半导体激光模块制造技术

半导体激光模块(100)具备：半导体激光元件(104-1～6)，其输出激光；光纤(112)，其具备芯部、和形成在芯部的外周的包层部，从一端入射所述激光，将该激光导波到该半导体激光模块的外部；光学部件(116)，其配置在所述光纤的外周，将所述光纤固定；第1固定剂，其将所述光学部件和所述光纤粘固；光吸收体(117)，其配置在所述光学部件的外周，将该光学部件固定；第1光阻断部(113)，其配置在所述光纤的所述激光的入射端与所述光学部件之间；和筐体(101)，其在内部收容所述半导体激光元件、所述光纤的入射所述激光侧的一端、和所述第1光阻断部，所述光学部件在所述激光的波长下有光透过性，所述光吸收体在所述激光的波长下有光吸收性。由此提供可靠性高的半导体激光模块。

Semiconductor laser module

The semiconductor laser module (100) comprises: a semiconductor laser element (104-1 ~ 6), the output laser; optical fiber (112), with its core, and a clad layer formed in the core of the peripheral, from one end of the incident laser, the laser guided waves to the outside of the semiconductor laser module optical components; (116), its configuration in the outer periphery of the optical fiber, the optical fiber is fixed; first fixing agent, the optical element and the optical fiber bonding; light absorber (117), the peripheral configuration in the optical components, the optical component is fixed; first the light blocking part (113), the configuration of the laser incident at the fiber end and the optical component; and a basket body (101), the internal containing the semiconductor laser element, the optical fiber by the incident laser side end, and the first light blocking part, the the optical component in the The light absorption is light at the wavelength of the laser, and the light absorber has light absorption at the wavelength of the laser. Thereby, a semiconductor laser module with high reliability is provided.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体激光模块。
技术介绍
过去，已知如下方法(例如参考专利文献1)：在半导体激光模块中，在从光纤输出激光的情况下，将从固定于封装件上的给定位置的半导体激光元件出射的激光用透镜等聚光，并与光纤耦合。在这样的光耦合方法中，在半导体激光元件为高输出的情况下，有固定光纤的粘接剂或光纤的包覆部因光吸收所引起的发热而损伤，可靠性降低的情况。为此，过去已知如下方法(例如参考专利文献2)：在透明的玻璃毛细管插通光纤，将光纤固定。现有技术文献专利文献专利文献1：JP特开2004-96088号公报专利文献2：JP特开2004-354771号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，本专利技术的专利技术者们发现如下课题：在半导体激光模块中，有即使使用玻璃毛细管，粘接剂或包覆部也会因发热而损伤的情况。本专利技术鉴于上述状况而提出，目的在于，提供可靠性高的半导体激光模块。用于解决课题的手段为了解决上述的课题，达成目的，本专利技术所涉及的半导体激光模块具备：半导体激光元件，其输出激光；光纤，其具备芯部、和形成在芯部的外周的包层部，从一端入射所述激光，将该激光导波到该半导体激光模块的外部；光学部件，其配置在所述光纤的外周，将所述光纤固定；第1固定剂，其将所述光学部件和所述光纤粘固；光吸收体，其配置在所述光学部件的外周，将该光学部件固定；第1光阻断部，其配置在所述光纤的所述激光的入射端与所述光学部件之间；和筐体，其在内部收容所述半导体激光元件、所述光纤的入射所述激光侧的一端、和所述第1光阻断部，所述光学部件在所述激光的波长下有光透过性，所述光吸收体在所述激光的波长下有光吸收性。另外，本专利技术所涉及的半导体激光模块在上述专利技术的基础上，特征在于，所述第1固定剂的折射率等于或高于所述包层部的折射率。另外，本专利技术所涉及的半导体激光模块在上述专利技术的基础上，特征在于，具有第2固定剂，该第2固定剂将所述光学部件和所述光吸收体粘固，所述第1固定剂和所述第2固定剂由同一材料构成，所述第1固定剂以及所述第2固定剂的折射率大致等于所述光学部件的折射率且高于所述包层部的折射率。另外，本专利技术所涉及的半导体激光模块在上述专利技术的基础上，特征在于，所述光纤具备突出部，该突出部从所述光学部件突出到所述激光的入射端侧。另外，本专利技术所涉及的半导体激光模块在上述专利技术的基础上，特征在于，所述第1光阻断部在所述突出部的外周与所述光纤分离而配置。另外，本专利技术所涉及的半导体激光模块在上述专利技术的基础上，特征在于，所述第1光阻断部具有如下构件中的至少一个：含Cu、Ni、不锈钢或Fe的金属构件；具备含Ni、Cr或Ti的表面镀层的构件；或者具备电介质多层膜的构件。另外，本专利技术所涉及的半导体激光模块在上述专利技术的基础上，特征在于，所述光吸收体经由易导热体与所述筐体连接。另外，本专利技术所涉及的半导体激光模块在上述专利技术的基础上，特征在于，所述易导热体的热传导率为0.5W/mK以上。另外，本专利技术所涉及的半导体激光模块在上述专利技术的基础上，特征在于，所述光吸收体具有如下构件中的至少一个：含Cu、Ni、不锈钢或Fe的金属构件；具备含Ni、Cr、Ti的金属或含C的表面镀层的构件；含AlN或Al2O3的陶瓷构件；或者具备含AlN或Al2O3的覆盖表面的陶瓷层的构件。另外，本专利技术所涉及的半导体激光模块在上述专利技术的基础上，特征在于，还具备第2光阻断部，该2光阻断部配置在所述光纤的所述激光的出射端侧，抑制所述激光从所述光学部件的出射。另外，本专利技术所涉及的半导体激光模块在上述专利技术的基础上，特征在于，所述第2光阻断部具有如下构件中的至少一个：含Cu、Ni、不锈钢或Fe的金属构件；或者具备电介质多层膜的构件。另外，本专利技术所涉及的半导体激光模块在上述专利技术的基础上，特征在于，所述第2光阻断部的所述光学部件侧的面具有倾斜或曲率，使得入射到该面的光向远离所述光纤的方向反射。另外，本专利技术所涉及的半导体激光模块在上述专利技术的基础上，特征在于，所述光学部件是圆管状的玻璃毛细管。另外，本专利技术所涉及的半导体激光模块在上述专利技术的基础上，特征在于，所述光学部件的所述圆管的长度方向的长度为3mm以上，所述圆管的内径为0.13mm以下，所述圆管的外径为1.8mm以上。另外，本专利技术所涉及的半导体激光模块在上述专利技术的基础上，特征在于，所述光吸收体的所述激光的波长下的光吸收率被设为：沿着所述光纤的长度方向，所述激光的入射端侧较低。另外，本专利技术所涉及的半导体激光模块在上述专利技术的基础上，特征在于，所述光吸收体的与所述光学部件粘固的面的平均表面粗度被设为：沿着所述光纤的长度方向，所述激光的入射端侧较小。另外，本专利技术所涉及的半导体激光模块在上述专利技术的基础上，特征在于，所述光学部件在与所述光纤的长度方向正交的面上的从该光学部件的中心偏离的位置被所述光纤插通。另外，本专利技术所涉及的半导体激光模块在上述专利技术的基础上，特征在于，所述光学部件的与所述光纤的长度方向正交的截面的形状是多边形、花形或星形。另外，本专利技术所涉及的半导体激光模块在上述专利技术的基础上，特征在于，所述光学部件是具有在所述光纤的长度方向上延伸的2个贯通孔的2芯毛细管，在所述2个贯通孔中的任意1个贯通孔被所述光纤插通。另外，本专利技术所涉及的半导体激光模块在上述专利技术的基础上，特征在于，所述光学部件具有散射所述激光的光散射单元。