【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED
,特别涉及一种增强光取出效率的LED芯片结构。
技术介绍
LED的结构通常包括依次设置的衬底、N-GaN层、有源区和P-GaN层,通过刻蚀LED芯片形成台阶,将N-GaN层裸露出来,在N-GaN层上形成N电极,在P-GaN层上形成透明导电层,透明导电层上形成P电极。该传统结构由于蚀刻台阶处的内外折射率相差过大,GaN的折射率在2.3左右,而空气的折射率为1,因此台阶面处的侧向光将在GaN的界面处形成全反射,而使侧向光无法射出,导致侧向光的取出效率偏低。另外LED芯片属于五面发光芯片,为了达到部分正向光强大的特殊需求,在芯片段常用的方法是在芯片侧壁增加反射金属。增加反射金属的方法会导致出射光反射回芯片内部,在芯片四个侧壁之间来回反射,最终光被转化成热量。鉴于此,本专利技术人为此研制出一种增强光取出效率的LED芯片结构,有效的解决了上述问题,本案由此产生。
技术实现思路
本专利技术提供的一种增强光取出效率的LED芯片结构,大大增加了LED芯片侧向光的正向取出效率,增加了LED芯片的正向光强度。为了实现上述目的,本专利技术的技术方案如下:一种增强光取出效率的LED芯片结构,包括衬底、N-GaN层、有源层、P-GaN层、低折射率填充料、P电极和N电极,衬底上依次形成N-GaN层、有源层和P-GaN层,有源层和P-GaN层经蚀刻形成台阶沟道裸露出部分N-GaN层,台阶沟道内填充低折射率填充料,裸露出的部分N-GaN层和N电极连接,P型层和P电极连接。所述低折射率填充料的折色率为1.6-1.8。所述低折射率填充料的材质为氮化硅或氧化铝。所述台 ...
【技术保护点】
一种增强光取出效率的LED芯片结构,其特征在于:包括衬底、N‑GaN层、有源层、P‑GaN层、低折射率填充料、P电极和N电极,衬底上依次形成N‑GaN层、有源层和P‑GaN层,有源层和P‑GaN层经蚀刻形成台阶沟道裸露出部分N‑GaN层,台阶沟道内填充低折射率填充料,裸露出的部分N‑GaN层和N电极连接,P型层和P电极连接。
【技术特征摘要】
1.一种增强光取出效率的LED芯片结构,其特征在于:包括衬底、N-GaN层、有源层、P-GaN层、低折射率填充料、P电极和N电极,衬底上依次形成N-GaN层、有源层和P-GaN层,有源层和P-GaN层经蚀刻形成台阶沟道裸露出部分N-GaN层,台阶沟道内填充低折射率填充料,裸露出的部分N-GaN层和N电极连接,P型层和P电极连接。2.如权利要求1所述的一种增强光取出效率的LED芯片结构,其特征在于:所述低折射率填充料的折色率为1.6-1.8。3.如权利要求1所述的一种增强光取出效率的LED芯片结构,其特征在于:所述低折射率填充料的材质为氮化硅或氧化铝。4.如权利要求1所述的一种增强光取出效率的LED芯片结构,其特征在于:所述台阶沟道壁和低折射率填充料之间还形成一层折射率介于GaN和...
【专利技术属性】
技术研发人员:邬新根,张永,陈凯轩,李俊贤,吴奇隆,李小平,陈亮,刘英策,魏振东,周弘毅,黄新茂,蔡立鹤,
申请(专利权)人:厦门乾照光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:福建;35
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