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【技术实现步骤摘要】
本技术涉及抽真空的技术,具体涉及到反应离子刻蚀装置中的真空抽取的
技术介绍
在半导体器件的制造过程中广泛地使用等离子体处理装置。反应离子刻蚀是一种各向异性很强、选择性高的干法刻蚀技术,它是在真空系统中利用由等离子体强化后的反应离子气体轰击目标材料,通过物理轰击和化学反应来达到刻蚀的目的。因此,在反应离子刻蚀装置进行刻蚀时,需要对反应离子刻蚀装置中的腔室抽真空,而目前为了能够提高反应离子刻蚀效率,通常采用大功率的真空泵或者增加真空泵的数量来加速空气的抽取,以尽快形成真空环境。而采用大功率的真空泵或者增加真空泵的数量以加快抽真空的速度都会使得成本增加。
技术实现思路
1、本技术所要解决的技术问题针对现有技术中利用大功率的真空泵抽取真空或者增加真空泵的数量以加快抽真空的速度都将会导致成本增加的问题,本技术提出一种在不妨碍真空抽取效率的情况下减小抽真空所用成本的技术方案。2、本技术的所采用的技术方案本技术提供了在采用小功率真空泵的情形下,加快真空抽取速度的装置和方法,其具体的技术方案如下:一种利用真空罐加速抽真空的装置所述装置包括真空泵1、第一管道4、第一阀门5和第二阀门6;待抽真空腔室2通过第一管道4连通真空泵2,真空泵可以直接抽取待抽真空腔室2内的气体,使带抽真空腔室2达到真空状态。利用真空罐加速抽真空的装置设有真空罐3,所述真空罐3通过第二管道7分别连通待抽真空腔室2与真空泵1,第二管道7一端连接真空罐3,另一端通过三通与第一管道4连接;真空罐3既通过第一管道4和第二管道7连通待抽真空腔室2,又通过第一管道4和第二管道7连通真空泵1。第一阀门5设置在 ...
【技术保护点】
一种利用真空罐加速抽真空的装置,所述装置包括真空泵(1)、第一管道(4)、第一阀门(5)和第二阀门(6);待抽真空腔室(2)通过第一管道(4)连通真空泵(1);其特征在于,所述装置设有真空罐(3),所述真空罐(3)通过第二管道(7)分别连通待抽真空腔室(2)与真空泵(1);所述第一阀门(5)设置在第二管道(7)上,用以控制真空罐(3)与其它装置联通;所述第二阀门(6)设置在待抽真空腔室(2)与真空罐(3)之间的第一管道(4)上。
【技术特征摘要】
1.一种利用真空罐加速抽真空的装置,所述装置包括真空泵(1)、第一管道(4)、第一阀门(5)和第二阀门(6);待抽真空腔室(2)通过第一管道(4)连通真空泵(1);其特征在于,所述装置设有真空罐(3),所述真空罐(3)通过第二管道(7)分别连通待抽真空腔室(2)与真空泵(1);所述第一阀门(5)设置在第二管道(7)上,用以控制真空罐(3)与其它装置联通;所述第二阀门(6)设置在待抽真空腔室(...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡彬,潘景伟,胡磊,
申请(专利权)人:江苏微导纳米装备科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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