智能功率模块和空调器制造技术

本发明专利技术公开了一种智能功率模块，该模块包括：输入管脚；输出管脚；逆变电路，逆变电路的输入端与输入管脚相连，逆变电路的输出端与输出管脚相连，逆变电路包括多个功率开关MOSFET管以及分别与多个功率开关MOSFET管对应并联的多个续流MOSFET管，功率开关MOSFET管和续流MOSFET管均为MOSFET管，逆变电路用于将输入管脚输入的直流电逆变为交流电；驱动单元，驱动单元分别与多个功率开关MOSFET管的栅极相连，驱动单元用于驱动多个功率开关MOSFET管的导通和关断，以控制逆变电路进行逆变，从而，可以提高功率开关MOSFET管的开通速率，降低电流噪声，减小功率损耗，提高了产品的适用性，特别适用于具有超低功耗要求或者采用高频脉宽调制算法的电控系统。本发明专利技术还公开了一种空调器。

【技术实现步骤摘要】
智能功率模块和空调器
本专利技术涉及电器
，特别涉及一种智能功率模块以及具有该智能功率模块的空调器。
技术介绍
在相关技术中，智能功率模块把功率开关MOSFET管器件和高压驱动电路集成设置，以其高集成度、高可靠性等优势赢得越来越大的市场，尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源。如图1所示，相关技术中的智能功率模块，通常将功率开关MOSFET管器件IGBT管和用作续流作用的快恢复二极管FRD配合使用，为了减小功率开关MOSFET管器件对电能的损耗，需要提高IGBT管的开通速率以及选择正向压降较小的二极管。但是，其存在的问题是，IGBT管的开通速率提高会导致电流噪声增大，并且二极管的正向压降越小，电流噪声越大，电流噪声过大容易对电路系统造成干扰，引发电路误动作，甚至损坏电路系统。因此，相关技术需要进行改进。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种具有低电流噪声、低功率损耗的智能功率模块。本专利技术的另一个目的在于提出一种空调器。为达到上述目的，本专利技术一方面实施例提出的一种智能功率模块，包括：输入管脚；输出管脚；逆变电路，所述逆变电路的输入端与所述输入管脚相连，所述逆变电路的输出端与所述输出管脚相连，所述逆变电路包括多个功率开关MOSFET管以及分别与所述多个功率开关MOSFET管对应并联的多个续流MOSFET管，所述逆变电路用于将所述输入管脚输入的直流电逆变为交流电；驱动单元，所述驱动单元分别与所述多个功率开关MOSFET管的栅极相连，所述驱动单元用于驱动所述多个功率开关MOSFET管的导通和关断，以控制所述逆变电路进行逆变。根据本专利技术实施例提出的智能功率模块，逆变电路包括多个功率开关MOSFET管以及分别与多个功率开关MOSFET管并联的多个续流MOSFET管，驱动单元驱动多个功率开关MOSFET管的导通和关断，以控制逆变电路将输入管脚输入的直流电逆变为交流电。由此，本专利技术实施例的智能功率模块采用MOSFET管作为功率开关和续流，可以提高功率开关的开通速率，降低电流噪声，减小功率损耗，提高了产品的适用性。根据本专利技术的一个实施例，所述智能功率模块包括：PFC输出管脚，所述PFC输出管脚与所述输入管脚相连；PFC输入管脚；功率因数校正PFC电路，所述功率因数校正PFC的输入端与所述PFC输入管脚相连，所述功率因数校正PFC的输出端与所述PFC输出管脚相连，所述功率因数校正PFC电路包括PFC功率开关MOSFET管和PFC续流MOSFET管，所述PFC功率开关MOSFET管和所述PFC续流MOSFET管均为MOSFET管，所述PFC功率开关MOSFET管的栅极与所述驱动单元相连，其中，所述驱动单元用于驱动所述PFC功率开关MOSFET管的导通和关断，以控制所述PFC电路进行功率因数校正。根据本专利技术的一个实施例，所述多个功率开关MOSFET管和所述PFC功率开关MOSFET管为碳化硅MOSFET管，所述多个续流MOSFET管和所述PFC续流MOSFET管为氮化稼MOSFET管。