铝膜工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种铝膜工艺方法，适用于厚度不低于

【技术实现步骤摘要】
铝膜工艺方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是指一种针对厚度以上的铝膜工艺方法。
技术介绍
铝在半导体工艺中被广泛应用，比如形成金属互连线、各种极板等等。从导电性能的角度来看，铝的导电性要比铜和金差一些，但如果用铜代替铝，铜与铝的接触电阻很高，并且如果铜进入器件区将引起器件性能的灾难，而铝则不具有前述问题，因而成为一种很好的选择。它有足够低的电阻率，有很好的过电流密度，对二氧化硅有很好的粘附性，能形成很高的纯度，天然具备与硅的低接触电阻，易于图形化工艺等等。传统的铝膜湿法刻蚀是基于磷酸。现有厚铝(厚度以上)刻蚀工艺中由于刻蚀时间长，使用光刻胶厚，导致铝金属侧壁的聚合物(剩余的光刻胶)很厚，后续即使使用多次湿法和干法刻蚀都不能有效把聚合物去除干净，如图1所示，而造成金属腐蚀的因素之一的氯气Cl2,都隐藏在聚合物里面，铝腐蚀的反应原理为：Al+Cl2→AlCl3；AlCl3+H2O→Al(OH)3+Cl2.可以看出，上述反应式能反复循环进行，铝就一直被腐蚀下去。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种铝膜工艺方法，能完全去除聚合物，保护铝膜不会被腐蚀。本专利技术所述的铝膜工艺方法，适用于厚度不低于的铝膜，去除金属膜时去掉聚合物，再用湿法刻蚀加干法刻蚀将剩余聚合物完全去除。进一步地，去除金属膜采用氧气流和水剥离的方法。进一步地，去除金属膜时温度控制在230～270℃。进一步地，氧气流使用工艺参数为:压力2Torr,射频功率0W，氧气流量4000sccm，时间为20s；水剥离使用工艺参数为：压力2Torr，射频功率1400w，水蒸气流量500sccm，时间为60s。本专利技术所述的铝膜工艺方法，在金属膜剥离时去除聚合物，再用湿法刻蚀和干法刻蚀完全去除剩余的聚合物，能将聚合物去除干净，增加后续工艺腐蚀窗口。附图说明图1是铝金属膜聚合物残留的示意图，图中可见金属侧壁有聚合物残留。图2是使用本专利技术工艺后，金属膜侧壁聚合物被去除干净的示意图。具体实施方式本专利技术所述的铝膜工艺方法，适用于厚度不低于的厚铝膜，首先是去除金属膜时去掉聚合物，去除金属膜采用氧气流和水剥离的方法，温度控制在230～270℃，氧气流使用工艺参数为:压力2Torr,射频功率0W，氧气流量4000sccm，时间为20s；水剥离使用工艺参数为：压力2Torr，射频功率1400w，水蒸气流量500sccm，时间为60s。再用湿法刻蚀加干法刻蚀将剩余聚合物完全去除。如图2所示，经过上述工艺之后，金属铝膜侧壁的聚合物已经几乎被全部去除，金属侧壁保持干净，增加后续工艺的腐蚀窗口。以上仅为本专利技术的优选实施例，并不用于限定本专利技术。对于本领域的技术人员来说，本专利技术可以有各种更改和变化。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铝膜工艺方法，适用于厚度不低于

【技术特征摘要】
1.一种铝膜工艺方法，适用于厚度不低于的铝膜，其特征在于：去除金属膜时去掉聚合物，再用湿法刻蚀加干法刻蚀将剩余聚合物完全去除。2.如权利要求1所述的铝膜工艺方法，其特征在于：去除金属膜采用氧气流和水剥离的方法。3.如权利要求2所示的铝膜工艺方法，其特征在于：去除金属膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐鹏，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31