一种温度检测电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种温度检测电路，所述电路包括：电压调制单元和比较单元；所述比较单元的第一输入端与基准电压相连，第二输入端与所述电压调制单元的输出端相连，用于将所述电压调制单元输出的电压与所述基准电压进行比较，并根据比较结果产生控制指令，以控制所述电压调制单元进行电压调制，所述电压调制单元的输入端与所述比较单元的输出端相连，用于接收所述比较单元输出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改变输出电压，以使所述输出电压与所述基准电压逐次逼近，本实用新型专利技术实施例提供的温度检测电路提高了温度检测的精度。

Temperature detecting circuit

The utility model discloses a temperature detection circuit, the circuit comprises a voltage modulation unit and a comparison unit; the comparison unit the first input end is connected with the output reference voltage and the second input end of the voltage modulation unit is connected to the voltage for the voltage modulation unit and the output the reference voltage is compared, and generates a control instruction according to the results of the comparison of voltage modulation to control the voltage modulation unit, an input end of the voltage modulation unit and the comparison unit is connected for receiving the control instructions are unit output, and the output voltage is changed in the control of the control instruction next, in order to make the output voltage and the reference voltage of successive approximation, the temperature detection circuit provided by the embodiment of the utility model improves the precision of temperature detection.

【技术实现步骤摘要】
一种温度检测电路
本技术实施例涉及存储
，具体涉及一种温度检测电路。
技术介绍
非易失闪存介质(norflash/nandflash)是一种很常见的存储芯片，兼有随机存储器(RandomAccessMemory，RAM)和只读存储器(Read-OnlyMemory，ROM)的优点，数据掉电不会丢失，是一种可在系统进行电擦写的存储器，同时它的高集成度和低成本使它成为市场主流。flash芯片的制作工艺决定了其是一类对温度很敏感的芯片，芯片温度的变化会影响到芯片的编程或者擦除等与芯片存储功能密切相关的性能，因此flash芯片对温度检测的精度要求相对较高，有了精确的温度信息，flash芯片便可以根据目前的温度信息反馈给相应的电路做出温度补偿，以保证自身的存储等各项性能。因此，研发一种适用于flash芯片的高精度的温度检测电路显得意义重大。
技术实现思路
本技术提供一种温度检测电路，提高了温度检测的精度。本技术实施例提供了一种温度检测电路，该电路包括：电压调制单元和比较单元；其中，所述比较单元的第一输入端与基准电压相连，第二输入端与所述电压调制单元的输出端相连，用于将所述电压调制单元输出的电压与所述基准电压进行比较，并根据比较结果产生控制指令，以控制所述电压调制单元进行电压调制；所述电压调制单元的输入端与所述比较单元的输出端相连，用于接收所述比较单元输出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改变输出电压，以使所述输出电压与所述基准电压逐次逼近。进一步地，所述比较单元包括：比较器和逐次逼近寄存器；其中，所述比较器的第一输入端与所述基准电压相连，第二输入端与所述电压调制单元的输出端相连，输出端与所述逐次逼近寄存器的输入端相连，用于将所述电压调制单元输出的电压与所述基准电压进行比较，并将比较结果输出给所述逐次逼近寄存器；所述逐次逼近寄存器的输出端与所述电压调制单元的输入端相连，用于根据所述比较结果调整温度数字码，并将所述温度数字码输出给所述电压调制单元，以使所述电压调制单元根据所述温度数字码进行电压调制。进一步地，所述逐次逼近寄存器还用于根据所述比较结果直接输出相应的温度数字码。进一步地，所述电压调制单元包括：电压调制器和电阻串选择电路；其中，所述电压调制器与所述电阻串选择电路相连，用于为所述电阻串选择电路产生一个不会溢出的正向端调制电压；所述电阻串选择电路用于根据所述控制指令选择对应的电阻电压，以使所述电压调制单元的输出电压与所述基准电压逐次逼近。进一步地，所述电路还包括：基准电压产生单元，用于产生所述基准电压。示例性地，所述基准电压为flash芯片的一个随温度线性变化的电压。进一步地，所述电压还包括：放大单元，用于对所述随温度线性变化的电压进行放大。本技术实施例提供的一种温度检测电路包括：电压调制单元和比较单元，所述比较单元的第一输入端与基准电压相连，第二输入端与所述电压调制单元的输出端相连，用于将所述电压调制单元输出的电压与所述基准电压进行比较，并根据比较结果产生控制指令，以控制所述电压调制单元进行电压调制；所述电压调制单元的输入端与所述比较单元的输出端相连，用于接收所述比较单元输出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改变输出电压，以使所述输出电压与所述基准电压逐次逼近，通过该温度检测电路可以提高温度检测的精度。