电光学装置以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够提高显示品质的电光学装置以及电子设备。该电光学装置具备：设置在第一基材(10a)上的半导体层(30a)、设置在半导体层(30a)之上的栅极电极(30g)、设置在半导体层(30a)与第一基材(10a)之间的第一遮光膜(51)、沿半导体层(30a)中的第一基材(10a)的延伸方向设置的第二遮光膜(52)、以及设置在半导体层(30a)的与第一基材(10a)相反侧的第三遮光膜(53)，第二遮光膜(52)被埋入在形成在第一遮光膜(51)与第三遮光膜(53)之间的槽之中，第三遮光膜(53)经由第二遮光膜(52)与栅极电极(30g)以及第一遮光膜(51)电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电光学装置以及电子设备。
技术介绍
作为上述电光学装置，例如已知有按每个像素具有对像素电极进行开关控制的晶体管的有源驱动方式的液晶装置。该液晶装置例如被用作作为电子设备的液晶投影仪的液晶光阀。伴随着上述液晶投影仪的高亮度化，有晶体管的漏光(电流)增加的趋势，因此为了维持显示品位，构成晶体管的半导体层的周围的遮光构造变得重要起来。于是，专利文献1(参照图14)以及专利文献2公开有通过在半导体层102的周围形成槽103，在槽103的侧壁形成金属膜104，来遮挡来自半导体层102(例如LDD(Lightly Doped Drain：轻掺杂漏极)区域)的光的技术。图14是表示以往的液晶装置101的构造的概略剖视图。图14所示的液晶装置101从基板105侧起按顺序设置有第一扫描线106、第一层间绝缘层107、半导体层102、栅极绝缘层108、兼作栅极电极的第二扫描线109(104)、第二层间绝缘层110以及遮光膜111。第二扫描线109经由贯通栅极绝缘层108以及第一层间绝缘层107的槽103，与第一扫描线106电连接。专利文献1：日本特开2010－117399号公报专利文献2：日本特开2001－356371号公报然而，在上述专利文献1(参照图14)以及专利文献2中，存在如下课题：虽然在槽103的侧壁形成有金属膜104，但因在槽103之中存在空间，从而产生散射光，或因形成的金属膜104的材料而使得遮光性
并不充分。另外，存在从半导体层102到遮光膜111的距离较远，从而抑制漏光较难这样的课题。
技术实现思路
本专利技术的方式是为了解决上述课题的至少一部分而完成的，能够作为以下的方式或者应用例来实现。[应用例1]本应用例所涉及的电光学装置的特征在于，具备：基板；设置在上述基板上的构成晶体管的半导体层；设置在上述半导体层之上的构成上述晶体管的栅极电极；被设置于上述半导体层与上述基板之间的第一遮光膜；沿上述半导体层中的上述基板的延伸方向设置的第二遮光膜；以及被设置于上述栅极电极的与上述基板相反侧的第三遮光膜，上述第二遮光膜被埋入在形成于上述第一遮光膜与上述第三遮光膜之间的槽之中，上述第三遮光膜经由上述第二遮光膜与上述栅极电极以及上述第一遮光膜电连接。根据本应用例，由于第二遮光膜被埋入在槽之中，所以与在槽的侧壁形成有遮光膜的情况相比，能够提高遮光性。另外，由于在槽之中没有空间，所以能够抑制产生杂散光。此外，第三遮光膜经由第二遮光膜与栅极电极以及第一遮光膜电连接，所以能够至少在半导体层的周围的一部分，通过第一遮光膜、第二遮光膜以及第三遮光膜完全遮挡漏光。[应用例2]在上述应用例所涉及的电光学装置中，优选与上述栅极电极以及上述第二遮光膜相比，上述第三遮光膜的遮光性较高。根据本应用例，与栅极电极以及第二遮光膜相比，第三遮光膜的遮光性较高，换而言之，第二遮光膜使用较容易埋入于槽之中的材料，第三遮光膜使用遮光性较高的材料，从而能够以具有高遮光性的方式覆盖半导体层的周围。因此，能够遮挡漏光。[应用例3]在上述应用例所涉及的电光学装置中，优选上述第二遮光膜是钨，上述第三遮光膜是铝。根据本应用例，通过对第二遮光膜以及第三遮光膜选择上述材料，来将埋入性高的钨埋入至槽之中，在上部选择铝，由此能够提高遮光性。
