A manufacturing method of a semiconductor device, using multiple wet etching of patterning a gold layer, wet etching is an aqueous solution containing KI and I2, each wet etching time less than 2 minutes, each time after the end of wet etching using deionized water rinse. So, every time the by-products produced by corrosion and can avoid peeling, etching by-products for a long time corrosion produced gold layer covering the gold layer caused by the corrosion rate of the gold layer further reduced, while avoiding the corrosion rate in different regions caused by different gold residue and the formation of multiple gold pattern blocks exist undercut quantity the uniformity is not high.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种半导体器件的制作方法。
技术介绍
半导体器件中,一些器件,需对金(Au)层进行刻蚀以形成金图案块,例如MEMS器件中,两晶圆之间的Au-Si共晶键合需在一晶圆上形成金图案块,以与另一晶圆上的硅进行键合。Au-Si共晶键合是利用Au-Si共晶合金熔融温度较低(363℃,比纯金或纯硅熔点低得多)的特点,将它作为中间介质层,在较低的温度下通过加热熔融实现共晶键合。实际工艺中发现,现有对金层的刻蚀过程中存在一些问题,例如一、容易出现金残留;二、底切(Undercut)量均匀性不高,即同一批刻蚀形成的多个金图案块的横向去除量不等,有的多,有的少。上述问题都将影响共晶键合的两晶圆的牢固度。针对上述问题,本专利技术提供一种新的半导体器件的制作方法加以解决。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是现有金层的刻蚀容易出现金残留,以及多个金图案块的底切量均匀性不高。为解决上述问题,本专利技术提供一种半导体器件的制作方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有金层,所述金层上具有图形化的掩膜层;以所述图形化的掩膜层为掩膜对所述金层进行图形化,所述金层的图形化为湿法腐蚀,采用的溶液为包含KI与I2的水溶液,所述湿法腐蚀分多次进行,每次湿法腐蚀的时间小于2分钟,每次湿法腐蚀完之后采用去离子水冲洗。可选地,每次湿法腐蚀的时间小于1分钟。可选地,所述湿 ...
【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有金层,所述金层上具有图形化的掩膜层;以所述图形化的掩膜层为掩膜对所述金层进行图形化,所述金层的图形化为湿法腐蚀,采用的溶液为包含KI与I2的水溶液,所述湿法腐蚀分多次进行,每次湿法腐蚀的时间小于2分钟,每次湿法腐蚀完之后采用去离子水冲洗。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法,其特征在于,包括:
提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有金层,所述金层上具有图形化
的掩膜层;
以所述图形化的掩膜层为掩膜对所述金层进行图形化,所述金层的图形
化为湿法腐蚀,采用的溶液为包含KI与I2的水溶液,所述湿法腐蚀分多次进
行,每次湿法腐蚀的时间小于2分钟,每次湿法腐蚀完之后采用去离子水冲
洗。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,每次湿法腐蚀的时间小于
1分钟。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述湿法腐蚀的次数大于
4次。
4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,每次去离子水冲洗的时间
大于2分钟。
5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,每次去离子水冲洗的时间
范围为:2分钟~5分钟。
6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,湿法腐蚀采用的水溶液中,
I2的质量百分比小于2%,KI的质量百分比小于5%,去离子水...
【专利技术属性】
技术研发人员:张先明,丁敬秀,金滕滕,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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