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一种ALN压电薄膜制造技术
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下载一种ALN压电薄膜的技术资料
文档序号:14625002
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本发明提供了一种ALN压电薄膜,本发明技术方案选用二氧化硅作为衬底,同时在现有技术的ALN层以上引入保护层,从而在不影响其性能的基础上尽可能延长其使用寿命。本发明技术方案设计合理,且易于实现,具有良好的推广应用前景。...
该专利属于天津市泛凯科贸有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过天津市泛凯科贸有限公司授权不得商用。
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