一种具有外延层的复合衬底制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种具有外延层的复合衬底
本技术属于光电
，特别涉及一种具有外延层的复合衬底。
技术介绍
氮化物薄膜材料GaN、AlN由于其优越的物理化学性质被广泛应用于电子电力器件和光电领域中。目前单晶氮化物薄膜主要通过异质外延的方法在SiC、蓝宝石等衬底上制备。而针对不同的器件，生长衬底往往不能满足其应用的要求，将生长衬底上的外延层转移到Si衬底上，利用其优越的电性能，可与电子电路集成的特性，能够发挥理想的半导体特性，制备成大规模、功能齐全的光电子集成器件。目前，硅衬底具有导热导电性能优异，成本较低，易于实现大尺寸和集成等优点，成为半导体领域的重要研究方向，但外延层直接设置在硅衬底上会容易脱落，并且在衬底转移、外延芯片结构及芯片制备工艺过程中均涉及高温过程，转移衬底材料、键合层及外延层三者间会产生剧烈的化学反应，导致键合强度不够，而影响在其衬底上所制备芯片的性能。
技术实现思路
本技术提供一种具有外延层的复合衬底，在外延层和衬底之间设置粘附层，阻挡层，并且键合层使用的是Sn和Au金属，粘附层可以改善外延层与衬底之间的粘附性能，使得外延层不易脱落，阻挡层可以防止键合层金属往衬底方向扩散。为解决上述问题，本技术采用如下技术方案。一种具有外延层的复合衬底，包括转移硅衬底，转移硅衬底上的粘附层，粘附层上的阻挡层，阻挡层上的键合层，及键合层上的外延层；所述键合层为Au层和Sn层键合而成，键合层厚度≦3μm。进一步地，所述粘附层为Cr层，所述阻挡层包括Pt层及Ti层，其中Ti层在Pt层上。进一步地，所述粘附层厚度为30～50nm，所述阻挡层厚度范围为250～500nm。本技术的有益...
【技术保护点】
一种具有外延层的复合衬底，其特征在于，包括转移硅衬底，转移硅衬底上的粘附层，粘附层上的阻挡层，阻挡层上的键合层，及键合层上的外延层；所述键合层为Au层和Sn层键合而成，键合层厚度≦3μm。
【技术特征摘要】
1.一种具有外延层的复合衬底，其特征在于，包括转移硅衬底，转移硅衬底上的粘附层，粘附层上的阻挡层，阻挡层上的键合层，及键合层上的外延层；所述键合层为Au层和Sn层键合而成，键合层厚度≦3μm。2.根据权利要求1所述的一种具有外延层...
【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，李洁，
申请(专利权)人：佛山市艾佛光通科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44
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