一种用于全桥整流的新型肖特基器件及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种适用于全桥整流的肖特基器件；该器件具有新型的结构，用一颗本发明专利技术的肖特基器件，可实现全桥整流功能，而传统的半桥整流器件，需要四颗传统的肖特基器件组合封装到一起才能实现；传统的全桥整流的肖特基器件封装复杂，成品率低，而本发明专利技术的肖特基器件，可简化封装难度，封装成品率高；另外，本发明专利技术的肖特基器件的制造制程，与传统的肖特基器件的加工制程兼容性好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到肖特基器件及其制造流程，主要涉及一种用于全桥整流的新型肖特基器件及其制造方法。
技术介绍
肖特基势垒结具有正向导通、反向截止的特性，可作为一个整流开关使用，而肖特基器件属于单极器件，其具有正向饱和压降低、开关速度快的特点，被广泛的应用于高频整流电路中；整流方式分为全桥整流、半桥整流等，全桥整流的肖特基器件的电极引出如图1所示，需要两个肖特基器件芯片共阴连在一起形成一个输出电极out1、两个共阳连接在一起形成另一个输出电极out2，而共阴的两个肖特基器件芯片中的一个肖特基器件芯片的阳极，与共阳的两个肖特基器芯片中的一个肖特基器件芯片的阴极相连通过引线引出形成一个输入电极in1，另一对也是通过引线引出形成一个输入电极in2；因传统的肖特基器件的芯片，只有一个肖特基势垒结，而形成一个全桥肖特基器件，需要四颗传统的肖特基器件芯片封装在一起，通常采用方法一，正装两颗肖特基器件芯片共阴焊接到同一个框架上形成输出电极out1，反装两颗肖特基器件芯片共阳焊接到同一个框架上形成输出电极out2，再通过打线工艺分别引出两个输入极in1和in2，但由于肖特基势垒器件阳极终端无保护环，因此共阳焊接时极易因溢料引起短路，导致成品率低；或采用方法二，两颗肖特基器件芯片先共阳焊接到框架上，再通过点胶工艺，在每个肖特基器件的芯片上，分别再叠一个阴险跳线，在每个引线跳线上在叠一颗肖特基器件芯片，但这样的加工过程过于复杂，叠放过程难于控制，也导致成品率不易控制；正是如此，全桥整流肖特基器件，制造成品率通常控制在90%左右，很难提高。本专利技术提出的肖特基器件，通过结构创新设计，可实现在同一颗肖特基器件芯片上，通过打线工艺，不需要反装芯片，即可实现全桥整流肖特基器件，封装简化，成品率易于控制，并且通过优化整合的制造方法，使本专利技术的器件更具竞争性。
技术实现思路
本专利技术提出了一种用于全桥整流的新型肖特基器件及制造方法，通过全桥整流肖特基器件的芯片结构设计创新，在一个肖特基芯片结构中，包含了四个肖特基势垒结，有两个肖特基势垒结共阳连接形成一个输出电极，有两个肖特基势垒结共阴连接形成一个输出电极，并且通过金属连线，形成两个输入电极，使得本专利技术的一个肖特基器件芯片，具有全桥整流肖特基器件的功能；另外本专利技术，提出了优化整合的制造流程，与传统的肖特基芯片制造流程兼容，可以更容易的获得本专利技术的全桥整流肖特基器件结构。本专利技术提出了一种用于全桥整流的新型肖特基器件及制造方法。1、一种用于全桥整流的新型肖特基器件0，其特征在于结构包括：有四个独立的N-外延岛1、2、3、4，四个N-外延岛的上表面都分别有一个肖特基势垒结12、22、32、42，在每个势垒区边缘处，都分别有P+保护环11、21、31、41，在P+保护环的外侧，有绝缘介质层8，在每个肖特势垒区上分别与金属层相连形成器件的电极13、23、33、43，电极13与电极33导通，构成整流器件的共阳输出极；N-外延岛2、4侧壁与低掺杂浓度的P型外延层P-相接，底部与高浓度的N型单晶硅片N+相接；N-外延岛1、3分别被高浓度掺杂的N++区14、34包围，高浓度掺杂的N++区14、34分别被处于N+硅刻蚀区100、300上方的P型外延层P-包围，并且高浓度掺杂的N++区14与电极23相连，高浓度掺杂的N++区34与电极43相连，电极23、电极43分别形成整流器件的两个输入极；在单晶片N+的底部蒸发金属层形成背面电极9，构成整流器件的共阴输出极。