The invention discloses a package microwave three-dimensional integrated system level interconnect structure model, including a substrate, a dielectric substrate, the microstrip line, set in the substrate substrate substrate substrate grounding metal hole array, millimeter wave monolithic integrated circuit and silicon substrate; grounding metal hole array is arranged on the ground flat metal, millimeter wave monolithic integrated circuit is arranged between the silicon substrate and the metal ground plane above the silicon substrate; millimeter wave monolithic integrated circuit sensitive position is opened in the cavity; the microstrip line is connected with the millimeter wave monolithic integrated circuit through planar transmission line. Compared with traditional gold wire bonding, the invention significantly reduces the interconnection size between chips, and helps maintain the signal integrity of RF and high-speed digital signal transmission.
【技术实现步骤摘要】
一种新型的微波三维集成系统级封装互连结构
本专利技术属于电磁场与微波
,具体涉及一种新型的微波三维集成系统级封装互连结构。
技术介绍
随着电子信息系统朝着小型化、高性能、多功能方向不断发展,系统级封装(SystemonPackage,SoP)给电子信息系统提供了一种小型化的集成方案,SoP已在计算机、手机、传感器、车载雷达等军事和民用领域得到十分广泛的研究和应用。然而,目前的SoP中涉及射频芯片的互连大都是采用的金丝键合完成的,金丝的存在不利于整个系统的进一步集成和小型化,且高频处金丝互连影响芯片的工作性能,通过金丝互连的芯片上方空间得不到很好的利用,无法实现三维集成。目前,国外在这方面的研究有很多,从DAPRA的PolyStrata硅基微同轴到NorthropGrumman的异质集成,从IMEC的3De-Cube到英飞凌BGT系列芯片等。上述这些方案中均没有采用传统的金丝键合方式,取而代之的是各类新型互连转换结构。然而,基于传统工艺实现砷化镓芯片的三维集成系统级封装互连仍未见报道;因此,需要进一步设计新型的微波三维集成系统级封装互连技术,以期实现现有商用砷化镓芯片在SoP中的应用和拓展。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种新型的微波三维集成系统级封装互连结构。实现本专利技术目的的技术方案为:一种新型的微波三维集成系统级封装互连结构,包括衬底介质基板、设置在衬底介质基板上的微带线、衬底介质基板上的接地金属化孔阵列、毫米波单片集成电路和硅基板;接地金属化孔阵列上设置接地平面金属,毫米波单片集成电路设置在硅基板和接地平面金属之间;毫米波单片集成电路敏 ...
【技术保护点】
一种新型的微波三维集成系统级封装互连结构,其特征在于,包括衬底介质基板(1)、设置在衬底介质基板上的微带线(2)、衬底介质基板上的接地金属化孔阵列(3)、毫米波单片集成电路(4)和硅基板(5);接地金属化孔阵列(3)上设置接地平面金属(8),毫米波单片集成电路(4)设置在硅基板(5)和接地平面金属(8)之间;毫米波单片集成电路(4)敏感位置的上方硅基板中开有腔体;微带线(2)通过平面传输线与毫米波单片集成电路(4)连接。
【技术特征摘要】
1.一种新型的微波三维集成系统级封装互连结构,其特征在于,包括衬底介质基板(1)、设置在衬底介质基板上的微带线(2)、衬底介质基板上的接地金属化孔阵列(3)、毫米波单片集成电路(4)和硅基板(5);接地金属化孔阵列(3)上设置接地平面金属(8),毫米波单片集成电路(4)设置在硅基板(5)和接地平面金属(8)之间;毫米波单片集成电路(4)敏感位置的上方硅基板中开有腔体;微带线(2)通过平面传输线与毫米波单片集成电路(4)连接。2.根据权利要求1所述新型的微波三维集成系统级封装互连结构,其特征在于,平面传输线为共面波导传输线(6)或微带传输线(9)。3.根据权利要求2所述新型的微波三维集成系统级封装互连结构,其特征在于,砷化镓芯片(4)敏感位置的上方硅基板中开腔为埋腔(7)或者贯穿式非金属化槽,所述埋腔(7)上方不...
【专利技术属性】
技术研发人员:张君直,施永荣,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十五研究所,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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