一种氯化钴电积工艺制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种氯化钴电积工艺
本专利技术涉及一种电积工艺，具体是一种氯化钴电积工艺。
技术介绍
氯化钴电积过程中，阴极生产电积钴，阳极放出氯气，大部分氯气经过吸收装置吸收后，再补充钴金属后再次进入电积液循环，补充金属离子分为两种方式，一是补加高浓度的氯化钴溶液，二是补加氯化钴晶体。但两种补加都有比较大的缺陷，第一种带来的是氯化钴溶液中有大量的水，为保证系统的体积平衡，要蒸发大量的水，第二中氯化钴晶体，水量相对较少，但蒸发氯化钴溶液得到氯化钴晶体一样需要蒸发大量的水，同时带来包装等成本因素。
技术实现思路
针对现有技术的上述不足，本专利技术提供了一种能有效降低生产成本的氯化钴电积工艺。本专利技术的技术方案是：一种氯化钴电积工艺，其特征在于：脱氯后的电积钴贫液加浓盐酸，配制反萃酸，负载的P507经过洗涤、反萃后，反萃后液与氯化钴晶体加入溶解槽后送至氯化钴电积电解槽，电解槽阴极生产电积钴，阳极放出氯气采用液碱吸收槽经液碱回收，电解槽的电贫液先搅拌升温脱氯，脱氯温度为85℃，再采用醇类溶液还原处理电贫液残存氯气，脱除控制残氯含量≦0.001g/L；脱氯后的电积钴贫液返回配制反萃酸循环使用。首先是电积贫液在搅拌槽中搅拌升温，搅拌槽配置有抽风装置；选择醇类还原剂，加入到溶液中，快速和氯气发生反应，残存还原剂不对电积贫液造成影响。本专利技术利用脱氯后钴电积贫液加入浓盐酸配制成新的反萃前液，同样经过反萃后，氯化钴溶液进入电积系统生产电积钴，减少了进入电积钴系统的水量，同时也减少了保存系统平衡的蒸发水量，降低了生产成本。生产氯化钴系统的氯气在电贫液脱氯部分以及电解部分均有效回收或吸收，避...
【技术保护点】
一种氯化钴电积工艺，其特征在于：萃取钴后的P507经洗涤、反萃，反萃后液与氯化钴晶体加入溶解槽后送至氯化钴电积电解槽，电解槽阴极生产电积钴，阳极放出氯气采用液碱吸收槽经液碱回收，电解槽的电贫液先搅拌升温脱氯，脱氯温度为85℃，再采用醇类溶液还原处理电贫液残存氯气，脱除控制残氯含量≦0.001g/L；脱氯后的电积钴贫液加浓盐酸配制反萃酸作P507反萃循环使用。
【技术特征摘要】
1.一种氯化钴电积工艺，其特征在于：萃取钴后的P507经洗涤、反萃，反萃后液与氯化钴晶体加入溶解槽后送至氯化钴电积电解槽，电解槽阴极生产电积钴，阳极放出氯气采用液碱吸收槽经液碱回收，...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜长福，伍一根，仲扣成，叶圣毅，
申请(专利权)人：江苏凯力克钴业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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