一种杀菌防辐射的耐磨手机盖板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种杀菌防辐射的耐磨手机盖板及其制造方法，手机盖板包括基板，基板的外表面从里到外依序设有第一膜层、第二膜层和第三膜层，第一膜层为纳米银层，第二膜层为ITO层，第三膜层为高硬度层。其制造方法包括以下步骤：1）对基板的外表面进行清洗；2）对基板的外表面进行镀膜。本发明专利技术的手机盖板利用纳米银层保证了手机盖板具有足够的杀菌能力，利用ITO层的设置有效的切断对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线，起到了防辐射的效果，其高硬度层能够显著提高手机盖板的耐磨性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种杀菌防辐射的耐磨手机盖板及其制造方法。
技术介绍
现有的手机屏幕盖板在使用过程中很容易被刮花或蹭花，影响美观，更严重的是，手机屏幕盖板的表面刮花或蹭花后，内层暴露在空气中，容易受腐蚀，影响使用寿命。另外，现有的手机屏幕盖板较少有杀菌功能，人们在使用过程中容易从手机盖板上感染细菌，且手机屏幕盖板在使用过程中还会不断产生对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线，给人体造成伤害。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种杀菌防辐射的耐磨手机盖板及其制造方法，该方法制造出来的手机盖板具有防止细菌和辐射对人体的伤害，而且具有高耐磨性。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种杀菌防辐射的耐磨手机盖板,包括基板，所述基板的外表面从里到外依序设有第一膜层、第二膜层和第三膜层，所述第一膜层为纳米银层，第一膜层的厚度为5-20nm；所述第二膜层为ITO层，第二膜层的厚度为10-100nm；第三膜层为高硬度层，第三膜层的厚度为10-50nm。所述纳米银层的膜材为银的氧化物，并由电子枪蒸镀成型。所述银的氧化物为Ag2O、AgO或Ag2O3。所述高硬度层的膜材为三氧化二铝、氧化锆、二氧化硅晶体或一氧化硅晶体，并由电子枪蒸镀成型。所述基板为树脂或玻璃成型。所述手机盖板的基板为树脂成型时，所述杀菌防辐射的耐磨手机盖板的制造方法具体包括以下步骤：1）对基板的外表面进行清洗；2）对基板的外表面进行镀膜；A、镀第一膜层：将真空镀膜舱内的真空度调整至大于或等于5.0×10-3帕，并控制真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第一膜层的膜材，其中第一膜层的膜材为银的氧化物，在电子枪蒸镀的作用下，银的氧化物分解后以纳米银的形式附着于基板的表面，同时控制第一膜层蒸镀的速率为1?/S，第一膜层最终形成厚度为5-20nm的纳米银层；其中所述银的氧化物为Ag2O、AgO或Ag2O3；B、镀第二膜层：保持真空镀膜舱内的真空度大于或等于5.0×10-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第二膜层的膜材，第二膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤A中第一膜层的表面，同时控制第二膜层蒸镀的速率为1?/S，第二膜层最终形成后的厚度为10-100nm，其中第二膜层的膜材为ITO膜材，形成ITO层；C、镀第三膜层：保持真空镀膜舱内的真空度大于或等于5.0×10-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第三膜层的膜材，第三膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤B中第二膜层的表面，同时控制第三膜层蒸镀的速率为7?/S，第三膜层最终形成后的厚度为10-50nm，其中第三膜层的膜材为三氧化二铝、氧化锆、二氧化硅晶体或一氧化硅晶体，形成高硬度层。所述步骤1）中，对基板外表面清洗的具体方法如下：将基板放在真空腔内，用离子枪轰击基板的外表面3分钟。所述手机盖板的基板为玻璃成型时，所述杀菌防辐射的耐磨手机盖板制造方法具体包括以下步骤：1）对基板的外表面进行清洗；2）对基板的外表面进行镀膜；A、镀第一膜层：将真空镀膜舱内的真空度调整至大于或等于5.0×10-3帕，并控制真空镀膜舱内的温度为200-300℃，采用电子枪轰击第一膜层的膜材，其中第一膜层的膜材为银的氧化物，在电子枪蒸镀的作用下，银的氧化物分解后以纳米银的形式附着于基板的表面，同时控制第一膜层蒸镀的速率为1?/S，第一膜层最终形成厚度为5-20nm的纳米银层；其中所述银的氧化物为Ag2O、AgO或Ag2O3；B、镀第二膜层：保持真空镀膜舱内的真空度大于或等于5.0×10-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为200-300℃，采用电子枪轰击第二膜层的膜材，第二膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤A中第一膜层的表面，同时控制第二膜层蒸镀的速率为1?/S，第二膜层最终形成后的厚度为10-100nm，其中第二膜层的膜材为ITO膜材，形成ITO层；C、镀第三膜层：保持真空镀膜舱内的真空度大于或等于5.0×10-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为200-300℃，采用电子枪轰击第三膜层的膜材，第三膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤B中第二膜层的表面，同时控制第三膜层蒸镀的速率为7?/S，第三膜层最终形成后的厚度为10-50nm，其中第三膜层的膜材为三氧化二铝、氧化锆、二氧化硅晶体或一氧化硅晶体，形成高硬度层。所述步骤1）中，对基板外表面清洗的具体方法如下：将基板放在真空腔内，用离子枪轰击基板的外表面5-10分钟。本专利技术采用电子束真空蒸镀的原理，利用带电荷的粒子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引向欲被镀膜的基板制成的电极，并通过电子枪高温轰击单质存在的高纯度金属、金属合金或其它氧化物，蒸发出来的纳米分子使其沿着一定的方向运动到基板并最终在基板上沉积成膜的方法。本项专利技术技术结合利用磁场的特殊分布控制电场中的电子运动轨迹，以此改进镀膜的工艺，使得镀膜的厚度及均匀性可控，且制备的膜层致密性好、粘结力强及纯净度高。本专利技术在手机盖板的基板上镀有的纳米银层对大肠杆菌、淋球菌、沙眼衣原体等数十种致病微生物都有强烈的抑制和杀灭作用，而且不会产生耐药性，保证了手机盖板具有足够的杀菌能力，ITO层的设置有效的切断对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线，起到了防辐射的效果，此外设置高硬度层能够显著提高手机盖板的耐磨性。附图说明以下结合附图和具体实施方式对本专利技术做进一步详细说明：图1为本专利技术杀菌防辐射的耐磨手机盖板的分解图。具体实施方式如图1所示，本专利技术的手机盖板包括基板1，基板1的外表面从里到外依序设有第一膜层2、第二膜层3和第三膜层4，第一膜层2为纳米银层，第一膜层2的厚度为5-20nm；第二膜层3为ITO层，第二膜层3的厚度为10-100nm；第三膜层4为高硬度层，第三膜层4的厚度为10-50nm。纳米银层的膜材为银的氧化物，并由电子枪蒸镀成型。所述银的氧化物为Ag2O、AgO或Ag2O3。高硬度层的膜材为三氧化二铝、氧化锆、二氧化硅晶体或一氧化硅晶体，并由电子枪蒸镀成型。基板1为树脂或玻璃成型。手机盖板的基板1为树脂成型时，杀菌防辐射的耐磨手机盖板的制造方法具体包括以下步骤：1）对基板1的外表面进行清洗；2）对基板1的外表面进行镀膜；A、镀第一膜层2：将真空镀膜舱内的真空度调整至大于或等于5.0×10-3帕，并控制真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第一膜层的膜材，其中第一膜层的膜材为银的氧化物，在电子枪蒸镀的作用下，银的氧化物分解后以纳米银的形式附着于基板的表面，同时控制第一膜层蒸镀的速率为1?/S，第一膜层最终形成厚度为5-20nm的纳米银层；其中所述银的氧化物为Ag2O、AgO或Ag2O3；B、镀第二膜层3：保持真本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种杀菌防辐射的耐磨手机盖板，包括基板，其特征在于：所述基板的外表面从里到外依序设有第一膜层、第二膜层和第三膜层，所述第一膜层为纳米银层，第一膜层的厚度为5‑20nm；所述第二膜层为ITO层，第二膜层的厚度为10‑100nm；第三膜层为高硬度层，第三膜层的厚度为10‑50nm。

【技术特征摘要】
1.一种杀菌防辐射的耐磨手机盖板，包括基板，其特征在于：所述基板的外表面从里到外依序设有第一膜层、第二膜层和第三膜层，所述第一膜层为纳米银层，第一膜层的厚度为5-20nm；所述第二膜层为ITO层，第二膜层的厚度为10-100nm；第三膜层为高硬度层，第三膜层的厚度为10-50nm。
2.根据权利要求1所述的一种杀菌防辐射的耐磨手机盖板，其特征在于：所述纳米银层的膜材为银的氧化物，并由电子枪蒸镀成型。
3.根据权利要求1所述的一种杀菌防辐射的耐磨手机盖板，其特征在于：所述银的氧化物为Ag2O、AgO或Ag2O3。
4.根据权利要求1所述的一种杀菌防辐射的耐磨手机盖板，其特征在于：所述高硬度层的膜材为三氧化二铝、氧化锆、二氧化硅晶体或一氧化硅晶体，并由电子枪蒸镀成型。
5.根据权利要求1所述的一种杀菌防辐射的耐磨手机盖板，其特征在于：所述基板为树脂或玻璃成型。
6.根据权利要求5所述手机盖板的制造方法，其特征在于：所述手机盖板的基板为树脂成型时，所述制造方法具体包括以下步骤：
1）对基板的外表面进行清洗；
2）对基板的外表面进行镀膜；
A、镀第一膜层：
将真空镀膜舱内的真空度调整至大于或等于5.0×10-3帕，并控制真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第一膜层的膜材，其中第一膜层的膜材为银的氧化物，在电子枪蒸镀的作用下，银的氧化物分解后以纳米银的形式附着于基板的表面，同时控制第一膜层蒸镀的速率为1?/S，第一膜层最终形成厚度为5-20nm的纳米银层；其中所述银的氧化物为Ag2O、AgO或Ag2O3；
B、镀第二膜层：
保持真空镀膜舱内的真空度大于或等于5.0×10-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第二膜层的膜材，第二膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤A中第一膜层的表面，同时控制第二膜层蒸镀的速率为1?/S，第二膜层最终形成后的厚度为10-100nm，其中第二膜层的膜材为ITO膜材，形成ITO层；
C、镀第三膜层：
保持真空镀膜舱内的真空度大于或等于5.0×10-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第三膜层的膜材，第三膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴晓彤，方俊勇，
申请(专利权)人：奥特路漳州光学科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35