微波处理装置制造方法及图纸

微波炉(20)包括具有E弯结构的波导管(3)和多个开口(4a、4b)。波导管(3)具有使微波从磁控管(2)向加热室(1)传播的第1部分(3a)、以及宽幅面与加热室(1)的外侧相接的第2部分(3b)。多个开口(4a、4b)被设置在加热室(1)的侧面，将波导管(3)与加热室(1)连通，多个开口(4a、4b)具有至少一个产生圆偏振波的圆偏振波开口(4a)。圆偏振波开口(4a)被设置为：圆偏振波开口(4a)的中心偏离于截面投影区域，所述截面投影区域是通过将与第1部分(3a)的管轴(7a)垂直的第1部分(3a)的截面沿着第1部分(3a)的管轴(7a)假想地投影到加热室(1)的侧面而限定的。通过该结构，能够利用紧凑的波导管可靠地产生圆偏振波。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及利用微波对被加热物进行加热的微波炉等微波处理装置(Microwave treatment apparatus)。
技术介绍
微波处理装置是如下这样的装置：由作为代表性的微波产生部的磁控管产生的微波经由波导管供给至加热室，对载置于加热室内的食品等被加热物进行加热。但是，所供给的微波在加热室内产生的电场分布未必是均匀的。以往，为了对被加热物均匀地进行加热，使用了如下方法：利用马达使转台旋转来使被加热物在加热室内旋转；或者，利用马达使旋转天线旋转来搅拌微波而供给到加热室内。另一方面，提出了如下方法：利用电场的偏振面随着时间经过而旋转的圆偏振波或者椭圆偏振波，来对被加热物均匀地进行加热。为了产生圆偏振波或者椭圆偏振波，需要使用激励方向交叉的一对激励单元，产生设有相位差的一对激励。图12是示出在以往的微波处理装置中的波导管的表面上流动的电流的图。如图12所示，对于微波以TE10模式进行传播的方形波导管类型的波导管100而言，与长边方向、即微波的传播方向垂直的截面的形状是长方形，具有窄幅面(Narrow plain)102和比窄幅面102的宽度宽的宽幅面(Wide plain)103。在这样的波导管100中，在与微波传播方向垂直的截面101上设置开口的情况下，在波导管100内产生方向一致的电场104，产生单一轴向的激励。在窄幅面102上设置开口的情况下，在窄幅面102上沿着一致的方向流过电流105，产生单一轴向的激励。但是，在宽幅面103上设置开口的情况下，在宽幅面103上，根据位置而在各种各样的方向上流过电流105，产生2个轴向的激励。出于上述原因，如果要使用激励方向交叉的一对激励单元产生圆偏振波的话，需要在宽幅面103上设置开口。由于微波的传播，使得激励位置随着时间移动，因此，例如能够通过组合地设置两个开口来产生圆偏振波。图13A、图13B是用于对开口107产生圆偏振波的情形进行说明的状态转移图。开口107具有两个长方形缝隙以90度的交叉角度相交叉的十字缝隙(Cross slot)形状，以产生圆偏振波。图13A、图13B示出了微波的传播方向109和在开口107中产生的圆偏振波的旋转方向。图13A示出了微波从纸面的上方向下方传播的情况，图13B示出了微波从纸面的下方向上方传播的情况。在图13A中，波导管100内的传播方向109是纸面的下方向。由微波产生的磁场108也随着时间的经过向纸面的下方向移动。如图13A所示，在时刻t0，通过磁场108，使得开口107的一个长方形缝隙向着激励方向110a受到激励。在一定时间后的时刻t1，磁场108向下方向移动。在时刻t1，开口107的另一个缝隙向着激励方向110b受到激励。在时刻t2、t3，激励方向110c、110d如图示那样依次改变，产生向逆时针方向旋转的圆偏振波。在图13B中，波导管100内的传播方向109是纸面的上方向。由微波产生的磁场108也随着时间的经过向纸面的上方向移动。在图13B中也是，当随着时间的经过而从时刻t0达到t3时，开口107中的激励方向110a、110b、110c、110d如图示那样依次改变，与图13A相反地产生向顺时针方向旋转的圆偏振波。如上所述，根据波导管100内的传播方向109，产生逆旋转的圆偏振波。图14是专利文献1所记载的以往的微波处理装置中产生圆偏振波的波导管的概略俯视图。图15是专利文献2所记载的以往的微波处理装置中产生圆偏振波的波导管的概略立体图。如图14所示，专利文献1中示出了在波导管106a上设有两个长方形缝隙垂直交叉的开口107的结构。如图15所示，专利文献2中记载有在波导管106b的宽幅面上设有不交叉且彼此垂直的两个长方形缝隙状的开口107a、107b的结构。现有技术文献专利文献专利文献1：美国专利第4301347号说明书专利文献2：日本特许第3510523号公报
技术实现思路