2、本专利技术的一种用于全桥整流的新型肖特基器件，其特征在于：单晶硅片N+浓度区高于5E19atm/cm3，N型外延层N-的浓度在5E14atm/cm3至7E15atm/cm3之间，P型外延层P-的浓度比N型外延层N-的浓度低一个数量级，高浓度掺杂的N++区14、34的表面浓度高于1E20atm/cm3，P+保护环11、21、31、41的表面浓度高于3E18atm/cm3。3、本专利技术的一种用于全桥整流的新型肖特基器件，其特征在于：N型外延层N-的厚度值在5微米至20微米之间；N+硅刻蚀区100、300深度，要比外延层N-的厚度值深10微米以上；P型外延层P-的厚度值，与外延层N-的厚度值相同；高浓度掺杂N++区14、34的结深值在10微米以上；P型外延层P-的厚度值与高浓度掺杂N++区的结深值之和，与N+硅刻蚀区的深度值相等；P+保护环11、21、31、41的结深值在1.8-3微米之间。4、本专利技术的一种用于全桥整流的新型肖特基器件器件，其特征在于：在一个器件上，采用双层异型外延、机械抛光结合，形成四个独立的外延层岛1、2、3、4，每个隔离岛上分别独立肖特基势垒结，通过金属电极的连接，形成具有全桥整流功能的肖特基器件。5、本专利技术的一种用于全桥整流的新型肖特基器件器件的制造方法，其特征在于：可形成一种用于全桥整流的新型肖特基器件器件的制造流程，包括如下步骤：A、在高掺杂的单晶硅片N+上，通过光刻、硅刻蚀，形成N+硅刻蚀区100、300，再采用外延技术，在表面上，形成一层低掺杂的P型外延层P-，外延层P-表面随N+硅刻蚀区呈凹状；再通过高浓度磷扩散，在外延层P-表面形成一定结深的高浓度掺杂的N++区，再采用机械抛光技术去除一层P型外延层P-，去除厚度与N++区结深相同，由于N+硅刻蚀区100、300中的外延层在凹面内，机械抛光时，凹面内的外延层P-中的N++区不会被去除，得以保留，形成N++区14、34区；B、再进行第二次光刻、硅刻蚀，形成P-外延硅刻蚀区200、400，P-外延硅刻蚀区200、400，分别刻穿P-外延层至单晶硅N+表面，再采用外延技术，在表面上，形成低掺杂的N型外延层N-，N-表面也呈凹、凸状；再采用机械抛光技术，去除凸出的N-外延层，直至P-外延硅刻蚀区200、400凹面内的外延层的表面，此时形成四个N-外延岛1、2、3、4，其中N-外延岛1、3区分别被N++区14、34包围，N-外延岛2、4区侧壁与P-外延层相接、底部与单晶硅N+相接；C、通过热氧化工艺在表面形成一层氧化层，再进行第三次光刻、湿法腐蚀，将每个N-外延岛内的P+环刻开，经过注入、推结，同时形成四个P+保护环11、21、31、41；再进行第四次光刻、湿法腐蚀，将每个肖特基势垒区的窗口刻开，同时将两个N++区的引线孔刻开，再进行肖特基势垒金属淀积、势垒合金工艺、势垒腐蚀工艺，形成四个肖特基势垒结12、22、32、42，而由于N++区掺杂浓度高，不能形成肖特基势垒结；再在正面淀积金属层，再经过金属层光刻、腐蚀，形成金属电极13、23、33、43，其中电极23与N++区14相连，电极43与N++区34相连，电极13与电极33相连；D、再经过背面减薄、背面金属蒸发工艺，形成电极9，最终形成本专利技术器件0的结构。6、本专利技术的一种用于全桥整流的新型肖特基器件的制造方法，其特征在于：采用外延技术与机械抛光技术配合，通过两次异型外延，形成四个被隔离的N-外延岛；并且四个肖特基势垒结同时形成，肖特基势垒结性能的一致好，器件呈对角线对称。附图说明图1为普通全桥整流肖特基器件的电极示意图；图2为本专利技术的全桥肖特基器件的纵向结构示意图；图3为本专利技术的全桥肖特基器件的平面结构示意图。