根据本专利技术的一个实施例，所述输入管脚包括第一输入管脚至第三输入管脚，所述输出管脚包括第一输出管脚至第二输出管脚，所述多个功率开关MOSFET管包括第一MOSFET管至第四MOSFET管，所述多个续流MOSFET管包括第七MOSFET管至第十MOSFET管，其中，所述第一MOSFET管的漏极与所述第一输入管脚相连，所述第一MOSFET管的栅极与所述驱动单元相连，所述第二MOSFET管的漏极与所述第一MOSFET管的源极相连并具有第一节点，所述第二MOSFET管的源极与所述第二输入管脚相连，所述第二MOSFET管的栅极与所述驱动单元相连，其中，所述第一节点与所述第一输出管脚相连；所述第七MOSFET管的漏极与所述第一MOSFET管的漏极相连，所述第七MOSFET管的源极与栅极相连后与所述第一MOSFET管的源极相连；所述第八MOSFET管的漏极与所述第二MOSFET管的漏极相连，所述第八MOSFET管的源极与栅极相连后与所述第二MOSFET管的源极相连；所述第三MOSFET管的漏极与所述第一输入管脚相连，所述第三MOSFET管的栅极与所述驱动单元相连，所述第四MOSFET管的漏极与所述第三MOSFET管的源极相连并具有第二节点，所述第四MOSFET管的源极与所述第三输入管脚相连，所述第四MOSFET管的栅极与所述驱动单元相连，其中，所述第二节点与所述第二输出管脚相连；所述第九MOSFET管的漏极与所述第三MOSFET管的漏极相连，所述第就MOSFET管的源极与栅极相连后与所述第三MOSFET管的源极相连；所述第十MOSFET管的漏极与所述第四MOSFET管的漏极相连，所述第十MOSFET管的源极与栅极相连后与所述第四MOSFET管的源极相连。根据本专利技术的一个实施例，所述输入管脚还包括第四输入管脚，所述输出管脚还包括第三输出管脚，所述多个功率开关MOSFET管还包括第五MOSFET管至第六MOSFET管，所述多个续流MOSFET管还包括第十一MOSFET管至第十二MOSFET管，其中，所述第五MOSFET管的漏极与所述第一输入管脚相连，所述第五MOSFET管的栅极与所述驱动单元相连，所述第六MOSFET管的漏极与所述第五MOSFET管的源极相连并具有第三节点，所述第六MOSFET管的源极与所述第四输入管脚相连，所述第六MOSFET管的栅极与所述驱动单元相连，其中，所述第三节点与所述第三输出管脚相连；所述第十一MOSFET管的漏极与所述第五MOSFET管的漏极相连，所述第十一MOSFET管的源极与栅极相连后与所述第五MOSFET管的源极相连；所述第十二MOSFET管的漏极与所述第六MOSFET管的漏极相连，所述第十二MOSFET管的源极与栅极相连后与所述第六MOSFET管的源极相连。根据本专利技术的一个实施例，所述驱动单元通过多个第一驱动电阻与所述多个功率开关MOSFET管的栅极对应相连。根据本专利技术的一个具体实施例，所述多个第一驱动电阻的取值范围可为0Ω至56Ω。根据本专利技术的一个实施例，所述PFC输出管脚包括第四输出管脚和第五输出管脚，所述PFC功率开关MOSFET管包括第十三MOSFET管，所述PFC续流MOSFET管包括第十四MOSFET管，其中，所述第十四MOSFET管的漏极与所述第四输出管脚相连，所述第十四MOSFET管的源极与栅极相连；所述第十三MOSFET管的漏极与所述第十四MOSFET管的源极相连并具有第四节点，所述第十三MOSFET管的源极与所述第五输出管脚相连，所述第十三MOSFET管的栅极与所述驱动单元相连，其中，所述第四节点与所述PFC输入管脚相连。根据本专利技术的一个实施例，所述驱动单元通过第二驱动电阻与所述PFC功率开关MOSFET管的栅极相连。根据本专利技术的一个实施例，所述第二驱动电阻的取值范围可为0Ω至56Ω。为达到上述目的，本专利技术另一方面实施例提出的一种空调器，包括所述的智能功率模块。根据本专利技术实施例提出的空调器，通过上述智能功率模块，可以提高功率开关的开通速率，降低电流噪声，减小功率损耗，提高了产品的适用性。