本申请公开了一种烧结装置，包括烧结炉、真空系统、进气系统、过滤系统，所述烧结炉用于容纳待烧结物料，并对物料进行加热烧结；所述真空系统与所述烧结炉相连通，用于提供烧结炉内的真空环境；所述进气系统与所述烧结炉相连通，用于向所述烧结炉内通入烧结反应所需的气体；所述过滤系统设置在所述烧结炉与所述真空系统之间，所述烧结炉排出的气体，经所述过滤系统过滤后再进入所述真空系统中。本申请提供的烧结装置，尤其适用于碳化硅的烧结，对反应炉内排出的气体进行过滤净化，提高烧结炉的烧结质量的同时，能够避免污染物对真空系统的影响，维持烧结过程中气压的稳定。
【技术实现步骤摘要】
一种烧结装置
本申请涉及材料处理设备
，特别是涉及一种烧结装置。
技术介绍
碳化硅陶瓷具有优良的常温力学性能(高的抗弯强度、优良的抗氧化性、良好的耐腐蚀性、高的抗磨性、低的摩擦系数)与高温力学性能(强度、抗蠕变性等)，而融合了复合材料技术优势发展起来的以碳化硅陶瓷为基的复相陶瓷，如纤维补强陶瓷、二相粒子强化陶瓷以及功能梯度陶瓷等，更进一步改善了单体材料的韧性和强度。上述材料广泛应用于石油、化工、微电子、汽车、航空、航天等领域，当前，常见的制备碳化硅陶瓷的方法有无压烧结、热压烧结、热等静压烧结以及反应烧结等。虽然各类方法制备的碳化硅陶瓷性能不尽相同，但其制备过程存在两个共性，一是碳化硅陶瓷的烧结温度比较高，一般达到了2000℃左右，这要求烧结设备除能耐高温外，还具有炉温均匀性好、控温精度高、测温精度高等特性；二是烧结过程中存在硅蒸汽挥发，胶质蜡、焦油挥发等现象，污染加热室与真空系统，并造成烧结室内气压不稳，这要求烧结设备具有完善的副产物收集处理功能与气压自动调节功能。常规的碳化硅陶瓷烧结设备很难满足上述要求，故生产过程中往往存在产品质量不达标、产品一致性不高等问题。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术的目的为提供一种烧结装置；本专利技术提供的烧结装置，尤其适用于碳化硅的烧结，对反应炉内排出的气体进行过滤净化，提高烧结炉的烧结质量的同时，能够避免污染物对真空系统的影响，维持烧结过程中气压的稳定。本专利技术提供的技术方案如下：一种烧结装置，包括烧结炉、真空系统、进气系统、过滤系统，所述烧结炉用于容纳待烧结物料，并对物料进行加热烧结；所述真空系统与所述烧结炉相连通，用于提供烧结炉内的真空环境；所述进气系统与所述烧结炉相连通，用于向所述烧结炉内通入烧结反应所需的气体；所述过滤系统设置在所述烧结炉与所述真空系统之间，所述烧结炉排出的气体，经所述过滤系统过滤后再进入所述真空系统中。优选地，所述过滤系统包括相连通的冷凝部件、过滤部件，所述烧结炉排出的气体依次经过冷凝部件、过滤部件，再进入所述真空系统中。优选地，所述过滤部件设有多层过滤介质，所述多层过滤介质中至少一层的最小截留粒径与其他层的最小截留粒径不同。优选地，所述过滤部件通过第一管路与所述真空系统相连通，所述冷凝部件还设有与所述真空系统直接连通的第二管路，所述第一管路、第二管路分别设有阀门。优选地，所述烧结炉包括炉体，用于加热炉体的加热部件，用于检测炉体内温度的测温部件，所述炉体包括炉壳、设置在炉壳内部的保温层，设置在保温层内部的烧结箱，所述加热部件设置在所述烧结箱与所述保温层之间。优选地，所述测温部件包括热电偶测温元件与红外测温元件。优选地，所述进气系统设有用于提供脱脂气体的脱脂气源、用于提供惰性气体的惰性气源，所述脱脂气源、惰性气源分别通过管路与所述烧结炉连通。优选地，所述惰性气源通过常规管路、快充管路分别与所述烧结炉相连通，所述常规管路、快充管路分别设有阀门。优选地，所述进气系统还设有用于提供反应气体的反应气源，所述反应气源通过管路与所述烧结炉连通。优选地，还设有快冷系统，所述快冷系统的进气管路、出气管路分别与所述烧结炉相连通，用于对烧结炉内产品进行快速冷却。本专利技术针对现有技术中的烧结炉烧结时，挥发的物质或副产物等污染炉内空间与真空系统的问题，提供一种烧结装置，在烧结炉与真空系统之间设置过滤系统，对烧结过程中挥发的物质进行过滤，使过滤后的气体再进入真空系统中，减少烧结炉以及真空系统内气体中的副产物。本专利技术提供的烧结装置，在提高烧结炉的烧结质量的同时，能够避免污染物对真空系统的影响，维持烧结过程中气压的稳定。例如，在碳化硅陶瓷烧结过程中，存在硅蒸汽挥发，胶质蜡、焦油挥发，通过过滤系统，过滤并截留气体中的硅蒸汽、胶质蜡、焦油等物质，使过滤净化后的空气再进入真空系统中，减少副产物对设备以及烧结过程的影响。通常在烧结过程中，由进气系统提供反应所需的气体(如反应气体，或维持炉内惰性氛围的惰性气体等)，同时由真空系统将炉内气体抽出，通过不断的通气排气，将烧结炉内的副产物、杂质等物质随气流排出，并经过滤系统进行过滤净化。通过更换过滤介质、调整参数等方式，本专利技术提供的烧结装置不仅可以适用于碳化硅陶瓷的烧结，也可适用于其他种类物料的烧结。