电光装置、电子设备、电光装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种能够确保像素电容的电容值而实现优异的显示品质的电光装置、电光装置的制造方法、电子设备。作为本实施方式的电光装置的液晶装置，在基材(10s)上具有隔着电介质膜层叠而成的至少5个电容电极(16d、16f、16h、16k、16m)，至少5个电容电极(16d、16f、16h、16k、16m)中的、第奇数个层叠而成的2个电容电极(16h、16m)经由作为共用接触孔的接触孔(62)与电容线(7)电连接。

Electro optical device, electronic device, and method for manufacturing electro-optical device

An electro-optical device, an electro-optical device, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing an electro-optical device capable of ensuring a capacitance value of a pixel capacitor. As the liquid crystal device, the electro-optical device embodiment, the substrate (10s) having at least 5 capacitor electrode with a dielectric film formed by laminating (16d, 16F, 16h, 16K, 16m), at least 5 capacitor electrodes (16d, 16F, 16h, 16K, 16m) in the 2 capacitor electrode the odd, stacked up (16h, 16m) through the contact holes as a common contact hole (62) and (7) electrically connected line capacitance.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电光装置、具备该电光装置的电子设备、电光装置的制造方法。
技术介绍
作为电光装置，例如，在有源驱动型的液晶装置中，针对多个像素的每个具有：像素电极、能够控制像素电极的电位的晶体管以及为了保持像素电极的电位而与像素电极电连接的存储电容。存储电容具有夹着电介质膜配置的一对电容电极。存储电容的电容值与一对电容电极的面积成比例。如果为了实现高清晰的显示品质而减小像素的大小，则按各个像素设置的存储电容的一对电容电极的面积也变小，会难以确保能够稳定地驱动像素的电容值。如果像素的驱动变为不稳定，则产生例如像素的亮度不均匀等显示不良。为了改善这样的存储电容所涉及的问题，例如，在专利文献1中，公开了在基板上、在晶体管的半导体层与数据线之间构建有5个存储电容的电光装置。5个存储电容以串联方式电连接。另外，在专利文献2中，公开了夹着第1电极在上下配置绝缘膜与电容电极而按各个像素具有以并联方式电连接的2个存储电容的电光装置。现有技术文献专利文献1：日本特开2001-330857号公报专利文献2：日本特开2011-221071号公报
技术实现思路
在上述专利文献1、上述专利文献2中，想要通过在基板上设置多个存储电容、或者将存储电容层叠地配置，来确保电容值，但是，如果存储电容的数量增加，则用于使它们电连接的接触部会增加。如果在设置上述接触部时作为电容电极而起作用的部分的面积受到制约，则会给存储电容的电容值造成影响。因此，存在需要努力使像素高精细化，同时确保存储电容的电容值，而实现期望的显示品质的问题。本专利技术是为了解决上述问题的至少一部分而完成的，能够作为以下的方式或应用例而实现。[应用例]本应用例所涉及的电光装置，是具备在基板上按各像素设置的晶体管、像素电极和像素电容的电光装置，其特征在于，所述像素电容包含在所述晶体管以及所述像素电极与被施加共用电位的电容线之间以并联方式电连接的至少3个存储电容，所述至少3个存储电容具有在所述基板上隔着电介质膜层叠而成的至少5个电容电极，在所述至少5个电容电极中的、在所述基板上第奇数个层叠的至少2个电容电极经由共用接触孔与所述电容线电连接。根据本应用例的构成，在基板上隔着电介质膜层叠至少5个电容电极而构成至少3个存储电容。