显示面板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置。显示面板包括阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板上设置有下层电极和上层狭缝电极，所述彩膜基板上设置有附加电极，所述附加电极位于各上层狭缝电极间隙的上方，用于与所述上层狭缝电极形成驱动彩膜基板附近液晶偏转的附加电场。对于实现相同的透过率、响应时间和视角，本发明专利技术实施例的驱动电压仅为现有显示面板驱动电压的80％，有效降低了驱动电压。显示面板驱动电压的降低，不仅可以降低显示面板的功耗，而且提高了GOA电路以及相关芯片的使用可靠性。

Display panel, method for producing the same, and display device

The embodiment of the invention provides a display panel, a preparation method thereof and a display device. The display panel includes an array substrate and a color film substrate and the array substrate is arranged on the lower electrode and the upper electrode slit, the color film substrate is arranged on the auxiliary electrode, the upper part of the auxiliary electrode located in the upper slit electrode gap, and for the upper slit electrode is formed of an electric field near the liquid crystal driving color film substrate deflection. For achieving the same transmittance, response time and viewing angle, the driving voltage of the embodiment of the present invention is only 80% of the driving voltage of the existing display panel, thereby effectively reducing the driving voltage. The reduction of the driving voltage of the display panel not only reduces the power consumption of the display panel, but also improves the reliability of the GOA circuit and related chips.

