【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及传感器
，具体涉及一种ALN压电薄膜
技术介绍
ALN压电薄膜是一种性能优良的压电薄膜，近年来随着针对该技术研发工作的深入展开，其使用性能得到了显著提高，已经在社会生产的诸多领域得到了应用。然而现有技术的ALN压电薄膜由于其容易受损、使用寿命有待提高，因此影响了应用范围。
技术实现思路
本专利技术旨在针对现有技术的技术缺陷，提供一种ALN压电薄膜，以提升其使用寿命。为实现以上技术目的，本专利技术采用以下技术方案：一种ALN压电薄膜，包括保护层，ALN层，二氧化硅层，其中二氧化硅层位于所述ALN压电薄膜的下部，保护层位于所述ALN压电薄膜的上部，ALN层上表面与保护层相贴合，ALN层下表面与二氧化硅层相贴合。本专利技术选用二氧化硅作为衬底，同时在现有技术的ALN层以上引入保护层，从而在不影响其性能的基础上尽可能延长其使用寿命。本专利技术技术方案设计合理，且易于实现，具有良好的推广应用前景。附图说明图1是本专利技术实施例的结构示意图；图中：1、保护层2、ALN层3、二氧化硅层具体实施方式一种ALN压电薄膜，包括保护层1，ALN层2，二氧化硅层3，其中二氧化硅层3位于所述ALN压电薄膜的下部，保护层1位于所述ALN压电薄膜的上部，ALN层2上表面与保护层1相贴合，ALN层2下表面与二氧化硅层3相贴合。以上对本专利技术的实施例进行了详细说明，...
【技术保护点】
一种ALN压电薄膜，其特征在于包括保护层(1)，ALN层(2)，二氧化硅层(3)，其中二氧化硅层(3)位于所述ALN压电薄膜的下部，保护层(1)位于所述ALN压电薄膜的上部，ALN层(2)上表面与保护层(1)相贴合，ALN层(2)下表面与二氧化硅层(3)相贴合。
【技术特征摘要】
1.一种ALN压电薄膜，其特征在于包括保护层(1)，ALN层(2)，二
氧化硅层(3)，其中二氧化硅层(3)位于所述ALN压电薄膜的下部，保护...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭志刚，
申请(专利权)人：天津市泛凯科贸有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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