因此，与互相不层叠地在平面上不同的位置构成多个存储电容的情况相比，容易确保各电容电极的面积。另外，第奇数个层叠而成的至少2个电容电极经由共用接触孔与电容线电连接，所以与对应于至少3个存储电容而分别设置谋求与电容线的连接的接触孔的情况相比，可将基板上的像素构造简化。因而，能够提供即使将像素高精细化也可以确保像素电容的电容值而具有优异的显示品质的电光装置。在上述应用例所述的电光装置中，其特征在于：所述像素电容包括：包含夹着第1电介质膜相对于第1电容电极配置的第2电容电极的第1存储电容、包含夹着第2电介质膜相对于所述第2电容电极配置的第3电容电极的第2存储电容、以及包含夹着第3电介质膜相对于第4电容电极配置的第5电容电极的第3存储电容，所述第1电容电极、所述第3电容电极、所述第5电容电极中的至少2个经由所述共用接触孔与所述电容线电连接。根据该构成，能够提供在每个像素具备相对于电容线并联地连接有3个存储电容的像素电容而具有优异的显示品质的电光装置。在上述应用例所述的电光装置中，其特征在于：所述像素电容包括：包含夹着第1电介质膜相对于第1电容电极配置的第2电容电极的第1存储电容、包含夹着第2电介质膜相对于所述第2电容电极配置的第3电容电极的第2存储电容、包含夹着第3电介质膜相对于所述第3电容电极配置的第4电容电极的第3存储电容、以及包含夹着第4电介质膜相对于所述第4电容电极配置的第5电容电极的第4存储电容，所述第1电容电极、所述第3电容电极、所述第5电容电极中的至少2个经由所述共用接触孔与所述电容线电连接。根据该构成，能够提供在每个像素具备相对于电容线并联地连接有4个存储电容的像素电容而具有优异的显示品质的电光装置。在上述应用例所述的电光装置中，其特征在于：在俯视所述基板时，所述第2电容电极以及所述第3电容电极的电极端部对齐。根据该构成，第2电容电极与第3电容电极的面积变为相同。因此，与使面积不同的情况相比，能够增大夹着第2电介质膜配置有第2电容电极与第3电容电极而成的第2存储电容的电容值。在上述应用例所述的电光装置中，其特征在于：所述第2电容电极以及所述第4电容电极经由1个接触孔与所述晶体管电连接。根据该构成，与分别经由另外的接触孔将第2电容电极和第4电容电极与晶体管连接的情况相比，能够将像素构造简化。在上述应用例所述的电光装置中，优选：所述第1电介质膜、所述第2电介质膜、所述第3电介质膜和所述第4电介质膜中的至少1个电介质膜覆盖所述至少1个电介质膜之下的下部电容电极的端面的至少一部分，隔着所述至少1个电介质膜相对于所述下部电容电极配置的上部电容电极具有与所述下部电容电极的端面的所述至少一部分对置的部分。根据该构成，隔着电介质膜将下部电容电极与上部电容电极对置配置时的实质的面积增大，所以能够增大至少3个存储电容中至少1个存储电容的电容值。在上述应用例所述的电光装置中，优选：所述下部电容电极的膜厚与所述至少1个电介质膜的膜厚相比厚。根据该构成，能够进一步增大隔着电介质膜而将下部电容电极与上部电容电极对置配置时的实质的面积。在上述应用例所述的电光装置中，其特征在于：所述至少1个电介质膜的膜厚与其它的电介质膜的膜厚相比厚。根据该构成，如果在包含下部电容电极的端面的表面上隔着膜厚与其它的电介质膜相比厚的电介质膜将上部电容电极对置配置，则能够增大下部电容电极与上部电容电极对置配置时的实质的面积。在上述应用例所述的电光装置中，其特征在于：所述至少1个电介质膜为硅系氧化膜，覆盖所述像素中的开口部。根据该构成，硅系氧化膜具有比例如硅系氮化膜高的透射率，所以即使覆盖开口部而设置也不会使像素的光利用效率下降。因此，使用硅系氧化膜作为电介质膜也能够确保优异的光学特性。在上述应用例所述的电光装置中，也可以设为：所述至少5个电容电极中的、在所述基板上被配置为距离所述晶体管最远的电容电极具有遮光性。根据该构成，能够通过遮光性的电容电极遮挡向晶体管入射的光。因此，能够降低起因于入射光而使晶体管的工作变得不稳定的情况。[应用例]本应用例所涉及的电子设备的特征在于：具备上述应用例所述的电光装置。根据本应用例，由于具备即使像素高精细也可以确保像素电容的电容值而能够实现期望的显示品质的电光装置，所以能够提供外观良好的电子设备。[应用例]本应用例所涉及的电光装置的制造方法，是具备在基板上按各像素设置的晶体管、像素电极、像素电容以及被施加共用电位的电容线的电光装置的制造方法，其特征在于，包括：在所述基板上，将至少5个电容电极相互隔着电介质膜层叠而形成至少3个存储电容的工序；和形成共用接触孔的工序，所述共用接触孔用于将所述至少5个电容电极中的在所述基板上第奇数个层叠的至少2个电容电极与所述电容线电连接。根据本应用例，在基板上隔着电介质膜层叠至少5个电容电极而形成至少3个存储电容。