一种量子点薄膜及背光模块制造技术

本发明专利技术提供一种量子点薄膜及背光模块，所述量子点薄膜包括量子发光层，包括多个沿同一方向排布的量子棒；介质层，位于所述量子发光层上，金属层，位于所述介质层上，所述金属层包括多个间隔设置的金属线，所述金属线具有第一长轴，所述量子棒具有第二长轴，所述第一长轴的延长线与所述第二长轴的延长线之间的夹角位于预设角度范围内。本发明专利技术的量子点薄膜及背光模块，能够降低亮度的损失以及降低色偏。

Quantum dot film and backlight module

The invention provides a quantum dot film and a backlight module, wherein the quantum dot films including quantum light emitting layer comprises a plurality of quantum arrangement along the same direction of the rod; the dielectric layer is positioned on the luminescent layer, the metal layer in the dielectric layer, the metal layer includes a metal line set the interval, the metal wire has a first axis, the quantum rod has second axis, the angle between the extension line extension line of the first axis and the second axis at the preset angle range. The invention of the quantum dot film and backlight module, can reduce the loss of brightness and color reduction.

【技术实现步骤摘要】
一种量子点薄膜及背光模块
本专利技术涉及液晶显示器
，特别是涉及一种量子点薄膜及背光模块。
技术介绍
目前，使用量子点薄膜(QDfilm)实现高色域以及较高的光学穿透率，需要搭配光学增亮膜。按照光线传输的路径，蓝色光源耦合进入导光板后射出的蓝色光线，首先经过棱镜膜集光，然后经过其上层的量子点薄膜，激发出窄带的红色和绿色光，经过偏振转换增亮膜，将振动方向杂乱的光线转化为同一个线性偏振方向上。该偏振方向平行于液晶盒入光测的偏光片透光轴，从而大大提高背光的利用率。但是这种结构存在设计难点，调整好光谱空间分布的量子点薄膜，在经过偏振转换增亮膜时，会有一部分偏振方向的反射光被反射回来，从而会再次激发量子点薄膜。因而激发的红色和绿色光的比例会比预先设定的比例高，造成整个显示器出现色偏。此外，由于绿光的能量显著高于红光的能量，因而绿光也可以激发红光。在经过反射型的增亮膜结构时，由于与增亮膜透过偏振方向不一致的绿光会被反射并重新透过量子点薄膜，从而激发红色量子点发光，其中蓝光激发绿色量子点发光，绿色量子点的光线激发红色量子点发光。因此，经历两次能量转化后，导致能量损耗，尤其是长波绿光激发红色量子点发光的能量损失比较严重，导致现有的量子点薄膜存在能量损耗较多以及容易出现色偏的问题。因此，有必要提供一种量子点薄膜及背光模块，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种量子点薄膜及背光模块，以解决现有量子点薄膜的能量损耗较多以及容易出现色偏的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种量子点薄膜，其包括：量子发光层，包括多个沿同一方向排布的量子棒；介质层，位于所述量子发光层上；金属层，位于所述介质层上，所述金属层包括多个间隔设置的金属线；其中所述金属线具有第一长轴，所述量子棒具有第二长轴，所述第一长轴的延长线与所述第二长轴的延长线之间的夹角位于预设角度范围内。在本专利技术的量子点薄膜中，所述第一长轴的延长线与所述第二长轴的延长线近似垂直。在本专利技术的量子点薄膜中，所述量子棒的粒径范围为1-10纳米。在本专利技术的量子点薄膜中，相邻两个所述金属线的中心点之间的距离范围为20-500纳米。在本专利技术的量子点薄膜中，所述金属线的宽度与中心间距的比例范围为0.1-0.9，其中所述中心间距为相邻两个所述金属线的中心点之间的距离。在本专利技术的量子点薄膜中，所述金属线的厚度范围为10-500纳米。在本专利技术的量子点薄膜中，所述介质层的材料包括SiO2、SiO、MgO、Si3N4、TiO2、Ta2O5中的至少一种。在本专利技术的量子点薄膜中，所述金属层的材料包括Al、Ag、Au中的至少一种。在本专利技术的量子点薄膜中，所述量子点薄膜还包括第一隔离层和第二隔离层，所述第一隔离层位于所述量子发光层的下方，所述第二隔离层位于所述量子发光层和所述介质层之间。本专利技术还提供一种背光模块，其包括导光板以及上述任意一种量子点薄膜。本专利技术的量子点薄膜及背光模块，通过将量子发光层内设置量子棒，并且在量子发光层上设置介质层和具有多个金属线的金属层。