斯勒合金材料半金属属性的方法
本专利技术属于材料的半金属材料检测
,尤其与一种判断Co基哈斯勒合金材料半金属属性的方法有关。
技术介绍
半金属材料在磁电子器件,以及自旋注入半导体等自旋电子学领域有着广阔的应用前景,引起广大科技工作者的广泛关注。为了揭示一种材料是否具有半金属性,实验上通常采用制作电流垂直于膜面的巨磁电阻(CPP-GMR),磁隧道结(MTJs),自旋阀(non-localspin-valve)等纳米结构的器件或者制作点接触的安德鲁反射(pointcontactAndreevreflection)样品。Y.Sakuraba等为了验证Co基哈斯勒合金(Co2FeSi)的半金属性,首先采用磁控溅射方法制备磁性多层膜,首先在MgO衬底上沉积40纳米厚的Cr粘附层,随后沉积30纳米厚的Co基哈斯勒合金,接着沉积一定厚度的氧化铝或者MgO的隧道绝缘层,其后依次沉积5纳米的CoFe铁磁层,10纳米的IrMn钉扎层和5纳米的Ta保护层,薄膜结构复杂且薄膜质量要求很高,然后采用微加工方法,制备了测试所需的磁隧道结。制作过程中,多次采用了紫外线光刻、等离子刻蚀的办法,最终通过测试制备得到的隧道结器件的隧道磁电阻,推算出所用的Co基哈斯勒合金的自旋极化率,最终判断Co基哈斯勒合金的半金属属性。然而该制备工序的薄膜结构复杂且薄膜质量要求很高,制样工艺复杂,需要精确的过程控制。微加工所需工序复杂难控,且加工精度要求高,耗时长。
技术实现思路
针对现有的材料在检测是否具有半金属性存在的薄膜结构复杂且薄膜质量要求很高,制样工艺复杂等问题,而且使用薄膜加工 ...
【技术保护点】
1.一种判断Co基哈斯勒合金材料半金属属性的方法,其特征是,通过测量材料的各向异性磁电阻比的正负来判断材料的半金属性,其各向异性磁电阻比的正负来判断通过以下步骤实现:通过调控溅射功率与溅射气压,将Co2FeSi薄膜的沉积速率稳定在0.0258nm/s,制备得到50纳米厚且在一定温度下退火的Co2FeSi薄膜,Co2FeSi薄膜从非半金属性转变为具有半金属性;采用基于局域自旋密度泛函理论上的紧束缚线性muffin‑tin轨道方法计算验证了Co2FeSi薄膜的半金属性。
【技术特征摘要】
1.一种判断Co基哈斯勒合金材料半金属属性的方法,其特征是,通过测量材料的各向异性磁电阻比的正负来判断材料的半金属性,其各向异性磁电阻比的正负来判断通过以下步骤实现:通过调控溅射功率与溅射气压,将Co2FeSi薄膜的沉积速率稳定在0.0258nm/s,制备得到50纳米厚且在一定温度下退火的Co2FeSi薄膜,Co2FeSi薄膜从非半金属性转变...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨辅军,贾云杰,熊鹏,陈晓琴,
申请(专利权)人:湖北大学,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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