有机发光二极管显示器及其制造方法技术

公开了一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。在一个方面，所述OLED显示器包括形成在基底上面的OLED，所述OLED包括第一电极、形成在第一电极上面的第二电极和置于第一电极与第二电极之间的中间层。像素限定层形成在基底上面并与OLED相邻，保护层形成在第二电极上面并被构造为保护OLED。薄膜包封层形成在保护层的上面并密封OLED，以保护OLED免受环境影响，薄膜包封层的至少一部分接触像素限定层。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示器及其制造方法本申请要求于2015年9月15日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0130596号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
描述的技术总体涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器和一种制造该有机发光二极管显示器的方法。
技术介绍
OLED显示器包括具有空穴注入电极、电子注入电极和插入的有机发光层的OLED。OLED随着激子从激发态跃迁到基态来发光，其中，激子由通过空穴注入电极注入的空穴和通过电子注入电极注入的电子在有机发光层处的结合而产生。因为OLED技术不需要单独的光源，所以存在令人满意的特性，诸如用低电压驱动、重量轻且薄以及具有宽视角、高对比度和快速响应速率。因此，OLED显示器作为下一代显示设备正备受关注。
技术实现思路
一个专利技术方面涉及一种OLED显示器和一种制造该OLED显示器的方法。另一方面是一种OLED显示器，该OLED显示器包括：基底；OLED，形成在基底上，并包括第一电极、中间层和第二电极；像素限定层，形成在基底上并限定像素区域和非像素区域，像素区域包括OLED并发光；保护层，形成在第二电极上并保护OLED；薄膜包封层，形成在保护层上并密封OLED，以保护OLED免受外部影响，其中，薄膜包封层形成为在至少一个区域处接触像素限定层。第一电极可以形成在彼此邻近的像素限定层之间，中间层可以形成在第一电极上，第二电极和保护层可以形成在中间层和像素限定层上。保护层可以由含LiF的材料形成。第二电极和保护层可以被图案化形成，使得在第二电极和保护层的与像素限定层接触的至少一部分处形成第一开口。薄膜包封层可以形成为在第一开口处直接接触像素限定层。薄膜包封层可以通过交替堆叠多个无机层和多个有机层来形成。薄膜包封层可以包括无机层和形成在无机层上的有机层，其中，无机层在第一开口处接触像素限定层。包括有源层、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管可以形成在基底上，OLED显示器还可以包括：栅极绝缘层，形成在有源层与栅电极之间；层间绝缘层，形成在栅电极与源电极和漏电极之间；通路层，形成在源电极和漏电极上。基底可以包括发生弯曲所处的弯曲部分，层间绝缘层和通路层可以被图案化形成，使得在弯曲部分处形成第二开口。薄膜包封层可以在第二开口处接触栅极绝缘层。薄膜包封层可以在第二开口处与层间绝缘层和通路层的侧表面接触。薄膜包封层可以包括无机层和形成在无机层上的有机层，无机层可以在第二开口处接触栅极绝缘层。另一方面是一种制造OLED显示器的方法，所述方法包括：设置基底；在基底上形成薄膜晶体管和通路层；在通路层上形成限定像素区域和非像素区域的像素限定层；在通路层上形成OLED；在OLED上形成保护层，以覆盖像素限定层；形成从保护层的顶部密封OLED的薄膜包封层，以保护OLED免受外部影响，其中，形成OLED的步骤包括：在彼此邻近的像素限定层之间形成第一电极；在第一电极上形成中间层；在中间层和像素限定层上形成第二电极，并且在形成第二电极的步骤中和在形成保护层的步骤中，图案化形成第二电极和保护层，使得去除第二电极和保护层的与像素限定层接触的至少一部分，并在第二电极和保护层处形成第一开口。保护层可以由含LiF的材料形成。在形成薄膜包封层的步骤中，可以将薄膜包封层形成为在第一开口处接触像素限定层。形成薄膜包封层的步骤可以包括：在保护层上形成无机层；在无机层上形成有机层，将无机层形成为在第一开口处接触像素限定层。基底可以包括发生弯曲所处的弯曲部分，该方法还可以包括：在设置基底的步骤之后，在基底上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成层间绝缘层；在层间绝缘层上形成通路层。在形成层间绝缘层的步骤中和在形成通路层的步骤中，可以将层间绝缘层和通路层图案化形成为在弯曲部分处被部分地去除，使得在层间绝缘层和通路层处形成第二开口。在形成薄膜包封层的步骤中，可以将薄膜包封层形成为在第二开口处接触栅极绝缘层。在形成薄膜包封层的步骤中，可以将薄膜包封层形成为在第二开口处与层间绝缘层和通路层的侧表面接触。另一方面是一种有机发光二极管(OLED)显示器，所述OLED显示器包括：基底；OLED，形成在基底的上面并包括第一电极、形成在第一电极上面的第二电极和置于第一电极与第二电极之间的中间层；像素限定层，形成在基底的上面并与OLED相邻；保护层，形成在第二电极的上面并被构造为保护OLED；薄膜包封层，形成在保护层的上面并密封OLED，以保护OLED免受环境影响，其中，薄膜包封层的至少一部分接触像素限定层。在上述OLED显示器中，第一电极形成在邻近的像素限定层之间，其中，中间层形成在第一电极的上面，其中，第二电极和保护层形成在中间层和像素限定层的上面。在上述OLED显示器中，保护层由LiF形成。在上述OLED显示器中，第二电极和保护层具有形成在像素限定层上面的第一开口，第一开口与薄膜包封层的与像素限定层接触的至少一部分叠置。在上述OLED显示器中，薄膜包封层在第一开口处直接接触像素限定层。在上述OLED显示器中，薄膜包封层包括无机层和形成在无机层上面的有机层，其中，无机层在第一开口处接触像素限定层。在上述OLED显示器中，薄膜包封层包括交替堆叠的多个无机层和多个有机层。