由于量子棒具有较佳的偏振度，因而能够减少短波长量子点激发长波量子点所导致的亮度损失与色偏问题，从而提高了亮度效率、并降低了色偏。【附图说明】图1为本专利技术实施例量子点薄膜的结构示意图。图2为本专利技术另一实施例量子点薄膜的结构示意图。图3为本专利技术背光模块的结构示意图。【具体实施方式】以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。请参照图1，图1为本专利技术实施例量子点薄膜的结构示意图。如图1所示，本专利技术的量子点薄膜包括量子发光层11、介质层12、金属层13；该量子发光层11包括多个沿同一方向排布的量子棒111。可以理解的，全部量子棒111的排布方向大致沿一个方向排布，也即该量子棒111的长轴方向的大致沿同一方向排布。该量子发光层11还可以包括树脂介质层，该量子棒111分布在树脂介质层中。所述量子棒111的粒径范围可以为1-10纳米。由于该粒径范围内的量子棒的偏转效果最佳，从而能够更好地降低亮度损失。该介质层12位于所述量子发光层11上，该介质层12用于隔离量子发光层11和金属层13；所述介质层12的材料包括SiO2、SiO、MgO、Si3N4、TiO2、Ta2O5中的至少一种。金属层13位于所述介质层12上，所述金属层13包括多个间隔设置的金属线131，所述金属层13的材料包括Al、Ag、Au中的至少一种。由于这些金属能够使得红色、绿色以及蓝色光线更好地透过，也即提高了光线的透过率。所述金属线131具有第一长轴，比如该长轴为沿直面向里的方向的轴线，也即金属线131的长度方向。所述量子棒111具有第二长轴，比如该第二长轴沿水平方向的轴线，也即为量子棒的长度方向。所述第一长轴的延长线与所述第二长轴的延长线之间的夹角位于预设角度范围内。具体地，金属线131的长度方向与量子棒111的长度方向不平行，也即该预设角度范围为大于0度小于180度。可以理解的，该金属线131的具体制备方式是对整层金属层13进行图案化处理得到的。由于背光模块中的蓝光LED发射蓝光通过导光板进入量子发光层11中，量子棒吸收部分蓝光并激发出具有极佳偏振度的红、绿光；通常所有的红、绿光的偏振方向平行于量子棒取向以及与金属线的排布方向具有一定的夹角，因而使得光线能够完全透过所述金属线栅而不产生反射。其中未被吸收的蓝光中偏振方向与金属线具有夹角的部分，也会透过金属线，而偏振方向平行于金属线的偏振光被所述金属线反射，并重新进入量子发光层，使其与量子棒作用，部分进入导光板中进行循环利用。由于量子棒具有较佳的偏振度，因而能够减少短波长量子点激发长波量子点所导致的亮度损失与色偏问题，改善现有高色域显示装置的显示效果。优选地，该所述第一长轴的延长线与所述第二长轴的延长线近似垂直。也即金属线131的长度方向与量子棒111的长度方向垂直。由于两者垂直时，能够使得量子棒的偏振度达到最佳，从而更好地减少短波长量子点激发长波量子点所导致的亮度损失和色偏问题。优选地，相邻两个金属线131的中心点之间的距离L的范围为20-500纳米。比如最左侧的第一个金属线131的中心点与最左侧的第二个金属线131的中心点之间的间距L位于20-500纳米范围。由于金属线的间距超过该范围，不利于光线的偏振。优选地，所述金属线131的宽度M与中心间距L的比例范围为0.1-0.9，其中所述中心间距为相邻两个所述金属线的中心点之间的距离。也即金属线131的宽度与金属线131的间隙的比例位于此范围时，能够更好地使量子棒产生的光线进行偏振，提高了光线的利用率。优选地，所述金属线131的厚度D的范围为10-500纳米，由于厚度太小，不利于光线的偏振，厚度太大不利于光线透过，因此将金属线131的厚度设置在此范围内，能够有效地提高光线的透过率以及便于光线产生偏振。优选地，如图2所示，所述量子点薄膜10还包括第一隔离层14和第二隔离层15，所述第一隔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点薄膜，其特征在于，包括：量子发光层，包括多个沿同一方向排布的量子棒；介质层，位于所述量子发光层上；金属层，位于所述介质层上，所述金属层包括多个间隔设置的金属线；其中所述金属线具有第一长轴，所述量子棒具有第二长轴，所述第一长轴的延长线与所述第二长轴的延长线之间的夹角位于预设角度范围内。

【技术特征摘要】
1.一种量子点薄膜，其特征在于，包括：量子发光层，包括多个沿同一方向排布的量子棒；介质层，位于所述量子发光层上；金属层，位于所述介质层上，所述金属层包括多个间隔设置的金属线；其中所述金属线具有第一长轴，所述量子棒具有第二长轴，所述第一长轴的延长线与所述第二长轴的延长线之间的夹角位于预设角度范围内。2.根据权利要求1所述的量子点薄膜，其特征在于，所述第一长轴的延长线与所述第二长轴的延长线近似垂直。3.根据权利要求1所述的量子点薄膜，其特征在于，所述量子棒的粒径范围为1-10纳米。4.根据权利要求1所述的量子点薄膜，其特征在于，相邻两个所述金属线的中心点之间的距离范围为20-500纳米。5.根据权利要求1所述的量子点薄膜，其特征在于，所述金属线的宽度与中心间距的比例...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔宏青，查国伟，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42