一种高硅硅钢片的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种高硅硅钢片的制作方法，涉及硅钢片生产技术领域，包括如下步骤：S1、取普通硅钢片；S2、在普通硅钢片表面涂硅层；S3、对涂层后的硅钢片进行高温扩散；S4、检测硅含量；S5、测试处理后的硅钢片的磁性能；本发明专利技术所公开的高硅硅钢片的制作方法，采用等离子化学气相沉积法在普通硅钢片表面涂硅层,温度低，时间短，工艺重现性好，表面光洁，化合物层可达10μm以上，并有非晶态形成，能满足0.1mm厚钢片达6.5％Si的要求，与相同底Si的无取向硅钢片相比，铁损P10/50降低50％以上，其它磁性能也大有改善。

【技术实现步骤摘要】
一种高硅硅钢片的制作方法
本专利技术涉及硅钢片生产
，特别是涉及一种高硅硅钢片的制作方法。
技术介绍
硅钢主要用做各种变压器和电机的铁芯，随着电子工业及自动化水平的迅速发展，要求变压器及电机在高频下使用，这样又会导致铁损呈指数函数增加，磁致伸缩增加，噪音加大，为了满足高频及逆变变压器对铁损小、导磁率高、磁致伸缩小的要求，研究发现，当硅含量为6.5％时，硅钢片厚度越薄其性能越佳，因此获取硅含量为6.5％的薄硅钢片是最佳选择，但普通硅钢片的硅含量只有1～3％，而随着硅钢片含硅量的增加，其加工性能会变坏，硅含量超过3.5％后，就无法再进行轧制，国内外材料科学工作者提出了用温轧法、快凝法、喷射成型法、化学气相沉积法来制作6.5％Si钢片，都存在一定缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了克服传统方法在硅含量超过3.5％后，无法进行轧制的缺陷，设计了一种高硅硅钢片的制作方法，温度低，时间短，工艺重现性好，表面光洁，磁性能大有改善。本专利技术所要求解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现：一种高硅硅钢片的制作方法，包括如下步骤：S1、取普通硅钢片；S2、在普通硅钢片表面涂硅层；S3、对涂层后的硅钢片进行高温扩散；S4、检测涂层厚度、硅含量；S5、测试处理后的硅钢片的磁性能；所述普通硅钢片采用艾卜斯坦标准试样，即尺寸为(0.1～0.3)×30×300(mm)，含Si量为2.7％～3.0％的无取向硅钢。所述涂层源采用纯度为99.0％的SiCl4，涂层时所采用的稀释气体为高纯度的H2及Ar气。所述涂层设备采用等离子化学气相沉积实验设备，其主要参数为：最大功率30kW，输出直流电流0～15A，输出直流电压0～3000V，真空室尺寸为500×900mm，极限真空度为2Pa，沉积压强30～300Pa，常用工作温度400～600℃。所述涂层在进行涂层厚度、增硅量及性能检测之前需要在氢气保护下进行高温扩散退火。所述硅涂层最表层为Fe-Si金属键化合物，往里为Si溶于α-Fe的固溶体，表层有非晶态出现，化合物层厚度超过10μm，对0.1mm厚底Si含量为3.0％的钢片，其增Si量可达1.5％以上，平均含Si量可达4.5％，约35μm厚的两表层其含硅量超过6.5％，磁性能即可达最佳。由于采用了以上技术方案，本专利技术具有如下优点：本专利技术所公开的高硅硅钢片的制作方法，采用等离子化学气相沉积法在普通硅钢片表面涂硅层,温度低，时间短，工艺重现性好，表面光洁，化合物层可达10μm以上，并有非晶态形成，能满足0.1mm厚钢片达6.5％Si的要求，与相同底Si的无取向硅钢片相比，铁损P10/50降低50％以上，其它磁性能也大有改善。具体实施方式为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面进一步阐述本专利技术。一种高硅硅钢片的制作方法，包括如下步骤：S1、取普通硅钢片；S2、在普通硅钢片表面涂硅层；S3、对涂层后的硅钢片进行高温扩散；S4、检测涂层厚度、硅含量；S5、测试处理后的硅钢片的磁性能；普通硅钢片采用艾卜斯坦标准试样，即尺寸为(0.1～0.3)×30×300(mm)，含Si量为2.7％～3.0％的无取向硅钢。涂层源采用纯度为99.0％的SiCl4，涂层时所采用的稀释气体为高纯度的H2及Ar气。涂层设备采用等离子化学气相沉积实验设备，其主要参数为：最大功率30kW，输出直流电流0～15A，输出直流电压0～3000V，真空室尺寸为500×900mm，极限真空度为2Pa，沉积压强30～300Pa，常用工作温度400～600℃。涂层在进行涂层厚度、增硅量及性能检测之前需要在氢气保护下进行高温扩散退火。硅涂层最表层为Fe-Si金属键化合物，往里为Si溶于α-Fe的固溶体，表层有非晶态出现，化合物层厚度超过10μm，对0.1mm厚底Si含量为3.0％的钢片，其增Si量可达1.5％以上，平均含Si量可达4.5％，约35μm厚的两表层其含硅量超过6.5％，磁性能即可达最佳。本专利技术所公开的高硅硅钢片的制作方法，采用等离子化学气相沉积法在普通硅钢片表面涂硅层,温度低，时间短，工艺重现性好，表面光洁，化合物层可达10μm以上，并有非晶态形成，能满足0.1mm厚钢片达6.5％Si的要求，与相同底Si的无取向硅钢片相比，铁损P10/50降低50％以上，其它磁性能也大有改善。以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高硅硅钢片的制作方法其特征在于，包括如下步骤：S1、取普通硅钢片；S2、在普通硅钢片表面涂硅层；S3、对涂层后的硅钢片进行高温扩散；S4、检测涂层厚度、硅含量；S5、测试处理后的硅钢片的磁性能；

【技术特征摘要】
1.一种高硅硅钢片的制作方法其特征在于，包括如下步骤：S1、取普通硅钢片；S2、在普通硅钢片表面涂硅层；S3、对涂层后的硅钢片进行高温扩散；S4、检测涂层厚度、硅含量；S5、测试处理后的硅钢片的磁性能；2.根据权利要求1所述一种高硅硅钢片的制作方法其特征在于：所述普通硅钢片采用艾卜斯坦标准试样，即尺寸为(0.1～0.3)×30×300(mm)，含Si量为2.7％～3.0％的无取向硅钢。3.根据权利要求1所述一种高硅硅钢片的制作方法其特征在于：所述涂层源采用纯度为99.0％的SiCl4，涂层时所采用的稀释气体为高纯度的H2及Ar气。4.根据权利要求1所述一种高硅硅钢片的制作方法其特征在于：所述涂层设备采用等离子化学气相沉积实验设备，其主要参数为：...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭庆生，
申请(专利权)人：安徽中龙节能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34