一种掺杂型InSb薄膜、其制备方法及InSb磁敏器件技术

本发明专利技术公开了一种掺杂型InSb薄膜、其制备方法及InSb磁敏器件，可改善InSb磁敏器件的温度效应，性能稳定。一种掺杂型InSb薄膜，InSb薄膜内掺杂有Te，所述Te的掺杂浓度大于或等于1×10

Doped type InSb film, preparation method thereof and InSb magnetic sensitive device

The invention discloses a doped type InSb film, a preparation method thereof and a InSb magnetic sensitive device, which can improve the temperature effect of the InSb magnetic sensitive device and have stable performance. A doped InSb film, doped with Te in the InSb film, has a concentration greater than or equal to 1 * 10 of the Te

【技术实现步骤摘要】
一种掺杂型InSb薄膜、其制备方法及InSb磁敏器件
本专利技术属于半导体薄膜领域，特别涉及一种掺杂型InSb薄膜、其制备方法及具有该掺杂型InSb薄膜的InSb磁敏元件。
技术介绍
由InSb薄膜制备的InSb磁敏器件具有成本低、高效、灵敏度高的优点，目前已被广泛使用。现有技术中，InSb薄膜中In原子和Sb原子的个数比为1:1，杂质含量较少，在-40~+80℃的工作温度区间内，由于InSb材料的本征载流子浓度随温度变化指数式增加，这会导致InSb磁敏器件的性能产生明显的温度效应，磁敏器件的阻值随工作温度变化，性能不稳定。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种掺杂型InSb薄膜、其制备方法及InSb磁敏器件，可改善InSb磁敏器件的温度效应，性能稳定。本专利技术采用的一种技术方案为：一种掺杂型InSb薄膜，InSb薄膜内掺杂有Te。优选地，所述Te的掺杂浓度大于或等于1×1017/cm3。优选地，所述Te的掺杂源为In-Te合金。更优选地，所述In-Te合金中Te的含量为1×1019~1×1021/cm3。优选地，所述InSb薄膜的掺杂杂质由Te组成。本专利技术采用的另一技术方案为：一种掺杂型InSb薄膜的制备方法，采用In源、Sb源、In-Te合金源三个蒸发源，热蒸发制得所述掺杂型InSb薄膜。优选地，所述In-Te合金中Te的含量为1×1019~1×1021/cm3。优选地，所述In源的温度为850~950℃，所述Sb源的温度为500~600摄氏度，所述In-Te合金源的温度为550~650摄氏度。优选地，制得的所述InSb薄膜中Te的掺杂浓度大于或等于1×1017/cm3。本专利技术采用的又一技术方案为：一种具有所述的掺杂型InSb薄膜的InSb磁敏器件。本专利技术采用以上方案，相比现有技术具有如下优点：在InSb薄膜中掺杂杂质Te，Te在InSb中呈明显的施主效应，Te原子将释放出与其替代的Sb原子同等数量的电子，在-40~+80℃的工作温度区间内，掺杂Te原子的InSb薄膜的载流子浓度将不随温度变化，从而改善磁敏器件的温度效应，使其性能较为稳定。附图说明附图1为本专利技术的掺杂型InSb薄膜制备的蒸发示意图。上述附图中，1、In源；2、Sb源；3、In-Te合金源；4、InSb薄膜。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域的技术人员理解。本专利技术中，In指铟原子，Sb指锑原子，Te指碲原子。本实施例提供一种掺杂型InSb薄膜以及具有这种掺杂型InSb薄膜的InSb磁敏器件，该InSb薄膜内掺杂有Te作为施主杂质，所述Te的掺杂浓度大于或等于1×1017/cm3。实验证明，杂质Te在InSb中呈明显的施主效应，Te原子替代Sb原子后将释放出同等数量的电子。由于该InSb薄膜中Te施主杂质的浓度等于或高于1×1017/cm3，因而在-40~+80℃的工作温度区间内，该InSb薄膜中的载流子浓度将不随随度变化，从而改善InSb薄膜以及由该薄膜制备的InSb磁敏器件，性能较为稳定。其中，所述Te的掺杂源为In-Te母合金。In-Te母合金中Te的含量为1×1019~1×1021/cm3，优选为1×1020/cm3左右。所述InSb薄膜的掺杂杂质由Te组成，即该InSb薄膜中仅掺杂Te，而不包含其它杂质。所述掺杂型InSb薄膜的制备方法，包括：采用In源1、Sb源2、In-Te合金源3作为三个蒸发源，热蒸发制得所述掺杂型InSb薄膜4，如附图1所示。配置In-Te合金作为杂质蒸发源（InTe合金源），且其中Te的含量为1×1019~1×1021/cm3，优选为1×1020/cm3左右。所述In源的温度为850~950℃，所述Sb源的温度为500~600摄氏度，所述In-Te合金源的温度为550~650摄氏度。通过测厚仪精确控制In源、Sb源以及In-Te合金源的蒸发速率。制得的所述InSb薄膜中Te的掺杂浓度大于或等于1×1017/cm3。上述实施例只为说明本专利技术的技术构思及特点，是一种优选的实施例，其目的在于熟悉此项技术的人士能够了解本专利技术的内容并据以实施，并不能以此限定本专利技术的保护范围。凡根据本专利技术的精神实质所作的等效变换或修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掺杂型InSb薄膜，其特征在于：InSb薄膜内掺杂有Te。

【技术特征摘要】
1.一种掺杂型InSb薄膜，其特征在于：InSb薄膜内掺杂有Te。2.根据权利要求1所述的掺杂型InSb薄膜，其特征在于：所述Te的掺杂浓度大于或等于1×1017/cm3。3.根据权利要求1所述的掺杂型InSb薄膜，其特征在于：所述Te的掺杂源为In-Te合金。4.根据权利要求3所述的掺杂型InSb薄膜，其特征在于：所述In-Te合金中Te的含量为1×1019~1×1021/cm3。5.根据权利要求1-4中任一项所述的掺杂型InSb薄膜，其特征在于：所述InSb薄膜的掺杂杂质由Te组成。6.一种掺杂型InSb薄膜的制备方法，其特征在于：采用In源、Sb源、In-Te合金源三个蒸发源，...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞振中，马可军，郑律，
申请(专利权)人：江苏森尼克电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32