由此，能够提高对漏光的遮光性。[应用例4]在上述应用例所涉及的电光学装置中，优选上述第三遮光膜是扫描线。根据本应用例，通过将第三遮光膜(铝)用作扫描线，从而能够减小电阻，即使在像素数量多的情况下，也能够加快写入速度。[应用例5]在上述应用例所涉及的电光学装置中，优选具备与上述晶体管的源极和漏极中的一方电连接的第一接触孔、以及与上述源极和漏极中的另一方电连接的第二接触孔，上述第一接触孔以及上述第二接触孔的高度至少形成到上述第三遮光膜的高度。根据本应用例，配置与源极和漏极中的一方以及另一方连接的第一接触孔以及第二接触孔，所以能够提高半导体层中的源极和漏极方向(半导体层的延伸方向)的遮光性。[应用例6]本应用例所涉及的电子设备的特征在于，具备上述的电光学装置。根据本应用例，由于具备上述的电光学装置，所以能够提供能够提高显示品质的电子设备。附图说明图1是表示液晶装置的结构的示意俯视图。图2是沿着图1所示的液晶装置的H－H’线的示意剖视图。图3是表示液晶装置的电性结构的等效电路图。图4是表示液晶装置的像素的构造的概略剖视图。图5是表示像素的构造的概略俯视图。图6是沿着图5所示的像素的A－A’线的放大剖视图。图7是沿着图5所示的像素的B－B’线的放大剖视图。图8是沿着图5所示的像素的C－C’线的放大剖视图。图9是沿着图5所示的像素的D－D’线的放大剖视图。图10是按工序顺序表示液晶装置的制造方法的流程图。图11是表示液晶装置的制造方法中的一部分制造方法的概略剖视图。图12是表示液晶装置的制造方法中的一部分制造方法的概略剖视图。图13是表示作为电子设备的投影仪的结构的概略图。图14是表示以往的液晶装置的结构的概略剖视图。附图标记说明：3a…扫描线，3b…电容线，6a…数据线，10…元件基板，10a…作为基板的第一基材，13…绝缘层，14…密封材料，15…液晶层，16…电容元件，18…遮光层，20…对置基板，20a…第二基材，22…数据线驱动电路，24…扫描线驱动电路，26…上下导通部，27…像素电极，28、32…取向膜，29…布线，30…作为晶体管的TFT(像素TFT)，30a…半导体层，30c…沟道区域，30d…像素电极侧源极和漏极区域，30d1…像素电极侧LDD区域，30g…栅极电极，30s…数据线侧源极和漏极区域，30s1…数据线侧LDD区域，31…共用电极，33…栅极绝缘膜，34…焊盘，35…接触孔(第一接触孔、第二接触孔)，36…中继电极，41…第一绝缘层，42…第二绝缘层，43…第三绝缘层，51…第一遮光膜，52…第二遮光膜，52a…槽，52a1…第一槽，52a2…第二槽，52a3…第三槽，52a4…第四槽，53…第三遮光膜，61…外部连接端子，100…液晶装置，1000…作为电子设备的投影仪，1100…偏振光照明装置，1101…灯单元，1102…集成透镜，1103…偏振光转换元件，1104、1105…分色镜，1106、1107、1108…反射镜，1201、1202、1203、1204、1205…中继透镜，1206…十字分色棱镜，1207…投射透镜，1210、1220、1230…液晶光阀，1300…屏幕，1400…投射光学系统。具体实施方式以下，根据附图对将本专利技术具体化了的实施方式进行说明。此外，
使用的附图被适当地放大或者缩小来显示，以便使要说明的部分成为能够识别的状态。此外，在以下的方式中，设例如记载为“在基板上”的情况表示：配置成接触到基板之上的情况，或者隔着其他构成物配置在基板之上的情况，或者一部分以接触的方式配置在基板之上、一部分隔着其他构成物配置的情况。在本实施方式中，例举具备薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)来作为像素的开关元件的有源矩阵型的液晶装置来进行说明。该液晶装置例如能够作为后述的投射型显示装置(液晶投影仪)的光调制元件(液晶光阀)来优选使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光学装置，其特征在于，具备：基板；半导体层，其被设置在所述基板上，并且构成晶体管；栅极电极，其被设置在所述半导体层之上，并且构成所述晶体管；第一遮光膜，其被设置在所述半导体层与所述基板之间；第二遮光膜，其沿所述半导体层中的所述基板的延伸方向设置；以及第三遮光膜，其被设置在所述栅极电极的与所述基板相反侧，所述第二遮光膜被埋入在形成于所述第一遮光膜与所述第三遮光膜之间的槽之中，所述第三遮光膜经由所述第二遮光膜与所述栅极电极以及所述第一遮光膜电连接。

【技术特征摘要】
2015.03.31 JP 2015-0015321.一种电光学装置，其特征在于，具备：基板；半导体层，其被设置在所述基板上，并且构成晶体管；栅极电极，其被设置在所述半导体层之上，并且构成所述晶体管；第一遮光膜，其被设置在所述半导体层与所述基板之间；第二遮光膜，其沿所述半导体层中的所述基板的延伸方向设置；以及第三遮光膜，其被设置在所述栅极电极的与所述基板相反侧，所述第二遮光膜被埋入在形成于所述第一遮光膜与所述第三遮光膜之间的槽之中，所述第三遮光膜经由所述第二遮光膜与所述栅极电极以及所述第一遮光膜电连接。2.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉本阳平，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP