一种减少晶圆离子损伤方法及离子发生器技术

本发明专利技术提供了一种减少晶圆离子损伤方法及离子发生器，应用于射频溅射的离子发生器，离子发生器包括一用于射频辐射的线圈，其中：将线圈的两端接地；线圈提供一馈入点，馈入点设置于线圈的两端之间；提供一射频电源，连接馈入点；离子发生器的线圈于接通射频电源后，使生成的离子均匀的轰击晶圆的表面，以去除晶圆表面的氧化物。其技术方案的有益效果在于，可通过离子发射器将生成的离子均匀的发射于晶圆的氧化物表面，在氧化物去除的同时，还可有效的避免因为离子于射入晶圆表面不均进而造成晶圆中的离子损伤的缺陷。

Method for reducing wafer ion damage and ion generator

The present invention provides a method of reducing wafer ion damage and ion generator, ion generator used in RF sputtering, ion generator includes a coil, RF radiation including: both ends of the coil grounding coil; providing a feed point, between two feed point is arranged in the coil; provide a RF power connection feed point; ion generator coil connected to the RF power, the formation of the ion bombardment uniform wafer surface to remove the oxide on the surface of the wafer. The beneficial effects of the technical scheme, the oxide surface can be generated by ion emitter ion emission in uniform wafer, the oxide removal at the same time, also can effectively avoid the defects on the wafer surface because the ion incident caused by uneven ion damage in the wafer.

