半导体装置、显示面板总成、半导体结构制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体装置、显示面板总成、半导体结构。其中半导体装置包括芯片、多个第一凸块以及多个第二凸块。芯片包括有源表面。第一凸块沿着第一方向被配置在有源表面上。第二凸块沿着平行于第一方向的第二方向配置在有源表面上，其中第二凸块的其中之一配置在第一凸块中相邻的两个之间。从第二凸块至扇出区域的最短距离小于从第一凸块至扇出区域的最短距离，且第一凸块的其中之一的第一宽度大于第二凸块的其中之一的第二宽度。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置、显示面板总成、半导体结构
本专利技术涉及一种半导体装置、一种显示面板总成及一种半导体结构，且特别是涉及一种半导体装置、使用其半导体装置的一种显示面板总成及一种半导体结构。
技术介绍
不断进步的晶片制造科技已经引领集成电路(Integratedcircuit,IC)产业的快速发展。集成电路被制造得重量更轻、尺寸更小以及在功能上更复杂及多元，并具有更高针脚数和更高的频率。薄膜倒装(Chip-on-film,COF)封装满足配合发展趋势制造的集成电路的封装要求。薄膜倒装具有细间距(finepitch)和良好的可挠性，因而在尺寸稳定度、线路的高密度、耐燃性以及环境保护上皆有良好的表现。一般来说，薄膜倒装封装是将焊接/封装集成电路于可挠电路薄膜上。多个金属凸块焊接在集成电路的焊垫上。然而，当在芯片上的金属凸块的配置也遵循细间距的趋势时，金属凸块之间的距离缩短可能导致在回焊制作工艺时发生金属凸块的溢流，因而可能造成短路。再者，在细间距封装的应用上，特别是高分辨率(极细间距)封装，对位不准或对位偏移经常发生，其严重地降低金属凸块的接合能力。此外，芯片的厚度很难进一步减少。因此，业界致力于找寻是否可以提供更多解决方案来增加细间距封装的良率以及减少芯片的厚度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体装置，其可增进半导体装置的良率。本专利技术的再一目的在于提供一种显示面板总成，其可增进使用上述半导体装置的显示面板总成的良率。本专利技术的另一目的在于提供一种半导体结构，其可减少芯片的厚度。为达上述目的，本专利技术提供一种半导体装置，包括芯片、多个第一凸块以及多个第二凸块。芯片包括有源表面。这些第一凸块沿着第一方向配置在有源表面上。第二凸块沿着平行于第一方向的第二方向配置在有源表面上，这些第二凸块的其中之一位于这些第一凸块的相邻两个之间，且第一凸块的其中之一的第一宽度大于第二凸块的其中之一的第二宽度本专利技术提供一种显示面板总成，包括显示面板、可挠电路薄膜(flexiblecircuitfilm)、芯片、多个第一凸块及多个第二凸块。显示面板包括位于显示面板的显示区域内的像素阵列、配置在显示面板的接合区域上的多个焊垫以及电连接像素阵列及焊垫的多条连接线。可挠电路薄膜包括连接于接合区域的扇出区域、芯片区域和多个线路，其中这些线路从芯片区域往扇出区域延伸且电连接于这些连接线。芯片配置在芯片区域上并电连接这些线路，且芯片包括有源表面。这些第一凸块沿着第一方向配置在有源表面上。这些第二凸块沿着平行于第一方向的第二方向配置在有源表面上，其中自这些第二凸块至扇出区域的最小距离小于自这些第一凸块至扇出区域的最小距离。连接于这些第一凸块的各条线路通过这些第二凸块中相邻的两个之间，以往扇出区域延伸，且这些第二凸块的其中之一的宽度小于这些第一凸块的其中之一的宽度。本专利技术更提供一种半导体结构，包括玻璃基板、承载器(carrier)及芯片。玻璃基板包括接合区域。芯片包括彼此相反的有源表面及背面(backsurface)，其中芯片以有源表面配置在接合区域上。承载器配置在芯片的背面上。在本专利技术的一实施例中，上述的芯片配置在可挠电路薄膜上。在本专利技术的一实施例中，上述可挠电路薄膜包括扇出区域、芯片区域以及多个线路，所述线路自芯片区域至扇出区域延伸，芯片配置在芯片区域，且这些第一凸块及这些第二凸块电连接于这些线路。在本专利技术的一实施例中，上述线路的第一部分分别连接这些第一凸块，这些线路的第一部分的其中之一通过这些第二凸块中相邻的两个之间，以延伸至扇出区域。在本专利技术的一实施例中，上述承载器配置在芯片的背面上，并且背面相对于有源表面。在本专利技术的一实施例中，上述芯片的厚度等于或小于100微米(μm)。在本专利技术的一实施例中，上述半导体装置还包括多个第三凸块，这些第三凸块沿着平行于第一方向的第三方向配置在有源表面上，其中这些第三凸块的其中之一位于这些第二凸块中相邻的两个之间。自这些第三凸块至扇出区域的最小距离小于自这些第二凸块至扇出区域的最小距离，并且这些第一凸块的其中之一的第一宽度大于这些第三凸块的其中之一的第三宽度。在本专利技术的一实施例中，上述这些第二凸块的其中之一的第二宽度等于或大于这些第三凸块的其中之一的第三宽度。在本专利技术的一实施例中，上述半导体装置还包括可挠层，配置在芯片相对于有源表面的背面上。在本专利技术的一实施例中，上述可挠电路薄膜还包括至少一切除开口(cut-outopening)，且扇出区域及切除开口分别位于芯片区域的相对两侧。在本专利技术的一实施例中，上述可挠电路薄膜还包括电磁干扰屏蔽层(EMIshieldinglayer)及/或散热层(heat-dissipationlayer)。