一种显示装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示装置及其制作方法，该显示装置包括：形成在第一衬底上的背光模组、阵列基板、液晶和彩膜基板，其中所述背光模组、阵列基板、液晶和彩膜基板为通过溅射工艺形成。该显示装置的各部分均通过溅射工艺形成，能够兼容TFT-LCD的已有设备和工艺完成制作，提高产线的利用率，降低了生产成本。另外，该本光模组中还包括胆甾相液晶和1/4波片，具有较高的透过率，制备成本较低，厚度较小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，具体涉及一种显示装置及其制作方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，以下简称为TFT-LCD)包括背光源和显示面板。背光源用于向显示面板提供光线；显示面板一般包括依次设置的下偏光片、阵列基板、液晶层、彩膜基板和上偏光片。背光源发出的光线依次穿过下偏光片、阵列基板、液晶层、彩膜基板和上偏光片，最终实现显示。由于液晶本身不发光，在液晶显示器、液晶电视等各种液晶显示设备(LiquidCrystalDisplay，以下简称LCD)中，都需要依靠外部背光源来实现显示。背光源一般会包括在导光板侧边设置的LED灯条，该种情况下，生产TFT-LCD时，LED灯条需要外购并组装，并不能够兼容TFT-LCD的已有设备及工艺完成制作，降低了产线的利用率，提高了生产成本。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术提供了一种显示装置及其制作方法，实现了兼容TFT-LCD的已有设备及工艺完成制作，提高了产线的利用率，降低了生产成本。第一方面，本专利技术提供一种显示装置，包括：形成在第一衬底上的背光模组、阵列基板、液晶和彩膜基板，其中所述背光模组、阵列基板、液晶和彩膜基板为通过溅射工艺形成。可选的，所述背光模组包括形成在所述第一衬底上的反射板、导光板、LED、遮光层、胆甾相液晶和四分之一波片；其中，所述LED位于所述导光板的侧边，所述遮光层在所述第一衬底上的投影覆盖所述LED在所述第一衬底上的投影，且部分覆盖所述导光板在所述第一衬底上的投影；所述胆甾相液晶的螺距旋转方向为左旋，允许右旋圆偏振光透射，且将左旋圆偏振光反射向所述反射板；或者，所述胆甾相液晶的螺距旋转方向为右旋，允许左旋圆偏振光透射，且将右旋圆偏振光反射向所述反射板。可选的，所述遮光层包括吸光层和/或反光层。可选的，所述遮光层包括吸光层和反光层，所述吸光层与所述反光层叠加，且所述反光层靠近所述LED。可选的，所述LED包括形成在第二衬底上的栅极、栅绝缘层、有源层源极和漏极，以及形成在所述源极或漏极上的平坦层、预倾向层、阳极、P型掺杂层、量子阱、N型掺杂层和阴极；其中，所述阳极通过平坦层上的过孔与所述平坦层覆盖的源极或漏极相连。可选的，所述LED包括：形成在第二衬底上的栅极、栅绝缘层、有源层源极和漏极，以及形成在所述源极或漏极上的平坦层、预倾向层、阳极、P型掺杂层、量子阱、N型掺杂层和阴极；其中，所述阳极通过平坦层上的过孔与所述平坦层覆盖的源极或漏极相连，所述预倾向层、阳极、P型掺杂层、量子阱、N型掺杂层和阴极的边缘在所述LED的边缘区域与所述栅绝缘层连接。可选的，所述导光板包括：形成在反射板上的第一基板、第一透明电极、聚合物分散液晶(PolymerDispersedLiquidCrystal，简称PDLC)膜、第二透明电极和第二基板。第二方面，本专利技术还提供了一种显示装置的制作方法，包括：在第一衬底上通过溅射工艺形成背光模组；在所述背光模组上通过溅射工艺形成阵列基板；在所述阵列基板上通过溅射工艺形成液晶；在所述液晶上通过溅射工艺形成彩膜基板。可选的，所述在第一衬底上通过溅射工艺形成背光模组，进一步包括：在所述第一衬底上形成反射板；在所述反射板上形成导光板，在所述导光板的侧边形成LED；在所述LED上形成遮光层；在所述遮光层上形成胆甾相液晶；在所述胆甾相液晶上形成四分之一波片；其中，所述LED位于所述导光板的侧边，所述遮光层在所述第一衬底上的投影覆盖所述LED在所述第一衬底上的投影，且部分覆盖所述导光板在所述第一衬底上的投影；所述胆甾相液晶的螺距旋转方向为左旋，允许右旋圆偏振光透射，且将左旋圆偏振光反射向所述反射板；或者，所述胆甾相液晶的螺距旋转方向为右旋，允许左旋圆偏振光透射，且将右旋圆偏振光反射向所述反射板。可选的，在所述LED上形成遮光层，进一步包括：在所述LED上形成吸光层和/或反光层。可选的，在所述LED上形成遮光层，进一步包括：在所述LED上形成反光层，在所述反光层上形成吸光层。可选的，在所述导光板的侧边形成LED，进一步包括：在第二衬底上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层源极和漏极，在所述源极或漏极上依次形成平坦层、预倾向层、阳极、P型掺杂层、量子阱、N型掺杂层和阴极；其中，所述阳极通过平坦层上的过孔与所述平坦层覆盖的源极或漏极相连。