一种半导体器件及其制备方法、电子装置制造方法及图纸

技术编号:15793580 阅读:127 留言:0更新日期:2017-07-10 05:07
本发明专利技术涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有栅极结构和位于所述栅极结构两侧的∑形抬升源漏;步骤S2:对所述∑形抬升源漏上部的倾斜侧壁进行非晶化离子注入,以在所述倾斜侧壁上形成非晶化层,以降低在所述∑形抬升源漏边缘下方LDD离子注入和/或源漏注入的离子注入深度。本发明专利技术所述方法在制备过程中在形成∑形抬升源漏之后,对所述∑形抬升源漏上部的倾斜侧壁进行垂直或者接近垂直的非晶化离子注入,以在所述倾斜的侧壁上形成非晶化层,以降低在后续的步骤中LDD离子注入和/或源漏注入中在所述∑形抬升源漏边缘处的离子注入深度,提高半导体器件的性能和良率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法、电子装置
本专利技术涉及半导体领域,具体地,本专利技术涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展,半导体器件的制备趋于微型化,目前已经发展到纳米级别,同时常规器件的制备工艺逐渐成熟。随着半导体器件尺寸不断缩小,栅的宽度不断减小,当场效应晶体管的沟道宽度约等于源和漏结的耗尽层宽度时,即为所谓“窄沟道”器件。在器件结构的尺寸缩小时,不仅沟道长度变短,宽度也将按同比例在缩小,于是就会出现窄沟道器件。器件的阈值电压等性能因为沟道变窄而发生变化的现象即称为窄沟道效应,引起晶体管的阈值电压升高。目前在器件制备过程中,为了获得更好的性能,通常在器件的源漏区进行外延SiGe以对衬底的沟道处施加压应力,例如形成“∑”形源漏。进一步,随着期间尺寸的缩小,器件中的浅沟槽隔离结构的应力会对晶体管产生显著影响,致使器件漏极电流(Idsat)和阈值电压Vtsat都会有一定程度的增加,所述“∑”形源漏会进一步加剧所述影响。因此需要对目前所述接触孔的制备方法作进一步的改进,以便消除上述问题。
技术实现思路