具体实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于全桥整流的新型肖特基器件（0），其特征在于结构包括：有四个独立的N‑外延岛（1）、（2）、（3）、（4），四个N‑外延岛的上表面都分别有一个肖特基势垒结（12）、（22）、（32）、（42），在每个势垒区边缘处，都分别有P+保护环（11）、（21）、（31）、（41），在P+保护环的外侧，有绝缘介质层（8），在每个肖特势垒区上分别与金属层相连形成器件的电极（13）、（23）、（33）、（43），电极（13）与电极（33）导通，构成整流器件的共阳输出极；N‑外延岛（2）、（4）侧壁与低掺杂浓度的P型外延层P‑相接，底部与高浓度的N型单晶硅片N+相接；N‑外延岛（1）、（3）分别被高浓度掺杂的N++区（14）、（34）包围，高浓度掺杂的N++区（14）、（34）分别被处于N+硅刻蚀区（100）、（300）上方的P型外延层P‑包围，并且高浓度掺杂的N++区（14）与电极（23）相连，高浓度掺杂的N++区（34）与电极（43）相连，电极（23）、电极（43）分别形成整流器件的两个输入极；在单晶片N+的底部蒸发金属层形成背面电极（9），构成整流器件的共阴输出极。

【技术特征摘要】
1.一种用于全桥整流的新型肖特基器件（0），其特征在于结构包括：有四个独立的N-外延岛（1）、（2）、（3）、（4），四个N-外延岛的上表面都分别有一个肖特基势垒结（12）、（22）、（32）、（42），在每个势垒区边缘处，都分别有P+保护环（11）、（21）、（31）、（41），在P+保护环的外侧，有绝缘介质层（8），在每个肖特势垒区上分别与金属层相连形成器件的电极（13）、（23）、（33）、（43），电极（13）与电极（33）导通，构成整流器件的共阳输出极；N-外延岛（2）、（4）侧壁与低掺杂浓度的P型外延层P-相接，底部与高浓度的N型单晶硅片N+相接；N-外延岛（1）、（3）分别被高浓度掺杂的N++区（14）、（34）包围，高浓度掺杂的N++区（14）、（34）分别被处于N+硅刻蚀区（100）、（300）上方的P型外延层P-包围，并且高浓度掺杂的N++区（14）与电极（23）相连，高浓度掺杂的N++区（34）与电极（43）相连，电极（23）、电极（43）分别形成整流器件的两个输入极；在单晶片N+的底部蒸发金属层形成背面电极（9），构成整流器件的共阴输出极。2.如权利要求1所述的一种用于全桥整流的新型肖特基器件，其特征在于：单晶硅片N+浓度区高于5E19atm/cm3，N型外延层N-的浓度在5E14atm/cm3至7E15atm/cm3之间，P型外延层P-的浓度比N型外延层N-的浓度低一个数量级，高浓度掺杂的N++区（14）、（34）的表面浓度高于1E20atm/cm3，P+保护环（11）、（21）、（31）、（41）的表面浓度高于3E18atm/cm3。3.如权利要求1所述的一种用于全桥整流的新型肖特基器件，其特征在于：N型外延层N-的厚度值在5微米至20微米之间；N+硅刻蚀区（100）、（300）深度，要比外延层N-的厚度值深10微米以上；P型外延层P-的厚度值，与外延层N-的厚度值相同；高浓度掺杂N++区（14）、（34）的结深值在10微米以上；P型外延层P-的厚度值与高浓度掺杂N++区的结深值之和，与N+硅刻蚀区的深度值相等；P+保护环（11）、（21）、（31）、（41）的结深值在1.8-3微米之间。4.如权利要求1所述的一种用于全桥整流的新型肖特基器件器件，其特征在于：在一个器件上，采用双层异型外延、机械抛光结合，形成四个独立的外延层岛（1）、（2）、（3）、（4），每个隔离岛上分别独立肖特基势垒结，通过金属电极的连接，形成具有全桥整流功能的肖特...

【专利技术属性】
技术研发人员：关世瑛，
申请(专利权)人：上海芯石微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31