用于印刷晶体硅太阳电池正面电极的网布结构制造技术

本实用新型专利技术涉及晶体硅太阳电池技术领域，尤其涉及一种用于印刷晶体硅太阳电池正面电极的网布结构，包括网布本体（1）、设置在网布本体（1）上设有用于印刷第一副栅线的第一镂空区以及用于印刷第二副栅线的第二镂空区，所述第一镂空区包括多条平行设置的第一镂空条（2），所述第二镂空区包括多条与第一镂空条垂直的第二镂空条（3），所述第二镂空条（3）的宽度与第一镂空条（2）的宽度之比为0.65‑0.85。采用这种网布结构能使印刷出来的第一副栅线与第二副栅线宽度大致相同。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶体硅太阳电池
，尤其涉及一种用于印刷晶体硅太阳电池正面电极的网布结构。
技术介绍
晶体硅太阳电池的电极一般是通过丝网印刷的方式制作的。具体过程是：先制作电极形状的模板，也就是网版上的网布，然后将电极浆料铺在已制作电极图案的网布上，利用刮条挤压网布，随着刮条的移动，浆料就会从图案区域漏印在电池片上，形成电极。晶体硅太阳电池正面电极包括主栅线和副栅线。主栅线的作用主要是为了组件焊接，副栅线作用是收集光生载流子，而且为了增强电流收集效果，提高了电池光电转换效率，副栅线包括与主栅线垂直的第一副栅线以及与主栅线平行的第二副栅线，所以网布上也需要设置用于印刷第一副栅线的第一镂空区以及用于印刷第二副栅线的第二镂空区。在现有技术中，网布上的第一镂空区与第二镂空区的宽度是相同，印刷方向是与第一镂空区一致的，这样在印刷时，当刮条印刷到与刮条平行的第二镂空区时，刮条上的力会全部作用在第二镂空区上，这样容易把浆料挤出较多，造成印刷在电池片上的第二副栅线比设计的要粗，进而导致电池遮光面积变大，效率变低，并且还会浪费浆料，同时对电池外观的一致性也产生了一定的影响。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是：提供一种能使印刷出来的第一副栅线与第二副栅线宽度大致相同的用于印刷晶体硅太阳电池正面电极的网布结构。本技术所采用的技术方案是：一种用于印刷晶体硅太阳电池正面电极的网布结构，包括网布本体、设置在网布本体上设有用于印刷第一副栅线的第一镂空区以及用于印刷第二副栅线的第二镂空区，所述第一镂空区包括多条平行设置的第一镂空条，所述第二镂空区包括多条与第一镂空条垂直的第二镂空条，其特征在于：所述第二镂空条的宽度与第一镂空条的宽度之比为0.65-0.85。采用以上结构与现有技术相比，本技术具有以下优点：将网布上用于印刷第二副栅线的第二镂空条做的做的窄一点，这样因为印刷第二副栅线时有浆料会挤出来，所以印刷完成后第一副栅线与第二副栅线的宽度是大致相同的，即不会导致电池片的遮光面积变大，提高了电池效率，而且减少了浆料的浪费，并且能保证电池外观的一致性。作为优选，所述第二镂空条的宽度与第一镂空条的宽度之比为0.7-0.8。这样设置使得印刷完后两者的宽度差距较小。附图说明图1为本技术网布的结构示意图。如图所示：1、网布本体；2、第一镂空条；3、第二镂空条。具体实施方式以下结合附图与具体实施方式对本技术做进一步描述，但是本技术不仅限于以下具体实施方式。一种用于印刷晶体硅太阳电池正面电极的网布结构，包括网布本体1、设置在网布本体1上设有用于印刷第一副栅线的第一镂空区以及用于印刷第二副栅线的第二镂空区，所述第一镂空区包括多条平行设置的第一镂空条2，所述第二镂空区包括多条与第一镂空条垂直的第二镂空条3，所述第二镂空条3的宽度与第一镂空条2的宽度之比为0.65-0.85。所述第二镂空条3的宽度与第一镂空条2的宽度之比为0.7-0.8。所述第一镂空条2与第二镂空条3的四周还设有档条。本具体实施例中可以将第一镂空条2的宽度设计成0.036mm，则第二镂空条3设计成0.029mm。这样印刷方向是跟第一镂空条的方向一致。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于印刷晶体硅太阳电池正面电极的网布结构，包括网布本体（1）、设置在网布本体（1）上设有用于印刷第一副栅线的第一镂空区以及用于印刷第二副栅线的第二镂空区，所述第一镂空区包括多条平行设置的第一镂空条（2），所述第二镂空区包括多条与第一镂空条垂直的第二镂空条（3），其特征在于：所述第二镂空条（3）的宽度与第一镂空条（2）的宽度之比为0.65‑0.85。

【技术特征摘要】
1.一种用于印刷晶体硅太阳电池正面电极的网布结构，包括网布本体（1）、设置在网布本体（1）上设有用于印刷第一副栅线的第一镂空区以及用于印刷第二副栅线的第二镂空区，所述第一镂空区包括多条平行设置的第一镂空条（2），所述第二镂空区包括多条与第一镂空条...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟，陈筑，刘晓巍，
申请(专利权)人：宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33