在本专利技术的一实施例中，上述这些连接线被分割成多个群组，显示面板还包括多个多工器(multiplexers,MUX)，并且各个多工器选择性地将这些群组的其中之一的连接线的其中之一连接至这些焊垫的其中之一。在本专利技术的一实施例中，上述的群组的连接线的数量为2、3、4、6、8或9。在本专利技术的一实施例中，任两相邻的这些连接线分别属于这些多工器的这些群组中的两个不同的群组。在本专利技术的一实施例中，上述承载器包括多个导通孔，以电连接芯片和接合区域。在本专利技术的一实施例中，上述半导体结构的厚度等于或小于0.2mm。基于上述，在本专利技术中，第一凸块和第二凸块配置在芯片的有源表面上，其中自第二凸块至可挠电路薄膜的扇出区域的最小距离小于自第一凸块至扇出区域的最小距离。如此，连接这些第一凸块的各条线路通过这些第二凸块中相邻的两个之间，并延伸至扇出区域。因此，这些第一凸块的其中之一的宽度大于这些第二凸块的其中之一的宽度，所以通过任两相邻的第二凸块的线路能够与此相邻两第二凸块保持适当的距离，避免对位不准或焊料溢流。因此，本专利技术能够增进半导体装置和使用其的显示面板总成的良率。此外，本专利技术的一实施例将一承载器配置在芯片的背面上。如此，有了承载器的支撑，芯片能够研磨得更薄，且不易因外在撞击而碎裂或破裂。因此，本专利技术能够更加降低芯片的厚度和使用其的显示面板总成或半导体结构的整体厚度。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。附图说明图1是本专利技术一实施例的一种显示面板总成示意图；图2是图1的显示面板总成中第一凸块、第二凸块及线路的配置的局部放大示意图；图3是本专利技术一实施例的一种显示面板总成中第一凸块、第二凸块及线路的配置的局部放大示意图；图4是图1的显示面板总成的局部剖面示意图；图5是本专利技术一实施例的一种半导体结构的局部剖面示意图。符号说明10：显示面板总成10a：半导体结构100：半导体装置110：芯片112：有源表面114：背面116：底胶120：第一凸块120a：玻璃基板130：第二凸块140：第三凸块150：承载器160：可挠层170：玻璃盖板180：可挠印刷电路板190：电磁干扰屏蔽层/散热层200：可挠电路薄膜210：线路300：显示面板310：像素阵列320：焊垫330：连接线340：多工器A1：扇出区域A2：芯片区域A3：接合区域D1：第一方向D2：第二方向D3：第三方向OP：切除开口W1：第一宽度W2：第二宽度W3：第三宽度具体实施方式图1是根据本专利技术一实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：芯片，包括有源表面；多个第一凸块，沿着第一方向配置在所述有源表面上；以及多个第二凸块，沿着平行于所述第一方向的第二方向配置在所述有源表面上，其中所述多个第二凸块的其中之一位于所述多个第一凸块中的相邻两个之间，并且所述多个第一凸块的其中之一的第一宽度大于所述多个第二凸块的其中之一的第二宽度。

【技术特征摘要】
2016.08.02 US 15/226,9051.一种半导体装置，包括：芯片，包括有源表面；多个第一凸块，沿着第一方向配置在所述有源表面上；以及多个第二凸块，沿着平行于所述第一方向的第二方向配置在所述有源表面上，其中所述多个第二凸块的其中之一位于所述多个第一凸块中的相邻两个之间，并且所述多个第一凸块的其中之一的第一宽度大于所述多个第二凸块的其中之一的第二宽度。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述芯片配置在可挠电路薄膜上。3.如权利要求2所述的半导体装置，其中所述可挠电路薄膜包括扇出区域、芯片区域及多条线路，其中所述多条线路从所述芯片区域往所述扇出区域延伸，所述芯片配置在所述芯片区域上，并且所述多个第一凸块及所述多个第二凸块电连接至所述多条线路。4.如权利要求3所述的半导体装置，其中从所述多个第二凸块至所述扇出区域的最短距离小于从所述多个第一凸块至所述扇出区域的最短距离。5.如权利要求3所述的半导体装置，其中所述多条的第一部分分别连接所述多个第一凸块，所述多条线路的所述第一部分的其中之一通过所述多个第二凸块中的相邻两个之间，以延伸至所述扇出区域。6.如权利要求2所述的半导体装置，其中承载器配置在所述芯片的背面上，并且所述背面相对于所述有源表面。7.如权利要求6所述的半导体装置，其中所述芯片的厚度等于或小于100微米。8.如权利要求1所述的半导体装置，还包括多个第三凸块，沿着平行于所述第一方向的第三方向配置于所述有源表面上，其中所述多个第三凸块的其中之一位于所述多个第二凸块中的相邻两个之间，并且所述多个第一凸块的其中之一的所述第一宽度大于所述多个第三凸块的其中之一的第三宽度。9.如权利要求8所述的半导体装置，其中所述多个第二凸块的其中之一的所述第二宽度大于或等于所述多个第三凸块的其中的一个的第三宽度。10.如权利要求1所述的半导体装置，还包括可挠层，配置在所述芯片相对于所述有源表面的背面。11.如权利要求2所述的半导体装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张杰翔，黄文静，吕国源，唐煌钦，
申请(专利权)人：联咏科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71