技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术为了克服目前存在问题,提供了一种半导体器件的制备方法,包括:步骤S1:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有栅极结构和位于所述栅极结构两侧的∑形抬升源漏;步骤S2:对所述∑形抬升源漏上部的倾斜侧壁进行非晶化离子注入,以在所述倾斜侧壁上形成非晶化层,以降低在所述∑形抬升源漏边缘下方LDD离子注入和/或源漏注入的离子注入深度。可选地,以垂直于所述倾斜侧壁的方向进行所述非晶化离子注入,以使所述∑形抬升源漏顶部形成的所述非晶化层的厚度小于所述倾斜侧壁上形成的所述非晶化层的厚度。可选地,所述非晶化离子注入方向与所述倾斜侧壁之间的夹角为85-95°,以使所述∑形抬升源漏顶部形成的所述非晶化层的厚度小于所述倾斜侧壁上形成的所述非晶化层的厚度。可选地,所述步骤S2包括:步骤S21:对所述∑形抬升源漏上部的第一倾斜侧壁进行所述非晶化离子注入,以在所述第一倾斜侧壁形成非晶化层;步骤S22:对与所述第一倾斜侧壁相对的第二倾斜侧壁进行所述非晶化离子注入,以在所述第二倾斜侧壁形成非晶化层。可选地,在所述步骤S1中,在所述半导体衬底上形成有若干鳍片和部分覆盖所述鳍片的隔离材料层,所述栅极结构环绕所述鳍片设置,所述∑形抬升源漏位于所述栅极结构两侧的所述鳍片上。可选地,在所述步骤S2中对与所述隔离材料层相邻的所述倾斜侧壁进行非晶化离子注入,以形成所述非晶化层。可选地,所述∑形抬升源漏选用SiGe,所述非晶化离子注入选用Ge离子。可选地,所述方法还进一步包括步骤S3:以竖直或者倾斜的方向执行LDD离子注入和/或源漏注入。本专利技术还提供了一种基于上述的方法制备得到的半导体器件。本专利技术还提供了一种电子装置,包括上述的半导体器件。本专利技术为了克服现有技术中存在的问题,提供了一种半导体器件的制备方法,所述方法在制备过程中在形成∑形抬升源漏之后,对所述∑形抬升源漏上部的倾斜侧壁进行垂直或者接近垂直的非晶化离子注入,以在所述倾斜的侧壁上形成非晶化层,以降低在后续的步骤中LDD离子注入和/或源漏注入中在所述∑形抬升源漏边缘处的离子注入深度,降低窄沟道效应,从而降低阈值电压,提高半导体器件的性能和良率。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述,用来解释本专利技术的装置及原理。在附图中,图1a-1d为本专利技术一具体地实施中所述半导体器件的制备过程示意图;图2为本专利技术一具体地实施中所述半导体器件的制备的工艺流程图。具体实施方式在下文的描述中,给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而,对于本领域技术人员而言显而易见的是,本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中,为了避免与本专利技术发生混淆,对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是,本专利技术能够以不同形式实施,而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地,提供这些实施例将使公开彻底和完全,并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中,为了清楚,层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白,当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时,其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层,或者可以存在居间的元件或层。相反,当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时,则不存在居间的元件或层。应当明白,尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分,这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此,在不脱离本专利技术教导之下,下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等,在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白,除了图中所示的取向以外,空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如,如果附图中的器件翻转,然后,描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此,示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时,单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式,除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”,当在该说明书中使用时,确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时,术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。为了彻底理解本专利技术,将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构,以便阐释本专利技术的技术方案。本专利技术的较佳实施例详细描述如下,然而除了这些详细描述外,本专利技术还可以具有其他实施方式。实施例一本专利技术中为了解决现有技术中存在的问题,提供了一种半导体器件的制备方法,下面结合附图1a-1d对本专利技术的一具体地实施方式做进一步的说明。执行步骤101,提供半导体衬底101,在所述半导体衬底上形成有栅极结构和位于所述栅极结构两侧的∑形抬升源漏。具体地,参照图1a,提供半导体衬底101,所述半导体衬底101可以是以下所提到的材料中的至少一种:硅、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上层叠硅(SSOI)等。此外,半导体衬底101上可以被定义有源区。在该有源区上还可以包含本文档来自技高网...
一种半导体器件及其制备方法、电子装置

【技术保护点】
一种半导体器件的制备方法,包括:步骤S1:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有栅极结构和位于所述栅极结构两侧的∑形抬升源漏;步骤S2:对所述∑形抬升源漏上部的倾斜侧壁进行非晶化离子注入,以在所述倾斜侧壁上形成非晶化层,以降低在所述∑形抬升源漏边缘下方LDD离子注入和/或源漏注入的离子注入深度。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法,包括:步骤S1:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有栅极结构和位于所述栅极结构两侧的∑形抬升源漏;步骤S2:对所述∑形抬升源漏上部的倾斜侧壁进行非晶化离子注入,以在所述倾斜侧壁上形成非晶化层,以降低在所述∑形抬升源漏边缘下方LDD离子注入和/或源漏注入的离子注入深度。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,以垂直于所述倾斜侧壁的方向进行所述非晶化离子注入,以使所述∑形抬升源漏顶部形成的所述非晶化层的厚度小于所述倾斜侧壁上形成的所述非晶化层的厚度。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述非晶化离子注入方向与所述倾斜侧壁之间的夹角为85-95°,以使所述∑形抬升源漏顶部形成的所述非晶化层的厚度小于所述倾斜侧壁上形成的所述非晶化层的厚度。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S2包括:步骤S21:对所述∑形抬升源漏上部的第一倾斜侧壁进行所述非晶化离子注入,以在...

【专利技术属性】
技术研发人员:王冬江
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司中芯国际集成电路制造北京有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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