一种高精度ITO光刻走线液晶显示结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高精度ITO光刻走线液晶显示结构，其包括第一基板和第二基板，在第一基板和第二基板之间设置有胶框形成密封空间，密封空间封存有液晶，在第一基板和第二基板之间设置有静电防护结构，对现有技术中的防静电接进行改良并且针对ITO层的光刻走线的宽度进行改进，以适用于无边框的液晶显示产品。

A high precision ITO lithography line crystal display structure

The utility model discloses a high precision ITO lithography line liquid crystal display structure, which includes a first base plate and a second base plate. A sealing space is arranged between the first base plate and the second substrate, the sealing space is sealed with a liquid crystal, and an electrostatic protection structure is arranged between the first base plate and the second base plate, and the existing technology is used. The anti-static connection is improved and the width of the lithographic alignment of the ITO layer is improved to apply to the frameless liquid crystal display products.

【技术实现步骤摘要】
一种高精度ITO光刻走线液晶显示结构
本技术涉及液晶显示屏
，特别是一种高精度ITO光刻走线液晶显示结构。
技术介绍
现有的ITO光刻技术可以做到10~30um的走线，一般走线越细生产难度越大，良率越低。主要是曝光、显影、蚀刻产生不良，尤其对于低电阻产品，更容易产生不良。曝光阶段：UV光会有少量散射，导致图案失真，线宽变小，线距变大，断线的几率升高。尤其是MASK距产品的距离越大，影响越大。显影阶段：由于间隙太小，ITO间隙内的显影液不利于扩散，导致侧蚀、断线、边缘不齐等不良。目前走线的宽度并不能满足无边框液晶显示产品的需求，而且由于静电的影响，使得显示屏的显示效果收到影响，需要更进一步地对走线的宽度以及防静电结构进行改良。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种高精度ITO光刻走线液晶显示结构。为解决上述技术问题，本技术所采取的技术方案是：一种高精度ITO光刻走线液晶显示结构，其包括第一基板和第二基板，在第一基板和第二基板之间设置有胶框形成密封空间，密封空间封存有液晶，在第一基板的内表面设置有共通电极和第一放电走线，在第二基板的内表面设置有共通电极走线，与共通电极走线连接有ITO电极，该ITO电极与共通电极之间连接有导电体，第一放电走线通过导电体与第二放电走线连接，第二放电走线连接有金属件，该金属件与共通电极走线非接触并彼此形成放电电容，该金属件被绝缘层覆盖；并且共通电极走线的电容部包括水平的第一电极部以及从共通电极走线本体凸出延伸的第二电极部和第三电极部，金属件包括分别与第一电极部形成第一电容部的第一金属部、与第二电极部形成第二电容部的第二金属部以及与第三电极部形成第三电容部的第三金属部；所述第一放电走线和第二放电走线与外部线路连接。上述技术方案中，所述外部线路为接地。上述技术方案中，所述第一基板和第二基板上的ITO层通过光刻方式形成导电走线。上述技术方案中，所述走线的宽度为2微米。本技术的有益效果是：1）利用高精度的光刻工艺在基板的ITO层上形成细小的走线，使得在相同区域中的显示区域更加大，更好地能够实现无边框效果；2）利用防静电结构也就是放电电容结构的改进，进一步的强化静电放电的能力，保证液晶显示屏的正常工作，提高显示的稳定性和可靠性。附图说明图1是本技术相对于现有技术的走线宽度变化示意图；图2是本技术的静电防护结构的示意图。图中，1、第一基板；2、第二基板；3、胶框；4、液晶；5、共通电极；6、第一放电走线；7、共通电极走线；8、ITO电极；9、导电体；10、导电体；11、金属件；12、绝缘层；13、第一电极部；14、第二电极部；15、第三电极部；16、第一金属部；17、第二金属部；18、第三金属部；19、第一电容部；20、第二电容部；21、第三电容部；22、第二放电走线。具体实施方式下面结合附图对本技术作进一步详细的说明。如图1、2所示，一种高精度ITO光刻走线液晶显示结构，其包括第一基板1和第二基板2，在第一基板1和第二基板2之间设置有胶框3形成密封空间，密封空间封存有液晶4，在第一基板1的内表面设置有共通电极5和第一放电走线6，在第二基板2的内表面设置有共通电极走线7，与共通电极走线7连接有ITO电极8，该ITO电极8与共通电极5之间连接有导电体9，第一放电走线6通过导电体10与第二放电走线22连接，第二放电走线22连接有金属件11，该金属件11与共通电极走线7非接触并彼此形成放电电容，该金属件11被绝缘层12覆盖；并且共通电极走线7的电容部包括水平的第一电极部13以及从共通电极走线7本体凸出延伸的第二电极部14和第三电极部15，金属件11包括分别与第一电极部13形成第一电容部19的第一金属部16、与第二电极部14形成第二电容部20的第二金属部17以及与第三电极部15形成第三电容部21的第三金属部18；所述第一放电走线6和第二放电走线22与外部线路连接。所述外部线路为接地。所述第一基板1和第二基板2上的ITO层通过光刻方式形成导电走线，所述走线的宽度为2微米。所述绝缘层12混有细小的金属片，该金属片通过细小的导电线与金属件11连接，该金属片与共通电极走线7之间形成若干个小放电电容。以上的实施例只是在于说明而不是限制本技术，故凡依本技术专利申请范围所述的方法所做的等效变化或修饰，均包括于本技术专利申请范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高精度ITO光刻走线液晶显示结构，其特征在于：包括第一基板和第二基板，在第一基板和第二基板之间设置有胶框形成密封空间，密封空间封存有液晶，在第一基板的内表面设置有共通电极和第一放电走线，在第二基板的内表面设置有共通电极走线，与共通电极走线连接有ITO电极，该ITO电极与共通电极之间连接有导电体，第一放电走线通过导电体与第二放电走线连接，第二放电走线连接有金属件，该金属件与共通电极走线非接触并彼此形成放电电容，该金属件被绝缘层覆盖；并且共通电极走线的电容部包括水平的第一电极部以及从共通电极走线本体凸出延伸的第二电极部和第三电极部，金属件包括分别与第一电极部形成第一电容部的第一金属部、与第二电极部形成第二电容部的第二金属部以及与第三电极部形成第三电容部的第三金属部；所述第一放电走线和第二放电走线与外部线路连接。

【技术特征摘要】
1.一种高精度ITO光刻走线液晶显示结构，其特征在于：包括第一基板和第二基板，在第一基板和第二基板之间设置有胶框形成密封空间，密封空间封存有液晶，在第一基板的内表面设置有共通电极和第一放电走线，在第二基板的内表面设置有共通电极走线，与共通电极走线连接有ITO电极，该ITO电极与共通电极之间连接有导电体，第一放电走线通过导电体与第二放电走线连接，第二放电走线连接有金属件，该金属件与共通电极走线非接触并彼此形成放电电容，该金属件被绝缘层覆盖；并且共通电极走线的电容部包括水平的第一电极部以及从共通电极走线本体凸出延伸的第二电...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘翼辉，
申请(专利权)人：东莞通华液晶有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44