上述OLED显示器还包括：薄膜晶体管(TFT)，形成在基底的上面，薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极；栅极绝缘层，形成在有源层与栅电极之间；层间绝缘层，形成在栅电极与源电极和漏电极之间；通路层，形成在源电极和漏电极的上面。在上述OLED显示器中，基底包括被构造为弯曲的弯曲部分，其中，层间绝缘层和通路层具有形成在弯曲部分上面的第二开口。在上述OLED显示器中，薄膜包封层在第二开口处接触栅极绝缘层。在上述OLED显示器中，薄膜包封层在第二开口处与层间绝缘层和通路层的侧表面接触。在上述OLED显示器中，薄膜包封层包括无机层和形成在无机层上面的有机层，其中，无机层在第二开口处接触栅极绝缘层。另一方面是一种制造有机发光二极管(OLED)显示器的方法，所述方法包括：设置基底；在基底的上面形成薄膜晶体管(TFT)和通路层；在通路层的上面形成像素限定层；在通路层的上面形成OLED；在OLED的上面形成保护层，以覆盖像素限定层；形成密封OLED和保护层的薄膜包封层，以保护OLED免受环境影响。形成OLED的步骤包括：在邻近的像素限定层之间形成第一电极；在第一电极的上面形成中间层；在中间层和像素限定层的上面形成第二电极，其中，图案化形成第二电极和保护层，使得去除第二电极和保护层的与像素限定层接触的至少一部分，并在第二电极和保护层中形成第一开口。在上述方法中，保护层由LiF形成。在上述方法中，薄膜包封层在第一开口处接触像素限定层。在上述方法中，形成薄膜包封层的步骤包括：在保护层的上面形成无机层；在无机层的上面形成有机层，其中，无机层在第一开口处接触像素限定层。在上述方法中，基底包括被构造为弯曲的弯曲部分，其中，所述方法还包括：在设置基底的步骤之后，在基底的上面形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层的上面形成层间绝缘层；在层间绝缘层的上面形成通路层。在上述方法中，将层间绝缘层和通路层图案化形成为在弯曲部分处被部分地去除，使得在层间绝缘层和通路层中形成第二开口。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：基底；有机发光二极管，形成在所述基底的上面，并包括第一电极、形成在所述第一电极的上面的第二电极和置于所述第一电极与所述第二电极之间的中间层；像素限定层，形成在所述基底的上面并与所述有机发光二极管相邻；保护层，形成在所述第二电极的上面并被构造为保护所述有机发光二极管；以及薄膜包封层，形成在所述保护层的上面并密封所述有机发光二极管，以保护所述有机发光二极管免受环境影响，其中，所述薄膜包封层的至少一部分接触所述像素限定层。

【技术特征摘要】
2015.09.15 KR 10-2015-01305961.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：基底；有机发光二极管，形成在所述基底的上面，并包括第一电极、形成在所述第一电极的上面的第二电极和置于所述第一电极与所述第二电极之间的中间层；像素限定层，形成在所述基底的上面并与所述有机发光二极管相邻；保护层，形成在所述第二电极的上面并被构造为保护所述有机发光二极管；以及薄膜包封层，形成在所述保护层的上面并密封所述有机发光二极管，以保护所述有机发光二极管免受环境影响，其中，所述薄膜包封层的至少一部分接触所述像素限定层。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一电极形成在邻近的像素限定层之间，其中，所述中间层形成在所述第一电极的上面，其中，所述第二电极和所述保护层形成在所述中间层和所述像素限定层的上面。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述保护层由LiF形成。4.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二电极和所述保护层具有形成在所述像素限定层上面的第一开口，所述第一开口与所述薄膜包封层的与所述像素限定层接触的至少一部分叠置。5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中，所述薄膜包封层包括：无机层；以及有机层，形成在所述无机层的上面，其中，所述无机层在所述第一开口处接触所述像素限定层。6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述薄膜包封层包括交替堆叠的多个无机层和多个有机层。7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括：薄膜晶体管，形成在所述基底的上面，其中，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极；栅极绝缘层，形成在所述有源层与所述栅电极之间；层间绝缘层，形成在所述栅电极与所述源电极和所述漏电极之间；以及通路层，形成在所述源电极和所述漏电极的上面。8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中，所述基底包括被构造为弯曲的弯曲部分，其中，所述层间绝缘层和所述通路层具有形成在所述弯曲部分上面的第二开口。9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中，所述薄膜包封层在所述第二开口处接触所述栅极绝缘层。10.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中，所述薄膜包封层在所述第二开口处与所述层间绝缘层和所述通路层的侧表面接触。11...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐泰安，金基铉，朴注灿，薛英国，李弼锡，崔溱桓，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR