TFT基板的制作方法技术

本发明专利技术提供一种TFT基板的制作方法，通过在栅极扫描线的侧边形成防静电凸块，之后在层间绝缘层上形成对应所述防静电凸块上方的第二过孔，从而在沉积源漏极金属层后，所述源漏极金属层通过第二过孔与所述栅极扫描线侧边的防静电凸块相接触，由于所述栅极扫描线连接第一、第二栅极，从而所述源漏极金属层与所述第一、第二栅极相连接，同时所述源漏极金属层还与多晶硅层相连接，从而使得多晶硅层与第一、第二栅极之间的电压为零，不仅能够确保在源漏极金属层的成膜过程中不会发生静电放电现象，而且能够有效降低在源漏极金属层的光刻制程完成前静电放电现象的发生率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT基板的制作方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。通常液晶显示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括:前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动冲段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。随着智能手机的快速发展，移动显示已经由a-Si (非晶硅)TFT-LCD过渡为LTPS(低温多晶硅)TFT-LCD。由于LTPS技术具有电子迀移率高的优势，非常适合用于制作高分辨率显示器件。但在目前LTPS技术中，TFT阵列基板制作过程中的静电放电(ESD)防护是一难题。在TFT阵列基板的制作工艺过程中，像素区一旦发生ESD，则会导致单点像素的TFT工作异常，或ESD所在行、列的所有像素显示异常，阵列基板无法正常工作。如图1所示，特别是在采用物理气相沉积(PVD)方法进行源漏极金属层100的镀膜过程中，很容易在栅极200和多晶硅层300之间发生ESD。为了降低TFT阵列基板制作工艺过程中ESD的发生率，技术人员采取了设备加装离子棒(Bar)、接地等各种措施，但是这些措施的效果都不显著。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，不仅能够确保在源漏极金属层的成膜过程中不会发生静电放电现象，而且能够有效降低在源漏极金属层的光刻制程完成前静电放电现象的发生率。为实现上述目的，本专利技术提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤:步骤1、提供一基板，在所述基板上形成遮光金属层，对所述遮光金属层进行图案化处理，得到数个遮光金属块，在所述数个遮光金属块、及基板上形成缓冲层；步骤2、在所述缓冲层上形成数个间隔设置的多晶硅层，每个多晶硅层包括位于两端的第一重掺杂区与第二重掺杂区、位于中间的第三重掺杂区、位于所述第一重掺杂区与第三重掺杂区之间的第一沟道区、及位于所述第二重掺杂区与第三重掺杂区之间的第二沟道区;所述第一沟道区与第二沟道区分别对应一遮光金属块上方设置；步骤3、在所述多晶硅层、及缓冲层上形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上通过物理气相沉积方法形成栅极金属层，对该栅极金属层进行图案化处理，得到对应第一沟道区上方的第一栅极、及对应第二沟道区上方的第二栅极、以及连接第一栅极与第二栅极的栅极扫描线，同时在所述栅极扫描线的侧边形成数个与其相连的防静电凸块；步骤4、在所述第一、第二栅极、栅极扫描线、及栅极绝缘层上方形成层间绝缘层，对所述层间绝缘层及栅极绝缘层进行图案化处理，在所述层间绝缘层及栅极绝缘层上形成对应第一重掺杂区及第二重掺杂区上方的的第一过孔，在所述层间绝缘层上形成对应所述防静电凸块上方的第二过孔；步骤5、在层间绝缘层上通过物理气相沉积方法形成覆盖整个层间绝缘层的源漏极金属层，所述源漏极金属层通过第一过孔与第一重掺杂区及第二重掺杂区相接触，同时通过第二过孔与所述栅极扫描线侧边的防静电凸块相接触，由于所述栅极扫描线连接第一栅极与第二栅极，从而所述源漏极金属层与所述第一、第二栅极相连接，同时所述源漏极金属层还与多晶硅层相连接，从而使得多晶硅层与第一、第二栅极之间的电压为零，避免了源漏极金属层的成膜过程中多晶硅层与第一、第二栅极之间发生静电放电现象；步骤6、采用一道光刻制程对所述源漏极金属层进行图案化处理，得到源极与漏极，所述源极、漏极分别通过第一过孔与第一重掺杂区及第二重掺杂区相接触。所述步骤I中，所述基板为透明基板，所述缓冲层为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。所述步骤2中，所述第一重掺杂区、第二重掺杂区、及第三重掺杂区均为N型重掺杂区或P型重掺杂区。所述N型重掺杂区中掺入的离子为磷离子或砷离子;所述P型重掺杂区中掺入的离子为硼离子或镓离子。所述步骤3中，沿所述栅极扫描线的延伸方向，每三个相邻的多晶硅层之间设置一个防静电凸块。所述步骤3中，所述栅极金属层的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合;所述栅极绝缘层为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。所述步骤4中，所述层间绝缘层为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层;所述步骤5中，所述源漏极金属层的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。所述步骤6中，所述光刻制程包括光阻涂布、曝光、显影、干蚀刻、及光阻剥离制程。在干蚀刻过程中，所述源漏极金属层沉积于第二过孔中的部分被蚀刻掉，从而得到的源极、漏极与栅极扫描线、及第一、第二栅极之间断开连接。本专利技术的有益效果:本专利技术提供的一种TFT基板的制作方法，通过在栅极扫描线的侧边形成防静电凸块，之后在层间绝缘层上形成对应所述防静电凸块上方的第二过孔，从而在沉积源漏极金属层后，所述源漏极金属层通过第二过孔与所述栅极扫描线侧边的防静电凸块相接触，由于所述栅极扫描线连接第一、第二栅极，从而所述源漏极金属层与所述第一、第二栅极相连接，同时所述源漏极金属层还与多晶硅层相连接，从而使得多晶硅层与第一、第二栅极之间的电压为零，不仅能够确保在源漏极金属层的成膜过程中不会发生静电放电现象，而且能够有效降低在源漏极金属层的光刻制程完成前静电放电现象的发生率；另外，由于栅极扫描线的侧边设置有连通防静电凸块的第二过孔，从而在栅极扫描线发生断路时，便于采用化学气相沉积的方法进行修补。为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。【附图说明】下面结合附图，通过对本专利技术的【具体实施方式】详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。附图中，图1为现有的TFT基板制作过程中发生ESD现象的示意图；图2为本专利技术的TFT基板的制作方法的示意流程图；图3为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤I的示意图；图4-5为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤2的示意图；图6-7为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤3的示意图；图8-9为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤4的示意图；图10-11为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤5的示意图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上形成遮光金属层，对所述遮光金属层进行图案化处理，得到数个遮光金属块(20)，在所述数个遮光金属块(20)、及基板(10)上形成缓冲层(21)；步骤2、在所述缓冲层(21)上形成数个间隔设置的多晶硅层(30)，每个多晶硅层(30)包括位于两端的第一重掺杂区(301)与第二重掺杂区(302)、位于中间的第三重掺杂区(303)、位于所述第一重掺杂区(301)与第三重掺杂区(303)之间的第一沟道区(304)、及位于所述第二重掺杂区(302)与第三重掺杂区(303)之间的第二沟道区(305)；所述第一沟道区(304)与第二沟道区(305)分别对应一遮光金属块(20)上方设置；步骤3、在所述多晶硅层(30)、及缓冲层(21)上形成栅极绝缘层(31)，在所述栅极绝缘层(31)上通过物理气相沉积方法形成栅极金属层，对该栅极金属层进行图案化处理，得到对应第一沟道区(304)上方的第一栅极(43)、及对应第二沟道区(305)上方的第二栅极(44)、以及连接第一栅极(43)与第二栅极(44)的栅极扫描线(41)，同时在所述栅极扫描线(41)的侧边形成数个与其相连的防静电凸块(42)；步骤4、在所述第一、第二栅极(43、44)、栅极扫描线(41)、及栅极绝缘层(31)上方形成层间绝缘层(50)，对所述层间绝缘层(50)及栅极绝缘层(31)进行图案化处理，在所述层间绝缘层(50)及栅极绝缘层(31)上形成对应第一重掺杂区(301)及第二重掺杂区(302)上方的的第一过孔(51)，在所述层间绝缘层(50)上形成对应所述防静电凸块(42)上方的第二过孔(52)；步骤5、在层间绝缘层(50)上通过物理气相沉积方法形成覆盖整个层间绝缘层(50)的源漏极金属层(60)，所述源漏极金属层(60)通过第一过孔(51)与第一重掺杂区(301)及第二重掺杂区(302)相接触，同时通过第二过孔(52)与所述栅极扫描线(41)侧边的防静电凸块(42)相接触，由于所述栅极扫描线(41)连接第一栅极(43)与第二栅极(44)，从而所述源漏极金属层(60)与所述第一、第二栅极(43、44)相连接，同时所述源漏极金属层(60)还与多晶硅层(30)相连接，从而使得多晶硅层(30)与第一、第二栅极(43、44)之间的电压为零，避免了源漏极金属层(60)的成膜过程中多晶硅层(30)与第一、第二栅极(43、44)之间发生静电放电现象；步骤6、采用一道光刻制程对所述源漏极金属层(60)进行图案化处理，得到源极(61)与漏极(62)，所述源极(61)、漏极(62)分别通过第一过孔(51)与第一重掺杂区(301)及第二重掺杂区(302)相接触。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王威，李安石，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42