【技术实现步骤摘要】
一种减少晶圆离子损伤方法及离子发生器
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种减少晶圆离子损伤方法及离子发生器。
技术介绍
在IC产品的晶圆的制作过程中，需要经过一系列的工序最终制成IC产品，其中在进入金属物理沉积工序之前，需要去除晶圆表面的氧化物，而去除晶圆表面的氧化物时需要采用溅射技术，其主要利用离子发生器发射一定能量的粒子轰击固体表面即晶圆表面的氧化物，氧化物表面的原子或分子获得足够大的能量而最终逸出固体表面已到达去除晶圆表面的氧化物；如图1所示，现有的离子发生器在对晶圆的表面的氧化物进行去除时，其发射的离子往往因为发射于晶圆表面离子分布不均，进而会造成晶圆内部的离子损伤。
技术实现思路
针对现有技术中对晶圆表面的氧化物去除时存在的上述问题，现提供一种旨在实现将离子均匀的发射于晶圆表面的氧化物上，于除去氧化物的同时有效的避免了因为发射离子不均造成晶圆内部离子损伤的减少晶圆离子损伤方法及离子发生器。具体技术方案如下：一种减少晶圆离子损伤方法，应用于射频溅射的离子发生器，所述离子发生器包括一用于射频辐射的线圈，其中：将所述线圈的两端接地；所述线圈提供一馈入点，所述馈入点设置于所述线圈的两端之间；提供一射频电源，连接所述馈入点；所述离子发生器的线圈于接通所述射频电源后，使生成的离子均匀的轰击所述晶圆的表面，以去除所述晶圆表面的氧化物。优选的，所述离子为带正电荷的惰性气体离子。优选的，所述带正电荷的惰性气体离子为氩离子。优选的，所述射频电源为交流电源。优选的，所述离子发生器发射的离子通过射频溅射的方式去除所述晶圆表面的氧化物。优选的，所述线圈通过抽头连接所述射频电源。还包括一种射频溅射离子发生器，包括一射频线圈线圈，其中，包括：所述线圈的两端接地；所述线圈的两端之间设置有一馈入点；射频电源线连接所述馈入点；所述离子发生器用以在所述线圈接通所述电源后，将生成的离子均匀的轰击所述晶圆表面，以去除所述晶圆表面的氧化物。优选的，所述离子为带正电荷的惰性气体离子。优选的，所述射频电源为交流电源。优选的，所述离子发生器发射的离子通过射频溅射的方式去除所述晶圆表面的氧化物。上述技术方案具有如下优点或有益效果：可通过离子发生器将生成的离子均匀的发射于晶圆的氧化物表面，在氧化物去除的同时，还可有效的避免因为离子于射入晶圆表面不均进而造成晶圆中的离子损伤的缺陷。附图说明参考所附附图，以更加充分的描述本专利技术的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本专利技术范围的限制。图1为本专利技术
技术介绍
中去除晶圆表面上的氧化物的示意图；图2为本专利技术一种减少晶圆离子损伤方法的实施例的流程示意图；图3为本专利技术一种减少晶圆离子损伤方法的实施例中，关于晶圆表面上的电磁场分布的示意图；图4为本专利技术一种离子发生器的实施例的结构示意图。上述说明书中附图标记表示：(1)、晶圆；(2)、线圈；(3)、射频电源；(21)、馈入点。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。本专利技术的技术方案中包括一种减少晶圆离子损伤方法。如图2所示，一种减少晶圆离子损伤方法的实施例，应用于射频溅射的离子发生器，离子发生器包括一用于射频辐射的线圈2，其特征在于：将线圈2的两端接地；线圈2提供一馈入点21，馈入点21设置于线圈2的两端之间；提供一射频电源3，连接馈入点21；离子发生器的线圈2于接通射频电源3后，使生成的离子均匀的轰击晶圆1的表面，以去除晶圆1表面的氧化物。如图2所示，可具体包括以下步骤：步骤S1、将线圈2的两端接地；步骤S2、线圈2提供一馈入点21，馈入点21设置于线圈2的两端之间；步骤S3、提供一射频电源3，连接馈入点21；步骤S4、离子发生器的线圈2于接通射频电源3后，使生成的离子均匀的轰击晶圆1的表面，以去除晶圆1表面的氧化物。现有技术中对晶圆1表面上的氧化物进行去除时，通常采用离子溅射技术，其具体是利用离子发生器发射一定能量的粒子轰击固体表面即晶圆1表面的氧化物，氧化物表面的原子或分子获得足够大的能量而最终逸出固体表面已到达去除晶圆1表面的氧化物，而现有的离子发生器的发射的离子均是通过不均匀的射入晶圆1表面的氧化物上，在去除氧化物同时，由于射入离子的不均进而离子会继续轰击晶圆1表面，从而造成晶圆1内部的离子损伤，本专利技术中通过将离子发生器的线圈2的两端接地，两端之间的馈入点21连接射频电源3，接通射频电源3之后的离子发生器；使发射的离子均匀的分布与晶圆1的表面上，以对晶圆1表面上的氧化物均匀的去除，避免了因为发射离子不均造成晶圆1内部离子损伤的减少晶圆1离子损伤的缺陷。其中采用中间馈入双向绕线的方式，两侧的绕线会产生一对相反的离子分布，进而可以将各自的离子分布强弱差异抵消，达到平衡离子分布；需要说明的是线圈2中馈入点21的位置，根据不同的离子发生器及腔室的差异，确定对应线圈中馈入点的位置。采用上述方法对晶圆1表面的氧化物去除后的晶圆1表面上的电磁场分布如图3所示。在一种较优的实施例中，离子为带正电荷的惰性气体离子。在一种较优的实施例中，带正电荷的惰性气体离子为氩离子。上述技术方案中，离子发生器发射的离子为带正电荷的惰性气体离子，本专利技术中优选为氩离子，但并不局限于氩离子。在一种较优的实施例中，射频电源3为交流电源。上述技术方案中，交流电源采用正负性发生周期交替，当晶圆1表面的氧化物处于正半周时，电子流向靶面即晶圆1表面的氧化物，中和晶圆1表面的氧化物表面积累的正电荷，并且积累电子，使其表面呈现负偏压，进而使射频电压的负半周时吸引正离子轰击晶圆1表面的氧化物，从而实现溅射。上述技术中，通过交流电接入线圈2的馈入点21使离子发生器形成的离子浓度分布均匀的射入晶圆1的表面上。在一种较优的实施例中，离子发生器发射的离子通过射频溅射的方式去除晶圆1表面的氧化物。在一种较优的实施例中，线圈2通过抽头连接射频电源3。本专利技术的技术方案中还包括一种离子发生器。如图4所示，一种离子发生器的实施例，包括一线圈2，其中，包括：线圈2的两端接地；线圈2的两端之间设置有一馈入点21；射频电源3连接馈入点21；离子发生器用以在线圈2接通射频电源3后，将生成的离子均匀的轰击晶圆1表面，以去除晶圆1表面的氧化物。上述技术方案中，通过将离子发生器的线圈2的两端接地，两端之间的馈入点21连接射频电源3，接通射频电源3之后的离子发生器，使发射的离子均匀的分布与晶圆1的表面上，以对晶圆1表面上的氧化物均匀的去除，避免了因为发射离子不均造成晶圆1内部离子损伤的减少晶圆1离子损伤的缺陷。在一种较优的实施例中，离子为带正电荷的惰性气体离子。在一种较优的实施例中，射频电源3为交流电源。在一种较优的实施例中，离子发生器发射的离子通过射频溅射的方式去除晶圆1表面的氧化物。以上所述仅为本专利技术较佳的实施例，并非因此限制本专利技术的实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减少晶圆离子损伤方法，应用于射频溅射的离子发生器，所述离子发生器包括一用于射频辐射的线圈，其特征在于：将所述线圈的两端接地；所述线圈提供一馈入点，所述馈入点设置于所述线圈的两端之间；提供一射频电源，连接所述馈入点；所述离子发生器的线圈于接通所述射频电源后，使生成的离子均匀的轰击所述晶圆的表面，以去除所述晶圆表面的氧化物。

【技术特征摘要】
1.一种减少晶圆离子损伤方法，应用于射频溅射的离子发生器，所述离子发生器包括一用于射频辐射的线圈，其特征在于：将所述线圈的两端接地；所述线圈提供一馈入点，所述馈入点设置于所述线圈的两端之间；提供一射频电源，连接所述馈入点；所述离子发生器的线圈于接通所述射频电源后，使生成的离子均匀的轰击所述晶圆的表面，以去除所述晶圆表面的氧化物。2.根据权利要求1所述的减少晶圆离子损伤方法，其特征在于，所述离子为带正电荷的惰性气体离子。3.根据权利要求2所述的减少晶圆离子损伤方法，其特征在于，所述带正电荷的惰性气体离子为氩离子。4.根据权利要求1所述的减少晶圆离子损伤方法，其特征在于，所述射频电源为交流电源。5.根据权利要求1所述的减少晶圆离子损伤方法，其特征在于，所述离子发生器...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙俊舟，封铁柱，杨弘，马山州，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42