附图说明图1是相关技术中的智能功率模块的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种智能功率模块，其特征在于，包括：输入管脚；输出管脚；逆变电路，所述逆变电路的输入端与所述输入管脚相连，所述逆变电路的输出端与所述输出管脚相连，所述逆变电路包括多个功率开关MOSFET管以及分别与所述多个功率开关MOSFET管对应并联的多个续流MOSFET管，所述逆变电路用于将所述输入管脚输入的直流电逆变为交流电；驱动单元，所述驱动单元分别与所述多个功率开关MOSFET管的栅极相连，所述驱动单元用于驱动所述多个功率开关MOSFET管的导通和关断，以控制所述逆变电路进行逆变。

【技术特征摘要】
1.一种智能功率模块，其特征在于，包括：输入管脚；输出管脚；逆变电路，所述逆变电路的输入端与所述输入管脚相连，所述逆变电路的输出端与所述输出管脚相连，所述逆变电路包括多个功率开关MOSFET管以及分别与所述多个功率开关MOSFET管对应并联的多个续流MOSFET管，所述逆变电路用于将所述输入管脚输入的直流电逆变为交流电；驱动单元，所述驱动单元分别与所述多个功率开关MOSFET管的栅极相连，所述驱动单元用于驱动所述多个功率开关MOSFET管的导通和关断，以控制所述逆变电路进行逆变。2.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，包括：PFC输出管脚，所述PFC输出管脚与所述输入管脚相连；PFC输入管脚；功率因数校正PFC电路，所述功率因数校正PFC的输入端与所述PFC输入管脚相连，所述功率因数校正PFC的输出端与所述PFC输出管脚相连，所述功率因数校正PFC电路包括PFC功率开关MOSFET管和PFC续流MOSFET管，所述PFC功率开关MOSFET管的栅极与所述驱动单元相连，其中，所述驱动单元用于驱动所述PFC功率开关MOSFET管的导通和关断，以控制所述PFC电路进行功率因数校正。3.根据权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述多个功率开关MOSFET管和所述PFC功率开关MOSFET管为碳化硅MOSFET管，所述多个续流MOSFET管和所述PFC续流MOSFET管为氮化稼MOSFET管。4.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述输入管脚包括第一输入管脚至第三输入管脚，所述输出管脚包括第一输出管脚至第二输出管脚，所述多个功率开关MOSFET管包括第一MOSFET管至第四MOSFET管，所述多个续流MOSFET管包括第七MOSFET管至第十MOSFET管，其中，所述第一MOSFET管的漏极与所述第一输入管脚相连，所述第一MOSFET管的栅极与所述驱动单元相连，所述第二MOSFET管的漏极与所述第一MOSFET管的源极相连并具有第一节点，所述第二MOSFET管的源极与所述第二输入管脚相连，所述第二MOSFET管的栅极与所述驱动单元相连，其中，所述第一节点与所述第一输出管脚相连；所述第七MOSFET管的漏极与所述第一MOSFET管的漏极相连，所述第七MOSFET管的源极与栅极相连后与所述第一MOSFET管的源极相连；所述第八MOSFET管的漏极与所述第二MOSFET管的漏极相连，所述第八MOSFET管的源极与栅极相连后与所述第二MOSFET管的源极相连；所述第三MOSFET管的漏极与所述第一输入管脚相连，所述第三MOSFET管的栅极与所述驱动单元相连，所述第四MOSFET管的漏极与所述第三MOSFET管的源极相连并具有第二节点，所述第四MOSFET管的源极与所述第三输入管...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏调兴，冯宇翔，
申请(专利权)人：广东美的制冷设备有限公司，美的集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44