【技术实现步骤摘要】
一种Al-Si合金复合变质工艺
本专利技术涉及金属处理
,尤其涉及一种Al-Si合金复合变质工艺。
技术介绍
Sr作为共晶Al-Si合金的长效变质剂,得到了广泛的应用,因其变质共晶组织的特点与Na变质相似,故普遍认为Sr的变质作用与Na相似。哈尔滨工业大学的刘启阳等人采用引入单晶籽晶的方法,考察Sr对Si相外延生长的影响,检测Sr在Si晶表面的吸附,探讨了Sr的变质机理。发现Sr变质使单晶籽晶基底上外延长出的初晶板块数量减少,即减少了活性基底的数目,说明“毒化”了部分活性基底,使其失去作为有效基底的作用,可见,Sr变质影响Si相的形核,能使Si晶胚“毒化”而失去其作为晶核的作用。他们发现{111}Si和{100}Si上均有Sr的吸附,所以在共晶生长时,Si相的生长面{111}Si吸附Sr后阻碍Si相的生长,产生变质现象。Sr在Si相表面的吸附是物理吸附,吸附有一个饱和值,达到这个值即起完全变质作用。对于Sr对P变质的毒化,起初认为是Sr破坏了A1P粒子的结构,生成了新的相,左敏博士发现在700℃下加入Sr的Al-Si合金中,A1P并没有与Sr反应,而毒化现象依旧。这说明,因A1P与Si晶格极其相似,Sr仍可能是吸附在A1P粒子的表面使其失去作为晶核的作用。因此,实现P、Sr复合变质的关键,应是避免Al-Si熔体中A1P与Sr的接触。于是较为简便的是:先加入含P变质剂,降低温度,使Si相包住AlP粒子,再加入Sr。但是这种方式的效果并不明显,原因是新的有效晶核不再出现,从熔体中析出的Si使原有的晶核长大,同样出现毒化现象。
技术实现思路
本专利技术的目的在 ...
【技术保护点】
一种Al‑Si合金复合变质工艺,其采用高硅Al‑Si合金锭和低硅Al‑Si合金锭,其中高硅Al‑Si合金锭硅含量和低硅Al‑Si合金锭硅含量与所述Al‑Si合金硅含量的差值的绝对值相等,其包括:(1)将高硅Al‑Si合金锭在加热设备中加热到760‑800℃形成熔体,并将低硅Al‑Si合金锭在另一加热设备中加热到700‑740℃形成熔体,并分别保温;(2)对高硅Al‑Si合金熔体进行P变质,对低硅Al‑Si合金熔体进行Sr变质;(3)将变质后的高硅Al‑Si合金熔体、低硅Al‑Si合金锭分别冷却到660℃以下后,将高硅Al‑Si合金熔体与低硅Al‑Si合金熔体等比例混合;(4)将混合熔体浇入模具内得到Al‑Si合金锭。
【技术特征摘要】
1.一种Al-Si合金复合变质工艺,其采用高硅Al-Si合金锭和低硅Al-Si合金锭,其中高硅Al-Si合金锭硅含量和低硅Al-Si合金锭硅含量与所述Al-Si合金硅含量的差值的绝对值相等,其包括:(1)将高硅Al-Si合金锭在加热设备中加热到760-800℃形成熔体,并将低硅Al-Si合金锭在另一加热设备中加热到700-740℃形成熔体,并分别保温;(2)对高硅Al-Si合金熔体进行P变质,对低硅Al-Si合金熔体进行Sr变质;(3)将变质后的高硅Al-Si合金熔体、低硅Al-S...
【专利技术属性】
技术研发人员:张达明,
申请(专利权)人:无锡市明盛强力风机有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。