【技术实现步骤摘要】
固态摄像器件和电子装置本申请是申请日为2014年5月9日、专利技术名称为“固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法以及电子装置”的申请号为201480011582.1的专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请包含于2013年5月16日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP2013-104000的公开内容相关的主题,在这里将该在先申请的全部内容以引用的方式并入本文。
本专利技术涉及包括例如在半导体基板中的光电二极管的固态摄像器件,还涉及所述固态摄像器件的制造方法以及含有所述固态摄像器件的电子装置。
技术介绍
诸如COMS(互补金属氧化物半导体)图像传感器等的固态摄像器件是由类似于CMOS集成电路的工艺制造的。这种固态摄像器件包括其中二维地排列有多个像素的像素阵列部。另外,通过在采用上述工艺的同时使用小型化技术,这种固态摄像器件能够容易地形成对于每个像素具有放大功能的有源结构。另外,这种固态摄像器件的优点在于:包括诸如用于驱动像素阵列部的驱动电路以及用于对来自每个像素的输出信号进行处理的信号处理电路等电路的周边电路部集成在与形成有像素的芯片(基板)相同的芯片(基板)上。因此,CMOS图像传感器已经获得了越来越多的关注,并且已经对CMOS图像传感器进行了许多研究和开发。近年来,针对这种CMOS图像传感器,已经提出了一种固态摄像器件,其中,在一个像素中,三个光电二极管沿垂直方向层叠设置,这三个光电二极管用于分别对具有R、G和B各自波长的光进行光电转换(例如,专利文献1)。另外,已经提出了其中两个光电二极管在一个像素中层叠设置的结构(例如,专利文献2)。在这些固态摄 ...
【技术保护点】
一种固态摄像器件,其包括:半导体基板;光电转换层,所述光电转换层形成在所述半导体基板中;晶体管,所述晶体管具有栅极电极,所述栅极电极的至少一部分嵌入在所述半导体基板中;以及电荷传输层,所述电荷传输层被设置成与所述栅极电极的底部表面相邻;其中,所述光电转换层在所述半导体基板的深度方向上被形成在所述栅极电极的被嵌入的至少一部分的正上方,并且所述晶体管被构造用来经由所述栅极电极和所述电荷传输层从被形成在所述栅极电极的所述至少一部分的正上方的所述光电转换层读取信号电荷。
【技术特征摘要】
2013.05.16 JP 2013-1040001.一种固态摄像器件,其包括:半导体基板;光电转换层,所述光电转换层形成在所述半导体基板中;晶体管,所述晶体管具有栅极电极,所述栅极电极的至少一部分嵌入在所述半导体基板中;以及电荷传输层,所述电荷传输层被设置成与所述栅极电极的底部表面相邻;其中,所述光电转换层在所述半导体基板的深度方向上被形成在所述栅极电极的被嵌入的至少一部分的正上方,并且所述晶体管被构造用来经由所述栅极电极和所述电荷传输层从被形成在所述栅极电极的所述至少一部分的正上方的所述光电转换层读取信号电荷。2.根据权利要求1所述的固态摄像器件,其中,所述光电转换层是在所述半导体基板的深度方向上设置的多个光电转换层中的一个。3.根据权利要求1所述的固态摄像器件,其中,所述光电转换层具有第一导电类型,并且所述电荷传输层是连接至所述光电转换层的一部分的所述第一导电类型的杂质扩散层。4.根据权利要求2所述的固态摄像器件,其中,所述光电转换层具有第一导电类型,并且所述电荷传输层是连接至所述光电转换层的一部分的所述第一导电类型的杂质扩散层。5.根据权利要求1所述的固态摄像器件,其中,所述电荷传输层用作信号电荷的传输路径并且用作附加光电转换层。6.根据权利要求2所述的固态摄像器件,其中,所述电荷传输层用作信号电荷的传输路径并且用作附加光电转换层。7.根据权利要求4所述的固态摄像器件,其中,所述电荷传输层用作信号电荷的传输路径并且用作附加光电转换层。8.根据权利要求1所述的固态摄像器件,其中,所述栅极电极填充所述半导体基板中的凹部。9.根据权利要求2所述的固态摄像器件,其中,所述栅极电极填充所述半导体基板中的凹部。10.根据权利要求4所述的固态摄像器件,其中,所述栅极电极填充所述半导体基板中的凹部。11.根据权利要求1所述的固态摄像器件,其中,所述栅极电极填充所述半导体基板中的凹部,并且所述电荷传输层用作信号电荷到所述栅极电极的传输路径。12.根据权利要求2所述的固态摄像器件,其中,所述栅极电极填充所述半导体基板中的凹部,并且所述电荷传输层用作信号电荷到所述栅极电极的传输路径。13.根据权利要求4所述的固态摄像器件,其中,所述栅极电极填充所述半导体基板中的凹部,并且所述电荷传输层用作信号电荷到所述栅极电极的传输路径。14.根据权利要求8所述的固态摄像器件,其还包括:第二导电类型的暗电流抑制层,所述暗电流抑制层与所述凹部的底面和所述电荷传输层接触。15.根据权利要求9所述的固态摄像器件,其还包括:第二导电类型的暗电流抑制层,所述暗电流抑制层与所述凹部的底面和所述电荷传输层接触。16.根据权利要求10所述的固态摄像器件,其还包括:第二导电类型的暗电流抑制层,所述暗电流抑制层与所述凹部的底面和所...
【专利技术属性】
技术研发人员:中村良助,古闲史彦,渡部泰一郎,
申请(专利权)人:索尼公司,
类型:发明
国别省市:日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。