因此，与互相不层叠地在平面上不同的位置形成多个存储电容的情况相比，容易确保各电容电极的面积。另外，第奇数个层叠的至少2个电容电极经本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光装置，是具备在基板上按各像素设置的晶体管、像素电极和像素电容的电光装置，其特征在于，所述像素电容包含在所述晶体管以及所述像素电极与被施加共用电位的电容线之间以并联方式电连接的至少3个存储电容，所述至少3个存储电容具有在所述基板上隔着电介质膜层叠而成的至少5个电容电极，在所述至少5个电容电极中的在所述基板上第奇数个层叠的至少2个电容电极经由共用接触孔与所述电容线电连接。

【技术特征摘要】
2015.10.08 JP 2015-1999811.一种电光装置，是具备在基板上按各像素设置的晶体管、像素电极和像素电容的电光装置，其特征在于，所述像素电容包含在所述晶体管以及所述像素电极与被施加共用电位的电容线之间以并联方式电连接的至少3个存储电容，所述至少3个存储电容具有在所述基板上隔着电介质膜层叠而成的至少5个电容电极，在所述至少5个电容电极中的在所述基板上第奇数个层叠的至少2个电容电极经由共用接触孔与所述电容线电连接。2.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于，所述像素电容包括：包含夹着第1电介质膜相对于第1电容电极配置的第2电容电极的第1存储电容、包含夹着第2电介质膜相对于所述第2电容电极配置的第3电容电极的第2存储电容以及包含夹着第3电介质膜相对于第4电容电极配置的第5电容电极的第3存储电容，所述第1电容电极、所述第3电容电极和所述第5电容电极中的至少2个经由所述共用接触孔与所述电容线电连接。3.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于，所述像素电容包括：包含夹着第1电介质膜相对于第1电容电极配置的第2电容电极的第1存储电容、包含夹着第2电介质膜相对于所述第2电容电极配置的第3电容电极的第2存储电容、包含夹着第3电介质膜相对于所述第3电容电极配置的第4电容电极的第3存储电容以及包含夹着第4电介质膜相对于所述第4电容电极配置的第5电容电极的第4存储电容，所述第1电容电极、所述第3电容电极和所述第5电容电极中的至少2个经由所述共用接触孔与所述电容线电连接。4.如权利要求2或3所述的电光装置，其特征在于，在俯视所述基板时，所述第2电容电极以及所述第3电容电极的电极端部对齐。5.如权利要求2至4中任意一项所述的电光装置，其特征在于，所述第2电容电极以及所述第4电容电极经由1个接触孔与所述晶体管电连接。6.如权利要求2至5中任意一项所述的电光装置，其特征在于，所述第1电介质膜、所述第2电介质膜、所述第3电介质膜和所述第4电介质膜中的至少1个电介质膜覆盖所述至少1个电介质膜之下的下部电容电极的端面的至少一部分，隔着所述至少1个电介质膜相对于所述下部电容电极配置的上部电容电极具有与所述下部电容电极的端面的所述至少一部分对置的部分。7.如权利要求6所述的电光装置，其特征在于，所述下部电容电极的膜厚与所述至少1个电介质膜的膜厚相比厚。8.如权利要求6或7所述的电光装置，其特征在于，所述至少1个电介质膜的膜厚与其它的电介质膜的膜厚相比厚。9.如权利要求6至8中任意一项所述的电光装置，其特征在于，所述至少1个电介质膜为硅系氧化膜，覆盖所述像素中的开口部。10.如权利要求1至9中任意一项所述的电光装置，其特征在于，所述至少5个电容电极中的在所述基板上被配置为距离所述晶体管最远的电容电极具有遮光性。11.一种电子设备，其特征在于，具备如权利要求1至10中任意一项所述的电光装置。12.一种电光装置的制造方法，是具备在基板上按各像素设置的晶体管、像素电极、像素电容以及被施加共用电位的电容线的电光装置的制造方法，其特征在于，包括：在所述基板上，将至少5个电容电极相互隔着电介质膜层叠而形成至少3个存储电容的工序；和形成共用接触孔的工序，所述共用接触孔用于将所述至少5个电容电极中的在所述基板上第奇数个层叠的至少2个电容电极与所述电容线电连接。13.如权利要求12所述的电光装置的制造方法，其特征在于，包括：在所述基板上形成第1电容电极的工序；在所述第1电容电极隔着第1电介质膜形成第2电容电极的工序；在所述第2电容电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉本阳平，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP