定向耦合器制造技术

定向耦合器具备连接输入口和输出口的主线路、分别由相对于主线路电磁场耦合的线路构成的第1～第3副线路部、设置于第1副线路部与第2副线路部之间的第1整合部、设置于第2副线路部与第3副线路部之间的第2整合部。第1整合部和第2整合部是相对于通过其的高频信号产生相位的变化的构件，并且是以在定向耦合器的耦合度的频率特性中产生2个衰减极的方式彼此特性不同的构件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及能够在宽频带中使用的定向耦合器(directionalcoupler)。
技术介绍
定向耦合器例如是为了在手机、无线LAN通信设备等的无线通信设备的收发信号电路中检测收发信号的电平而使用。作为现有的定向耦合器，众所周知有以下所述那样的结构的耦合器。该定向耦合器具备输入口、输出口、耦合口、终端口、主线路、副线路。主线路的一端被连接于输入口，主线路的另一端被连接于输出口。副线路的一端被连接于耦合口，副线路的另一端被连接于终端口。主线路与副线路进行电磁场耦合。终端口例如经由具有50Ω的电阻值的终端电阻而被接地。在输入口输入高频信号，该高频信号从输出口被输出。从耦合口输出具有对应于被输入到输入口的高频信号的功率的功率的耦合信号。作为表示定向耦合器的特性的主要的参数，有插入损失、耦合度、隔离度(isolation)、方向性以及耦合口的反射损失。以下，对这些定义进行说明。首先，在功率P1的高频信号被输入到输入口的情况下，将从输出口输出的信号的功率设定为P2，将从耦合口输出的信号的功率设定为P3，将从终端口输出的信号的功率设定为P4。另外，在功率P02的高频信号被输入到输出口的情况下，将从耦合口输出的信号的功率设定为P03。另外，在功率P5的高频信号被输入到耦合口的情况下，将在耦合口上被反射的信号的功率设定为P6。另外，分别以记号IL、C、I、D、RL来表示插入损失、耦合度、隔离度、方向性以及耦合口的反射损失。这些记号分别由以下的式进行定义。IL＝10log(P2/P1)[dB]C＝10log(P3/P1)[dB]I＝10log(P03/P02)[dB]D＝10log(P4/P3)[dB]RL＝10log(P6/P5)[dB]在现有的定向耦合器中，因为被输入到输入口的高频信号的频率越变高则耦合度就越变大，所以会有耦合度的频率特性不平坦等的问题。所谓耦合度变大，是指在将耦合度表示为-c(dB)的时候c的值变小。另外，近年来，LET(LongTermEvolution(长期演进技术))标准的移动通信系统在被实用化，LET标准的发展标准、即LET-Advanced标准的移动通信系统的实用化正在被研讨。对于LET-Advanced标准中的主要技术之一而言，存在载波聚合(CarrierAggregation，以下也称为CA)。CA是一种同时使用称为元件载体(ComponentCarrier)的多个载体并能够进行宽频带传输的技术。在对应于CA的移动通信设备中，多个频带被同时使用。因此，在对应于CA的移动通信设备中，要求对于多个频带的多个信号来说能够利用的定向耦合器、即在宽频带中能够使用的定向耦合器。在日本专利申请公开2014-57207号公报中记载有在宽频带中能够使用的定向耦合器。在日本专利申请公开2014-57207号公报所记载的定向耦合器中，副线路具备与主线路的耦合强的第一耦合部、耦合弱并且形成于比第一耦合部更靠近耦合口侧的第二耦合部、耦合弱并且形成于比第一耦合部更靠近隔离口(终端口)侧的第三耦合部、在第一耦合部与第二耦合部之间延伸并且具有对应于使用频带的波长的四分之一以上的长度的非耦合部即第一非耦合部、在第一耦合部与第三耦合部之间延伸并且具有对应于使用频带的波长的四分之一以上的长度的非耦合部即第二非耦合部。在日本专利申请公开2014-57207号公报所记载的定向耦合器中，在耦合度的频率特性中产生一个衰减极。由此，在某种程度宽的频带中可以抑制伴随于频率的变化的耦合度的变化。但是，在该定向耦合器中，在耦合度的频率特性中，在高于产生1个衰减极的频率的频率区域，频率变得越高则耦合度变得越大。因此，在该定向耦合器中，在更宽的频带中抑制伴随于频率的变化的耦合度的变化是困难的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种以与产生1个衰减极的耦合度的频率特性相比能够实现在更宽的频带中抑制了伴随于频率的变化的耦合度的变化的耦合度的频率特性的定向耦合器。本专利技术的定向耦合器具备输入口、输出口、耦合口、终端口、连接输入口和输出口的主线路、分别由相对于主线路电磁场耦合的线路构成的第1副线路部、第2副线路部以及第3副线路部、第1整合部、第2整合部。第1～第3副线路部和第1以及第2整合部分别具有彼此位于相反侧的第1端部以及第2端部。第1副线路部的第1端部被连接于耦合口。第1整合部的第1端部被连接于第1副线路部的第2端部。第2副线路部的第1端部被连接于第1整合部的第2端部。第2整合部的第1端部被连接于第2副线路部的第2端部。第3副线路部的第1端部被连接于第2整合部的第2端部。第3副线路部的第2端部被连接于终端口。第1整合部和第2整合部是相对于通过这些整合部的高频信号产生相位的变化的构件，并且是以在定向耦合器的耦合度的频率特性中产生2个衰减极的方式彼此特性不同的构件。在本专利技术的定向耦合器中，相对于主线路的第2副线路部的耦合的强度也可以大于相对于主线路的第1副线路部的耦合的强度以及相对于主线路的第3副线路部的耦合的强度。另外，在本专利技术的定向耦合器中，第1整合部和第2整合部也可以分别具有连接其第1端部和第2端部的第1路径、连接第1路径和地线(ground)的第2路径。第1路径包含第1电感器。第2路径包含被串联连接的第1电容器和第2电感器。另外，在本专利技术的定向耦合器中，在第1整合部和第2整合部分别具有所述第1以及第2路径的情况下，第1电感器也可以具有彼此位于相反侧的第1端部以及第2端部，第2电感器也可以具有在电路结构上最接近于第1路径的第1端部、在电路结构上最接近于地线的第2端部，第1电容器也可以被设置于第1电感器的第1端部与第2电感器的第1端部之间。在此情况下，第2路径也可以进一步具有被设置于第1电感器的第2端部与第2电感器的第1端部之间的第2电容器。另外，在本专利技术的定向耦合器中，在第1整合部和第2整合部分别具有所述第1以及第2路径的情况下，第1路径也可以进一步具有相对于第1电感器被串联连接的第3电感器。在此情况下，第2电感器也可以具有在电路结构上最接近于第1路径的第1端部、在电路结构上最接近于地线的第2端部，第1电容器也可以被设置于第1电感器和第3电感器的连接点与第2电感器的第1端部之间。另外，在本专利技术的定向耦合器中，在第1整合部和第2整合部分别具有所述第1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种定向耦合器，其特征在于：具备：输入口；输出口；耦合口；终端口；连接所述输入口和所述输出口的主线路；分别由相对于所述主线路电磁场耦合的线路构成的第1副线路部、第2副线路部以及第3副线路部；第1整合部；以及第2整合部，所述第1～第3副线路部和所述第1以及第2整合部分别具有彼此位于相反侧的第1端部以及第2端部，所述第1副线路部的第1端部被连接于所述耦合口，所述第1整合部的第1端部被连接于所述第1副线路部的第2端部，所述第2副线路部的第1端部被连接于所述第1整合部的第2端部，所述第2整合部的第1端部被连接于所述第2副线路部的第2端部，所述第3副线路部的第1端部被连接于所述第2整合部的第2端部，所述第3副线路部的第2端部被连接于所述终端口，所述第1整合部和所述第2整合部是相对于通过这些整合部的高频信号产生相位的变化的构件，并且是以在定向耦合器的耦合度的频率特性中产生2个衰减极的方式彼此特性不同的构件。