附图说明图1是本技术实施例一中的一种温度检测电路的结构示意图；图2是本技术实施例二中的一种温度检测电路的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。实施例一图1为本技术实施例一提供的一种温度检测电路的结构示意图，本实施例可适用于对flash芯片进行高精度的温度检测的情况。参见图1，本实施例提供的温度检测电路具体包括：比较单元110和电压调制单元120；其中，比较单元110的第一输入端与基准电压VBE相连，第二输入端与电压调制单元120的输出端相连，用于将电压调制单元120输出的电压与基准电压VBE进行比较，并根据比较结果产生控制指令，以控制电压调制单元120进行电压调制；电压调制单元120的输入端与比较单元110的输出端相连，用于接收比较单元110输出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改变输出电压，以使所述输出电压与基准电压VBE逐次逼近。本实施例提供的一种温度检测电路包括：电压调制单元和比较单元，所述比较单元的第一输入端与基准电压相连，第二输入端与所述电压调制单元的输出端相连，用于将所述电压调制单元输出的电压与所述基准电压进行比较，并根据比较结果产生控制指令，以控制所述电压调制单元进行电压调制；所述电压调制单元的输入端与所述比较单元的输出端相连，用于接收所述比较单元输出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改变输出电压，以使所述输出电压与所述基准电压逐次逼近，通过该温度检测电路可以提高温度检测的精度。实施例二图2为本技术实施例二提供的一种温度检测电路的结构示意图，本实施例在实施例一的基础上进行进一步优化，具体可以参见图2，所述电路具体包括：比较单元110和电压调制单元120；其中，比较单元110的第一输入端与基准电压VBE相连，第二输入端与电压调制单元120的输出端相连，用于将电压调制单元120输出的电压与基准电压VBE进行比较，并根据比较结果产生控制指令，以控制电压调制单元120进行电压调制；电压调制单元120的输入端与比较单元110的输出端相连，用于接收比较单元110输出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改变输出电压，以使所述输出电压与基准电压VBE逐次逼近；进一步地，比较单元110包括：比较器111和逐次逼近寄存器112；其中，比较器111的第一输入端与基准电压VBE相连，第二输入端与电压调制单元120的输出端相连，输出端与逐次逼近寄存器112的输入端相连，用于将电压调制单元120输出的电压与基准电压VBE进行比较，并将比较结果输出给逐次逼近寄存器112；逐次逼近寄存器112的输出端与电压调制单元120的输入端相连，用于根据所述比较结果调整温度数字码，并将所述温度数字码输出给电压调制单元120，以使电压调制单元120根据所述温度数字码进行电压调制。进一步地，电压调制单元120包括：电压调制器121和电阻串选择电路122；其中，电压调制器121与电阻串选择电路122相连，用于为电阻串选择电路122产生一个不会溢出的正向端调制电压；所述不会溢出的正向端调制电压具体指电阻串选择电路122能够选择的最大电阻电压。电阻串选择电路122用于根据所述控制指令选择对应的电阻电压，以使电压调制单元120的输出电压与基准电压VBE逐次逼近；参见图2所示，电阻串选择电路122包括粗调制电阻串R11、R12、R13……R1(n-3)、R1(n-2)、R1(n-1)、R1n和细调制电阻串R21、R22、R23……R2(n-3)、R2(n-2)、R2(n-1)、R2n。电阻串选择电路122根据所述温度数字码选择对应的电阻电压，以使电压调制单元120的输出电压与基准电压VBE逐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种温度检测电路，其特征在于，包括：电压调制单元和比较单元；其中，所述比较单元的第一输入端与基准电压相连，第二输入端与所述电压调制单元的输出端相连，用于将所述电压调制单元输出的电压与所述基准电压进行比较，并根据比较结果产生控制指令，以控制所述电压调制单元进行电压调制；所述电压调制单元的输入端与所述比较单元的输出端相连，用于接收所述比较单元输出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改变输出电压，以使所述输出电压与所述基准电压逐次逼近。

【技术特征摘要】
1.一种温度检测电路，其特征在于，包括：电压调制单元和比较单元；其中，所述比较单元的第一输入端与基准电压相连，第二输入端与所述电压调制单元的输出端相连，用于将所述电压调制单元输出的电压与所述基准电压进行比较，并根据比较结果产生控制指令，以控制所述电压调制单元进行电压调制；所述电压调制单元的输入端与所述比较单元的输出端相连，用于接收所述比较单元输出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改变输出电压，以使所述输出电压与所述基准电压逐次逼近。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述比较单元包括：比较器和逐次逼近寄存器；其中，所述比较器的第一输入端与所述基准电压相连，第二输入端与所述电压调制单元的输出端相连，输出端与所述逐次逼近寄存器的输入端相连，用于将所述电压调制单元输出的电压与所述基准电压进行比较，并将比较结果输出给所述逐次逼近寄存器；所述逐次逼近寄存器的输出端与所述电压调制单元的输入端相连，用于根据所述比较结果...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓龙利，刘铭，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11