但是，在专利文献1、2所记载的现有技术中，为了避免磁控管附近的电磁场分布的紊乱等的影响，不得不将波导管106a、106b设计得较长。在波导管106a、106b的末端产生的反射波会产生逆旋转方向的圆偏振波，因此，会抵消掉激励方向的旋转，而且会由于在波导管106a、106b内产生驻波而导致来自开口的辐射效率降低。在专利文献1所记载的现有技术中，如图14所示，为了改变反射波的相位，在波导管106a的末端设置有移相器(Phase shifter)111这一旋转体。但是，在该现有技术中，不但波导管106a大幅变长，而且也没有确认到减少反射波的效果。本专利技术用于解决上述问题点，目的在于提供一种能够使用紧凑的波导管来高效地产生圆偏振波或者椭圆偏振波的微波处理装置。为了解決上述以往的问题点，本专利技术的一个方式的微波处理装置具有：收纳被加热物的加热室、产生微波的微波产生部、波导管、以及多个开口。波导管具备E弯结构(E-bend structure)，并且具有第1部分和第2部分，其中，所述第1部分使微波从微波产生部向加热室传播，所述第2部分的宽幅面与加热室的外侧相接。在加热室的侧面设有多个开口，多个开口将波导管与加热室连通，具有至少一个产生圆偏振波的圆偏振波开口。圆偏振波开口被设置为：圆偏振波开口的中心偏离于截面投影区域，所述截面投影区域是通过将与第1部分的管轴垂直的第1部分的截面沿着第1部分的管轴假想地投影到加热室的侧面而限定的。根据本方式，能够抑制磁控管附近的电磁场分布的紊乱等的影响。其结果，能够利用紧凑的波导管可靠地产生圆偏振波或者椭圆偏振波。附图说明图1是本专利技术的实施方式1的微波处理装置的截面图。图2是示出实施方式1的微波处理装置中的将加热室和波导管连通的开口的图。图3是实施方式1的微波处理装置的放大截面图。图4A是示出本专利技术的实施方式2中的将加热室和波导管连通的开口的一个例子
的图。图4B是示出实施方式2中的开口的一个例子的图。图4C是示出实施方式2中的开口的一个例子的图。图4D是示出实施方式2中的开口的一个例子的图。图5A是示出本专利技术的实施方式3中的将加热室和波导管连通的开口的一个例子的图。图5B是示出实施方式3中的开口的一个例子的图。图5C是示出实施方式3中的开口的一个例子的图。图6A是示出本专利技术的实施方式4中的将加热室和波导管连通的开口的形状的一个例子的图。图6B是示出实施方式4中的开口的形状的一个例子的图。图6C是示出实施方式4中的开口的形状的一个例子的图。图6D是示出实施方式4中的开口的形状的一个例子的图。图6E是示出实施方式4中的开口的形状的一个例子的图。图6F是示出实施方式4中的开口的形状的一个例子的图。图6G是示出实施方式4中的开口的形状的一个例子的图。图6H是示出实施方式4中的开口的形状的一个例子的图。图6I是示出实施方式4中的开口的形状的一个例子的图。图7是示出本专利技术的实施方式5中的将加热室和波导管连通的开口的形状的图。图8A是示出本专利技术的实施方式6中的将加热室和波导管连通的开口的形状的一个例子的图。图8B是示出实施方式6中的将加热室和波导管连通的开口的形状的一个例子的图。图9是对实施方式6中的圆偏振波的产生情形进行说明的状态转移图。图10是示出本专利技术的实施方式7中的将加热室和波导管连通的开口的形状的一个例子的图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微波处理装置，其具有：加热室，其收纳被加热物；微波产生部，其产生微波；波导管，其具备E弯结构，并且具有第1部分和第2部分，所述第1部分使所述微波从所述微波产生部向所述加热室传播，所述第2部分的宽幅面与所述加热室的外侧相接；以及多个开口，所述多个开口设置在所述加热室的侧面，将所述波导管与所述加热室连通，所述多个开口具有至少一个产生圆偏振波的圆偏振波开口，所述圆偏振波开口被设置为，所述圆偏振波开口的中心偏离于截面投影区域，所述截面投影区域是通过将与所述第1部分的管轴垂直的所述第1部分的截面沿着所述第1部分的管轴假想地投影到所述加热室的侧面而限定的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.25 JP 2014-061329;2015.01.23 JP 2015-011261.一种微波处理装置，其具有：加热室，其收纳被加热物；微波产生部，其产生微波；波导管，其具备E弯结构，并且具有第1部分和第2部分，所述第1部分使所述微波从所述微波产生部向所述加热室传播，所述第2部分的宽幅面与所述加热室的外侧相接；以及多个开口，所述多个开口设置在所述加热室的侧面，将所述波导管与所述加热室连通，所述多个开口具有至少一个产生圆偏振波的圆偏振波开口，所述圆偏振波开口被设置为，所述圆偏振波开口的中心偏离于截面投影区域，所述截面投影区域是通过将与所述第1部分的管轴垂直的所述第1部分的截面沿着所述第1部分的管轴假想地投影到所述加热室的侧面而限定的。2.根据权利要求1所述的微波处理装置，其中，所述微波处理装置还具有反射波抑制开口，所述反射波抑制开口被设置在比所述圆偏振波开口靠所述波导管的末端侧的位置处，具有所述微波的波长的一半以上的长度。3.根据权利要求2所述的微波处理装置，其中，所述微...

【专利技术属性】
技术研发人员：大森义治，吉野浩二，辻本真佐治，山口崇任，平田顺士，明石孝之，贞平匡史，久保昌之，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP