层叠穿通式复合光电探测器制造技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光电探测技术，尤其涉及一种层叠穿通式复合光电探测器。
技术介绍
在距离较远、光信号较弱的条件下，要保证对目标物的有效跟踪、定位以及与后方的快速通信，这就要求探测器必须具备灵敏度高、速度快和快速通信的能力，从通讯和弱光探测考虑，通常首选InGaAs探测器，也即雪崩探测器，其弱光探测能力较强、传输速度较快；而考虑远距离目标探测则首选硅探测器，也即多象限探测器，因为多象限探测器可以较为容易地获得较大的光敏面积；由于前述两种探测器所适用的光谱段不同，现有技术在将前述两种探测器整合应用时，一般通过两套光接收系统将光分别传输到两种探测器上，这种整合方式使得整个系统的体积和重量都较大，成本较高。
技术实现思路
针对
技术介绍
中的问题，本专利技术提出了一种层叠穿通式复合光电探测器，其创新在于：所述层叠穿通式复合光电探测器由载体板、雪崩探测器芯片、定位板、衬板和多象限探测器芯片组成；所述载体板的上端面为矩形，载体板上端面的面积远大于雪崩探测器芯片的周向轮廓，载体板上端面上设置有金属层、P电极层和N电极层；所述金属层的周向轮廓与雪崩探测器芯片的周向轮廓匹配，金属层位于载体板上端面的中部，雪崩探测器芯片设置在金属层的表面，雪崩探测器芯片下端面上的电极层与金属层连接；所述P电极层的形状为反L形，反L形的竖向段的上端与金属层连接，反L形的横向段位于载体板上端面的下侧边沿；所述N电极层的形状为L形，L形的竖向段的上端位于金属层的右侧，L形的横向段位于载体板上端面的下侧边沿，P电极层和N电极层呈倒T形分布，N电极层和金属层之间留有间隔，N电极层和雪崩探测器芯片上端的电极之...
【技术保护点】
一种层叠穿通式复合光电探测器，其特征在于：所述层叠穿通式复合光电探测器由载体板（1）、雪崩探测器芯片（2）、定位板（3）、衬板（4）和多象限探测器芯片（5）组成；所述载体板（1）的上端面为矩形，载体板（1）上端面的面积远大于雪崩探测器芯片（2）的周向轮廓，载体板（1）上端面上设置有金属层（1‑1）、P电极层（1‑2）和N电极层（1‑3）；所述金属层（1‑1）的周向轮廓与雪崩探测器芯片（2）的周向轮廓匹配，金属层（1‑1）位于载体板（1）上端面的中部，雪崩探测器芯片（2）设置在金属层（1‑1）的表面，雪崩探测器芯片（2）下端面上的电极层与金属层（1‑1）连接；所述P电极层（1‑2）的形状为反L形，反L形的竖向段的上端与金属层（1‑1）连接，反L形的横向段位于载体板（1）上端面的下侧边沿；所述N电极层（1‑3）的形状为L形，L形的竖向段的上端位于金属层（1‑1）的右侧，L形的横向段位于载体板（1）上端面的下侧边沿，P电极层（1‑2）和N电极层（1‑3）呈倒T形分布，N电极层（1‑3）和金属层（1‑1）之间留有间隔，N电极层（1‑3）和雪崩探测器芯片（2）上端的电极之间通过外接引线连接，N电...
【技术特征摘要】
1.一种层叠穿通式复合光电探测器，其特征在于：所述层叠穿通式复合光电探测器由载体板（1）、雪崩探测器芯片（2）、定位板（3）、衬板（4）和多象限探测器芯片（5）组成；所述载体板（1）的上端面为矩形，载体板（1）上端面的面积远大于雪崩探测器芯片（2）的周向轮廓，载体板（1）上端面上设置有金属层（1-1）、P电极层（1-2）和N电极层（1-3）；所述金属层（1-1）的周向轮廓与雪崩探测器芯片（2）的周向轮廓匹配，金属层（1-1）位于载体板（1）上端面的中部，雪崩探测器芯片（2）设置在金属层（1-1）的表面，雪崩探测器芯片（2）下端面上的电极层与金属层（1-1）连接；所述P电极层（1-2）的形状为反L形，反L形的竖向段的上端与金属层（1-1）连接，反L形的横向段位于载体板（1）上端面的下侧边沿；所述N电极层（1-3）的形状为L形，L形的竖向段的上端位于金属层（1-1）的右侧，L形的横向段位于载体板（1）上端面的下侧边沿，P电极层（1-2）和N电极层（1-3）呈倒T形分布，N电极层（1-3）和金属层（1-1）之间留有间隔，N电极层（1-3）和雪崩探测器芯片（2）上端的电极之间...
【专利技术属性】
技术研发人员：王波，周红，高传顺，张兴，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆;50
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