【技术特征摘要】
2015.01.27 JP 2015-0135981.一种定向耦合器，其特征在于：
具备：
输入口；
输出口；
耦合口；
终端口；
连接所述输入口和所述输出口的主线路；
分别由相对于所述主线路电磁场耦合的线路构成的第1副线路部、
第2副线路部以及第3副线路部；
第1整合部；以及
第2整合部，
所述第1～第3副线路部和所述第1以及第2整合部分别具有彼此
位于相反侧的第1端部以及第2端部，
所述第1副线路部的第1端部被连接于所述耦合口，
所述第1整合部的第1端部被连接于所述第1副线路部的第2端
部，
所述第2副线路部的第1端部被连接于所述第1整合部的第2端
部，
所述第2整合部的第1端部被连接于所述第2副线路部的第2端
部，
所述第3副线路部的第1端部被连接于所述第2整合部的第2端
部，
所述第3副线路部的第2端部被连接于所述终端口，
所述第1整合部和所述第2整合部是相对于通过这些整合部的高
频信号产生相位的变化的构件，并且是以在定向耦合器的耦合度的频
率特性中产生2个衰减极的方式彼此特性不同的构件。
2.如权利要求1所述的定向耦合器，其特征在于：
相对于所述主线路的所述第2副线路部的耦合的强度大于相对于

\t所述主线路的所述第1副线路部的耦合的强度以及相对于所述主线路
的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：大塚识显，木岛壮氏，匈坂康则，芦田裕太，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP