The utility model relates to a semiconductor device, in particular to a low thermal resistance of high power chip bridge, including 4 of the GPP chip, the GPP chip is connected on the frame under the framework of the extreme, extreme negative connection, the GPP chip of the upper frame and lower frame, which is coated on the plastic body, anode, cathode DC DC positive and negative, AC AC 4 pin extends out of the plastic body, the pin is flat feet, extending from the lower part of the side surface of the plastic body, the thickness of not more than the plastic body thickness, surface at the same level of welding surface of the pins and the package body welding. The patch bridge has super small and ultra thin package appearance, so as to encapsulate the rectifier bridge patch, realize SMT operation, replace manual plug-in, reduce labor cost, and reduce the installation height of products to meet the development trend of ultra-thin and ultra small products. In addition, through the design of the frame and tube shape, the products have lower thermal resistance and adapt to greater power requirements.
【技术实现步骤摘要】
一种低热阻大功率贴片桥
本技术涉及半导体器件,特别是一种低热阻大功率贴片桥。
技术介绍
现有整流桥产品采用插件设计,难以使用SMT设备自动上板,需人工插件,厂家使用人工成本高;同时插件设计安装高度高,无法用在如新型超薄超小手机充电器等领域。
技术实现思路
本技术的目的在于:针对现有技术存在的问题,提供一种采用贴片设计、无需人工插件的低热阻大功率贴片整流桥。为了实现上述目的,本技术采用的技术方案为:一种低热阻大功率贴片整流桥,包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架,负极端连接下框架,所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内,直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体,所述引脚为平脚贴片设计,从所述塑封体下部侧面水平伸出,其厚度不超过所述塑封体厚度,所述引脚的焊接面与所述塑封体在同一水平面。进一步地,所述整流桥整体厚度介于1.20mm~1.60mm。进一步地,所述引脚宽度介于0.90mm~1.10mm。进一步地,所述引脚厚度介于0.15mm~0.25mm。进一步地,平面形态呈矩形,短边长介于6.35mm~6.85mm,长边长介于7.05~7.55mm。进一步地,所述塑封体选用压塑环氧树脂,其成分主要为环氧树脂和二氧化硅,对比传统浇灌工艺,具有更好的散热性。压塑环氧树脂结合底部大面积焊盘设计进一步改进散热,获得更低的热阻,可承受更大功率。本技术的有益效果是:本技术贴片桥引脚采用平脚贴片设计,其从所述塑封体下部侧面水平伸出,引脚焊接面与塑封体在同一水平面,使得贴片桥具有更优的超薄外形,便于贴片封装,实现SMT作业,替代人工插件 ...
【技术保护点】
一种低热阻大功率贴片桥,包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架,负极端连接下框架,所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内,直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体,其特征在于:所述引脚为平脚,从所述塑封体下部侧面水平伸出,其厚度不超过所述塑封体厚度,所述引脚的焊接面与所述塑封体在同一水平面。
【技术特征摘要】
1.一种低热阻大功率贴片桥,包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架,负极端连接下框架,所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内,直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体,其特征在于:所述引脚为平脚,从所述塑封体下部侧面水平伸出,其厚度不超过所述塑封体厚度,所述引脚的焊接面与所述塑封体在同一水平面。2.根据权利要求1所述的低热阻大功率贴片桥,其特征在于:所述上框架、下框架为内折弯结构。3.根据权利要求2所述的低热阻大功率贴片桥,其特征在于,所述塑封体选用环氧树脂。4.根据权利要求3所述的低热阻大功率贴片...
【专利技术属性】
技术研发人员:邱志述,谭志伟,周杰,梁鲁川,
申请(专利权)人:乐山无线电股份有限公司,
类型:新型
国别省市:四川,51
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