另外，本专利技术所涉及的半导体激光模块在上述专利技术的基础上，特征在于，所述光散射单元是气泡。专利技术的效果根据本专利技术，能实现可靠性高的半导体激光模块。附图说明图1是本专利技术的实施方式所涉及的半导体激光模块的示意俯视图。图2是表征图1所示的半导体激光模块的侧面的示意局部剖视图。图3是放大图1所示的半导体激光模块的光纤、玻璃毛细管、光吸收体的示意截面图。图4是放大图1所示的半导体激光模块的第1光阻断部的示意局部剖视图。图5是表征从光纤泄漏的光从光纤的中心起的角度、和光强度的关系的示意图。图6是放大变形例所涉及的半导体激光模块的第1光阻断部的示意局部剖视图。图7是表征变形例所涉及的半导体激光模块的玻璃毛细管的与光纤的长度方向正交的截面的折射率的示意图。图8是变形例所涉及的半导体激光模块的玻璃毛细管的与光纤的长度方向正交的截面的示意截面图。图9是变形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光模块，其特征在于，具备：半导体激光元件，其输出激光；光纤，其具备芯部、和形成在芯部的外周的包层部，从一端入射所述激光，将该激光导波到该半导体激光模块的外部；光学部件，其配置在所述光纤的外周，将所述光纤固定；第1固定剂，其将所述光学部件和所述光纤粘固；光吸收体，其配置在所述光学部件的外周，将该光学部件固定；第1光阻断部，其配置在所述光纤的所述激光的入射端与所述光学部件之间；和筐体，其在内部收容所述半导体激光元件、所述光纤的入射所述激光侧的一端、和所述第1光阻断部，所述光学部件在所述激光的波长下有光透过性，所述光吸收体在所述激光的波长下有光吸收性。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.02.14 JP 2014-026241;2013.09.12 US 61/877,0691.一种半导体激光模块，其特征在于，具备：
半导体激光元件，其输出激光；
光纤，其具备芯部、和形成在芯部的外周的包层部，从一端入射所述
激光，将该激光导波到该半导体激光模块的外部；
光学部件，其配置在所述光纤的外周，将所述光纤固定；
第1固定剂，其将所述光学部件和所述光纤粘固；
光吸收体，其配置在所述光学部件的外周，将该光学部件固定；
第1光阻断部，其配置在所述光纤的所述激光的入射端与所述光学部
件之间；和
筐体，其在内部收容所述半导体激光元件、所述光纤的入射所述激光
侧的一端、和所述第1光阻断部，
所述光学部件在所述激光的波长下有光透过性，所述光吸收体在所述
激光的波长下有光吸收性。
2.根据权利要求1所述的半导体激光模块，其特征在于，
所述第1固定剂的折射率等于或高于所述包层部的折射率。
3.根据权利要求1所述的半导体激光模块，其特征在于，
具有第2固定剂，该第2固定剂将所述光学部件和所述光吸收体粘固，
所述第1固定剂和所述第2固定剂由同一材料构成，
所述第1固定剂以及所述第2固定剂的折射率大致等于所述光学部件
的折射率且高于所述包层部的折射率。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体激光模块，其特征在于，
所述光纤具备突出部，该突出部从所述光学部件突出到所述激光的入
射端侧。
5.根据权利要求4所述的半导体激光模块，其特征在于，
所述第1光阻断部在所述突出部的外周与所述光纤分离而配置。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体激光模块，其特征在于，
所述第1光阻断部具有如下构件中的至少一个：含Cu、Ni、不锈钢
或Fe的金属构件；具备含Ni、Cr或Ti的表面镀层的构件；或者具备电

\t介质多层膜的构件。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体激光模块，其特征在于，
所述光吸收体经由易导热体与所述筐体连接。
8.根据权利要求7所述的半导体激光模块，其特征在于，
所述易导热体的热传导率为0.5W/mK以上。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体激光模块，其特征在于，
所述光吸收体具有如下构件中的至少一个：含Cu、Ni、不锈钢或Fe
的金属构件；具备含Ni、Cr、Ti的金属或含...

【专利技术属性】
技术研发人员：石毛悠太，早水尚树，片山悦治，木村俊雄，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP