专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
厦门乾照光电股份有限公司
>
一种增强光取出效率的LED芯片结构制造技术
>技术资料下载
下载一种增强光取出效率的LED芯片结构的技术资料
文档序号:14027589
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种增强光取出效率的LED芯片结构,包括衬底、N‑GaN层、有源层、P‑GaN层、低折射率填充料、P电极和N电极,衬底上依次形成N‑GaN层、有源层和P‑GaN层,有源层和P‑GaN层经蚀刻形成台阶沟道裸露出部分N‑GaN层,台...
该专利属于厦门乾照光电股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过厦门乾照光电股份有限公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。