可选的，在所述导光板的侧边形成LED，进一步包括：在第二衬底上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层源极和漏极，在所述源极或漏极上依次形成平坦层、预倾向层、阳极、P型掺杂层、量子阱、N型掺杂层和阴极；其中，所述阳极通过平坦层上的过孔与所述平坦层覆盖的源极或漏极相连，所述预倾向层、阳极、P型掺杂层、量子阱、N型掺杂层和阴极的边缘在所述LED的边缘区域与所述栅绝缘层连接。可选的，在所述反射板上形成导光板，进一步包括：在所述反射板上依次形成第一基板、第一透明电极、PDLC膜、第二透明电极和第二基板。由上述技术方案可知，本专利技术提供的一种显示装置及其制作方法，该显示装置的各部分均通过溅射工艺形成，能够兼容TFT-LCD的已有设备和工艺完成制作，提高产线的利用率，降低了生产成本。附图说明图1为现有技术中的显示装置的结构示意图；图2为本专利技术一实施例提供的显示装置的结构示意图；图3为本专利技术一实施例提供的LED的结构示意图；图4为本专利技术另一实施例提供的LED的结构示意图；图5为本专利技术一实施例提供的导光板的结构示意图；图6A和图6B为本专利技术一实施例提供的导光板驱动的光线示意图；图7为本专利技术一实施例提供的显示装置制备方法的流程示意图；图8为本专利技术一实施例提供的胆甾相液晶的结构示意图；图9为本专利技术一实施例提供的波长和液晶分子透射率的曲线示意图。具体实施方式下面结合附图，对专利技术的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。图2示出了本专利技术实施例提供了一种显示装置的结构示意图，如图2所示，该显示装置包括形成在第一衬底5上的背光模组1、阵列基板2、液晶3和彩膜基板4，其中上述背光模组1、阵列基板2、液晶3和彩膜基板4为通过溅射工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，其特征在于，包括：形成在第一衬底上的背光模组、阵列基板、液晶和彩膜基板，其中所述背光模组、阵列基板、液晶和彩膜基板为通过溅射工艺形成。

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
形成在第一衬底上的背光模组、阵列基板、液晶和彩膜基板，其
中所述背光模组、阵列基板、液晶和彩膜基板为通过溅射工艺形成。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述背光模
组包括形成在所述第一衬底上的反射板、导光板、LED、遮光层、胆
甾相液晶和四分之一波片；
其中，所述LED位于所述导光板的侧边，所述遮光层在所述第
一衬底上的投影覆盖所述LED在所述第一衬底上的投影，且部分覆
盖所述导光板在所述第一衬底上的投影；
所述胆甾相液晶的螺距旋转方向为左旋，允许右旋圆偏振光透
射，且将左旋圆偏振光反射向所述反射板；或者，所述胆甾相液晶的
螺距旋转方向为右旋，允许左旋圆偏振光透射，且将右旋圆偏振光反
射向所述反射板。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述遮光层
包括吸光层和/或反光层。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述遮光层
包括吸光层和反光层，所述吸光层与所述反光层叠加，且所述反光层
靠近所述LED。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述LED包
括形成在第二衬底上的栅极、栅绝缘层、有源层源极和漏极，以及形
成在所述源极或漏极上的平坦层、预倾向层、阳极、P型掺杂层、量
子阱、N型掺杂层和阴极；
其中，所述阳极通过平坦层上的过孔与所述平坦层覆盖的源极或
漏极相连。
6.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述LED包括：
形成在第二衬底上的栅极、栅绝缘层、有源层源极和漏极，以及形成

\t在所述源极或漏极上的平坦层、预倾向层、阳极、P型掺杂层、量子
阱、N型掺杂层和阴极；
其中，所述阳极通过平坦层上的过孔与所述平坦层覆盖的源极或
漏极相连，所述预倾向层、阳极、P型掺杂层、量子阱、N型掺杂层
和阴极的边缘在所述LED的边缘区域与所述栅绝缘层连接。
7.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述导光板包括：
形成在反射板上的第一基板、第一透明电极、聚合物分散液晶膜、第
二透明电极和第二基板。
8.一种显示装置的制作方法，其特征在于，包括：
在第一衬底上通过溅射工艺形成背光模组；
在所述背光模组上通过溅射工艺形成阵列基板；
在所述阵列基板上通过溅射工艺形成液晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文波，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11