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例中烧结装置的结构示意图；图2为本专利技术实施例中烧结炉的结构示意图；图3为本专利技术实施例中过滤系统的结构示意图；图4为本专利技术实施例中进气系统的结构示意图；附图标记：1-烧结炉；11-炉体；12-加热部件；13-测温部件；2-真空系统；3-进气系统；31-脱脂气源；32-惰性气源；33-反应气源；4-过滤系统；41-冷凝部件；42-过滤部件；43-第一管路；44-第二管路；5-快冷系统。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。请如图1至图4所示，本专利技术实施例提供一种烧结装置，包括烧结炉1、真空系统2、进气系统3、过滤系统4，所述烧结炉1用于容纳待烧结物料，并对物料进行加热烧结；所述真空系统2与所述烧结炉1相连通，用于提供烧结炉1内的真空环境；所述进气系统3与所述烧结炉1相连通，用于向所述烧结炉1内通入烧结反应所需的气体；所述过滤系统4设置在所述烧结炉1与所述真空系统2之间，所述烧结炉1排出的气体，经所述过滤系统4过滤后再进入所述真空系统2中。本专利技术针对现有技术中的烧结炉烧结时，挥发的物质或副产物等污染炉内空间与真空系统的问题，提供一种烧结装置，在烧结炉1与真空系统2之间设置过滤系统4，对烧结过程中挥发的物质进行过滤，使过滤后的气体再进入真空系统2中，减少烧结炉1以及真空系统2内气体中的副产物。本专利技术提供的烧结装置，在提高烧结炉1的烧结质量的同时，能够避免污染物对真空系统2的影响，维持烧结过程中气压的稳定。例如，在碳化硅陶瓷烧结过程中，存在硅蒸汽挥发，胶质蜡、焦油挥发，通过过滤系统4，过滤并截留气体中的硅蒸汽、胶质蜡、焦油等物质，使过滤净化后的空气再进入真空系统2中，减少副产物对设备以及烧结过程的影响。通常在烧结过程中，由进气系统3提供反应所需的气体(如反应气体，或维持炉内惰性氛围的惰性气体等)，同时由真空系统2将炉内气体抽出，通过不断的通气排气，将烧结炉内的副产物、杂质等物质随气流排出，并经过滤系统4进行过滤净化。通过更换过滤介质、调整参数等方式，本专利技术提供的烧结装置不仅可以适用于碳化硅陶瓷的烧结，也可适用于其他种类物料的烧结。优选地，所述过滤系统4包括相连通的冷凝部件41、过滤部件42，所述烧结炉1排出的气体依次经过冷凝部件41、过滤部件42，再进入所述真空系统2中。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种烧结装置，其特征在于，包括烧结炉(1)、真空系统(2)、进气系统(3)、过滤系统(4)，所述烧结炉(1)用于容纳待烧结物料，并对物料进行加热烧结；所述真空系统(2)与所述烧结炉(1)相连通，用于提供烧结炉(1)内的真空环境；所述进气系统(3)与所述烧结炉(1)相连通，用于向所述烧结炉(1)内通入烧结反应所需的气体；所述过滤系统(4)设置在所述烧结炉(1)与所述真空系统(2)之间，所述烧结炉(1)排出的气体，经所述过滤系统(4)过滤后再进入所述真空系统(2)中。
【技术特征摘要】
1.一种烧结装置，其特征在于，包括烧结炉(1)、真空系统(2)、进气系统(3)、过滤系统(4)，所述烧结炉(1)用于容纳待烧结物料，并对物料进行加热烧结；所述真空系统(2)与所述烧结炉(1)相连通，用于提供烧结炉(1)内的真空环境；所述进气系统(3)与所述烧结炉(1)相连通，用于向所述烧结炉(1)内通入烧结反应所需的气体；所述过滤系统(4)设置在所述烧结炉(1)与所述真空系统(2)之间，所述烧结炉(1)排出的气体，经所述过滤系统(4)过滤后再进入所述真空系统(2)中。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述过滤系统(4)包括相连通的冷凝部件(41)、过滤部件(42)，所述烧结炉(1)排出的气体依次经过冷凝部件(41)、过滤部件(42)，再进入所述真空系统(2)中。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述过滤部件(42)设有多层过滤介质，所述多层过滤介质中至少一层的最小截留粒径与其他层的最小截留粒径不同。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述过滤部件(42)通过第一管路(43)与所述真空系统(2)相连通，所述冷凝部件(41)还设有与所述真空系统(2)直接连通的第二管路(44)，所述第一管路(43)、第二管路(44)分别设有阀门。5.根据权利要求1-4...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭泽云，戴煜，胡祥龙，
申请(专利权)人：湖南顶立科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43
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