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)具有体积小，功耗低，无辐射等特点，近年来得到迅速发展，在当前的平板显示器市场中占据主导地位。TFT-LCD的主体结构为液晶显示面板，液晶显示面板包括对盒的薄膜晶体管阵列(ThinFilmTransistor，TFT)基板和彩膜(ColorFilter，CF)基板，液晶(LiquidCrystal，LC)分子填充在阵列基板和彩膜基板之间，通过控制公共电极和像素电极来形成驱动液晶偏转的电场，实现灰阶显示。目前，TFT-LCD按照显示模式可以分为：扭曲向列(TwistedNematic，TN)型、平面转换(InPlaneSwitching，IPS)型和高级超维场转换(AdvancedSuperDimensionSwitch，ADS)型。其中，ADS模式液晶显示器因具备广视角、高开口率、高穿透率、高分辨率、响应速度快、低功耗、低色差等优点而得到广泛的应用，成为液晶显示领域的重要技术之一。图1为现有技术ADS模式液晶显示面板的结构示意图。如图1所示，现有ADS模式液晶显示面板的主体结构包括对盒(CELL)而成的阵列基板10和彩膜基板20，液晶30填充在阵列基板10和彩膜基板20之间，阵列基板10包括基板11以及依次形成的公共电极12、绝缘层13和像素电极14，公共电极12用于提供公共电压信号，像素电极14用于提供显示用像素电压信号，公共电极12与像素电极14之间形成的电场控制液晶的偏转；彩膜基板20包括基板以及形成在基板上的彩膜层，彩膜层用于实现彩色显示。ADS模式显示面板的工作原理是狭缝电极层与板状电极层之间产生的多维电场，驱动液晶偏转。图2为图1所示结构形成多维电场的示意图。如图2所示，对于最大亮度对应的液晶排布，接近阵列基板的液晶由于靠近电场，驱动液晶偏转的驱动力较大，液晶偏转正常，而接近彩膜基板的液晶由于远离电场，使液晶处于有效电场的控制弱区，液晶偏转速度慢且偏转程度不足。为了保证接近彩膜基板的区域具有驱动液晶有效偏转的电场，业界通常采用增加显示面板驱动电压的解决方法。经本申请专利技术人研究发现，现有技术这种增加驱动电压的解决方式极大地增加了显示面板的功耗。此外，随着120HZ及阵列基板行驱动GOA(GateICOnArray)等技术的引入，增加驱动电压会影响相关电路/芯片的使用可靠性。因此，降低显示面板的驱动电压，成为新产品开发需要解决的技术问题之一。
技术实现思路
本专利技术实施例所要解决的技术问题是提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，以降低显示面板的驱动电压。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种显示面板，包括阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板上设置有下层电极和上层狭缝电极，所述彩膜基板上设置有附加电极，所述附加电极位于各上层狭缝电极间隙的上方，用于与所述上层狭缝电极形成驱动彩膜基板附近液晶偏转的附加电场。可选地，所述附加电极的宽度为0.5～0.8μm，宽度/像素间距比为5～10％。可选地，所述附加电极的像素间距与所述上层狭缝电极的像素间距相同。可选地，所述上层狭缝电极为像素电极，所述附加电极为施加公共电压的条状透明电极；或，所述上层狭缝电极为公共电极，所述附加电极为施加像素电压的条状透明电极。可选地，所述彩膜基板包括基板以及在所述基板上依次形成的黑矩阵、彩膜层和平坦层，所述附加电极设置在所述平坦层上；或者，所述附加电极设置在所述彩膜层上，或者，所述附加电极设置在所述基板上。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例还提供了一种显示面板的制备方法，包括：制备包括附加电极的彩膜基板，所述附加电极用于与阵列基板的上层狭缝电极形成驱动彩膜基板附近液晶偏转的附加电场；所述彩膜基板与阵列基板对盒。可选地，所述制备包括附加电极的彩膜基板包括：在基板上依次形成黑矩阵、彩膜层和平坦层；通过构图工艺在所述平坦层上形成附加电极；或者，在基板上依次形成黑矩阵和彩膜层；通过构图工艺在所述彩膜层上形成附加电极；在形成所述附加电极的基板上形成平坦层；或者，通过构图工艺在基板上形成黑矩阵和附加电极；在形成所述黑矩阵和附加电极的基板上依次形成彩膜层和平坦层。可选地，所述通过构图工艺在基板上形成黑矩阵和附加电极包括：在基板上依次沉积透明导电层和树脂层，并在树脂层上涂布光刻胶；采用灰度掩膜板或半色调掩膜板对光刻胶层进行阶梯曝光并显影，在黑矩阵位置保留第一厚度的光刻胶，在附加电极位置保留第二厚度的光刻胶，其余位置无光刻胶，第一厚度大于第二厚度；刻蚀掉无光刻胶位置的树脂层和透明导电层；通过灰化工艺去除第二厚度的光刻胶，暴露出附加电极位置的树脂层；刻蚀掉暴露出的树脂层，剥离光刻胶后形成附加电极和黑矩阵。可选地，所述附加电极为条状透明电极，所述附加电极的宽度w为0.5～0.8μm，宽度/像素间距比为5～10％，所述附加电极的像素间距与所述上层狭缝电极的像素间距相同。本专利技术实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，通过在彩膜基板上设置附加电极，彩膜基板的附加电极与阵列基板的上层狭缝电极之间形成附加电场，附加电场有效增加了彩膜基板附近区域的横向电场强度，使得彩膜基板附近区域的液晶在该附加电场的驱动下，偏转速度加快，实现了正常偏转。对于实现相同的透过率、响应时间和视角，本专利技术实施例的驱动电压仅为现有显示面板驱动电压的80％，有效降低了驱动电压。显示面板驱动电压的降低，不仅可以降低显示面板的功耗，而且提高了GOA电路以及相关芯片的使用可靠性。当然，实施本专利技术的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。图1为现有技术ADS模式液晶显示面板的结构示意图；图2为图1所示结构形成多维电场的示意图；图3为本专利技术显示面板第一实施例的结构示意图；图4为图3所示结构形成多维电场的示意图；图5为本专利技术第一实施例与现有结构驱动电压仿真结果图；图6为本专利技术第一实施例制备方法的流程图；图7为本专利技术第二实施例彩膜基板的结构示意图；图8为本专利技术第三实施例彩膜基板的结构示意图；图9a-图9e为本专利技术第三实施例形成黑矩阵和附加电极的示意图；图10为本专利技术显示面板第四实施例的结构示意图。附图标记说明:10—阵列基板；20—彩膜基板；30—液晶；40—附加电极；11—基板；12—公共电极；13—绝缘层；14—像素电极；21—基板；22—彩膜结构层；201—黑矩阵；202—彩膜层；203—平坦层；300—光刻胶；301—透明导电层；302—树脂层。具体实施方式下面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，包括阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板上设置有下层电极和上层狭缝电极，其特征在于，所述彩膜基板上设置有附加电极，所述附加电极位于各上层狭缝电极间隙的上方，用于与所述上层狭缝电极形成驱动彩膜基板附近液晶偏转的附加电场。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包括阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板上设置有下层电极和上层狭缝电极，其特征在于，所述彩膜基板上设置有附加电极，所述附加电极位于各上层狭缝电极间隙的上方，用于与所述上层狭缝电极形成驱动彩膜基板附近液晶偏转的附加电场。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述附加电极的宽度为0.5～0.8μm，宽度/像素间距比为5～10％。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述附加电极的像素间距与所述上层狭缝电极的像素间距相同。4.根据权利要求1～3任一所述的显示面板，其特征在于，所述上层狭缝电极为像素电极，所述附加电极为施加公共电压的条状透明电极；或，所述上层狭缝电极为公共电极，所述附加电极为施加像素电压的条状透明电极。5.根据权利要求1～3任一所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括基板以及在所述基板上依次形成的黑矩阵、彩膜层和平坦层，所述附加电极设置在所述平坦层上；或者，所述附加电极设置在所述彩膜层上，或者，所述附加电极设置在所述基板上。6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～5任一所述的显示面板。7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：制备包括附加电极的彩膜基板，所述附加电极用于与阵列基板的上层狭缝电极形成驱动彩膜基板附近液晶偏转的附加电场；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓吉，朴正淏，金在光，李哲，崔晓晨，赵彦礼，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11