【技术实现步骤摘要】
一种无压烧结碳化硅制品用碳化硅微粉的制备方法
本专利技术属于微粉微粉处理
,具体涉及一种无压烧结碳化硅制品用碳化硅微粉的制备方法。
技术介绍
碳化硅陶瓷材料由于具有耐磨、耐腐蚀、高硬度以及具有较高的温度、强度等特点,因而近十多年,在国计民生的各个领域中得到了日益广泛的应用,在航空航天、核工业、石油工业、化学工业、轻纺工业、食品工业等需要在高温、高速耐腐蚀、真空电绝缘、无磁、干摩擦等特殊环境下,作为一种新型陶瓷材料,其不可缺少的替代作用,正在被人们逐渐地认识,得到了广泛的应用。现有的无压烧结碳化硅制品专用碳化硅微粉的制备方法一是悬浮法二是研磨法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供了一种工作效率高,用水量少,生产成本低,可连续进行生产的无压烧结碳化硅制品用碳化硅微粉的制备方法。为解决上述技术问题,本专利技术的技术方案是无压烧结碳化硅制品专用碳化硅微粉的制备方法,其特征在于包括步骤:混浆将碳化硅颗粒按重量比1∶2-3与水混合搅拌;水可采用纯净水,以提高产品质量和分散性能,多采用D50为3-5um的碳化硅颗粒。研磨研磨后碳化硅微粉粒度D50值在0.2um-0.5um;研磨可采用立式多盘研磨机不间断的循环进行;提纯将分离后碳化硅微粉进行酸碱洗提纯;酸碱洗可以采用常规的方式进行酸碱洗,且酸洗过量酸如硫酸、盐酸进行酸洗,而碱洗则可以采用氢氧化钠等进行碱洗,且酸洗和碱洗可依生产状况进行多次;水洗水洗,PH值5-6;脱水、烘干脱水后烘干并破团得无压烧结碳化硅制品专用碳化硅微粉。所述的研磨采用立式多盘研磨机,研磨采用的研磨介质为粒径3-5mm的单晶碳化硅。所 ...
【技术保护点】
一种无压烧结碳化硅制品用碳化硅微粉,其特征在于:生产的专用碳化硅微粉,粒度D50值为0.2um‑0.5um、比表面积(BET)8m2/g‑30m2/g、碳化硅纯度≥97.5wt%、烧结温度2100‑2200℃、烧结密度3.10±0.08g/m3。
【技术特征摘要】
1.一种无压烧结碳化硅制品用碳化硅微粉,其特征在于:生产的专用碳化硅微粉,粒度D50值为0.2um-0.5um、比表面积(BET)8m2/g-30m2/g、碳化硅纯度≥97.5wt%、烧结温度2100-2200℃、烧结密度3.10±0.08g/m3。2.无压烧结碳化硅制品专用碳化硅微粉的生产方法,其特征在于包括步骤:混浆将碳化硅按重量比...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐明,
申请(专利权)人:天津市明祥科技发展有限公司,
类型:发明
国别省市:天津,12
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