本实用新型专利技术公开了一种基于MOS管的新型直流电机驱动控制电路，由4个MOSFET组成的两通道推挽式功率放大电路组成,通过控制4个MOSFET的导通与截止，来控制电机的正转、反转和停止。该驱动电路具有低静态工作电流，宽电源电压范围2.5V～15v，具有连续1500mA的电流输出能力，TTL/CMOS输出电平兼容，可直接连CPU。内置钳位二极管，适用于感性负载。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电机控制技术，具体地说是一种基于MOS管的直流电机驱动技术。
技术介绍
如今，在诸如智能水表，热量表等智能仪表的阀门控制中，绝大多数设计方案都采用三极管构建的驱动电路来驱动。三极管是电流控制型元器件，若要提高驱动能力，控制器必须提供更大的基极电流，然而控制器电流输出能力一般都比较小，即便选用放大倍数较大的三极管，其驱动能力的提高也并不明显，还增加了产品成本。
技术实现思路
为解决三极管电路驱动能力不足的难题，本技术的目的是提供一种基于MOS管(即金属氧化物半导体场效应晶体管)的直流电机驱动电路，以提高驱动能力。本技术采用的技术方案是:本技术有4个MOSFET组成的两通道推挽式功率放大电路，通过控制4个MOSFET—M0SFET1、M0SFET2、M0SFET3、M0SFET4的导通与截止，来控制电机的正转、反转和停止:当M0SFET1 和 M0SFET4 导通，M0SFET2 和 M0SFET3 截止时，电机正转；当M0SFET1 和 M0SFET4 截止，M0SFET2 和 M0SFET3 导通时，电机反转；当M0SFET3和M0SFET4都截止时，电机停止。所述M0SFET1和M0SFET2是P沟道;M0SFET3和M0SFET4是N沟道;N型和P型MOS管组成H桥驱动电路。该智能仪表之阀门控制电路，采用4个MOSFET组成的两通道推挽式功率放大电路，具有低静态工作电流，较宽的电源电压范围2.5V?15v，连续1500mA的电流输出能力，TTL/CM0S输出电平兼容，可直接连CPU;内置钳位二极管，适用于感性负载。下面结合附图和实施例，对本技术做进一步说明。【附图说明】图1是本实施例之基于MOS管的直流电机驱动控制电路的原理图；图2是本实施例之基于MOS管的直流电机驱动控制电路的控制逻辑图。【具体实施方式】实施例一种基于MOS管的直流电机驱动控制电路图1显示了本实施例之基于MOS管的直流电机驱动控制电路的原理。如图1所示，QlOl和Q102分别是P沟道M0SFET1和M0SFET2;Q103和Q104是N沟道M0SFET3和MOSFETLMotor是直流电机，M+是电机正极接线端子，M-是电机负极接线端子。CTR_S-和CTR_S+是电机控制端子，兼容TTL/CM0S电平;VDD是2V?15V直流电源。当CTR_S+为高电平，CTR_S-为低电平时，MOSFETl(QlOl)和 M0SFET4(Q104)导通，M0SFET2(Q102)和M0SFET3(Q103)截止;当CTR_S+为低电平，CTR_S-为高电平时，MOSFETl(QlOl)和 M0SFET4(Q104)截止，M0SFET2(Q102)和M0SFET3(Q103)导通；当CTR_S+和 CTR_S-都为低电平时，M0SFET3(Q103)和 M0SFET4(Q104)都截止；当MOSFETl(QlOl)和 M0SFET4(Q104)导通，M0SFET2(Q102)和 M0SFET3(Q103)截止时，电机正转；当MOSFETl(QlOl)和 M0SFET4(Q104)截止，M0SFET2(Q102)和 M0SFET3(Q103)导通时，电机反转；当M0SFET3(Q103)和 M0SFET4(Q104)都截止时，电机停止。图2显示了本实施例之基于MOS管的小型直流电机驱动电路的控制逻辑如图2所示，当CTR_S+为低电平，CTR_S_为高电平时，M+为低电平，M-为高电平，电机反转； 当CTR_S+为高电平，CTR_S_为低电平时，M+为高电平，M-为低电平，电机正转；当CTR_S+和CTR_S_同为高电平时，M+和M-都为低电平，电机停止转动；当CTR_S+和CTR_S_同为低电平时，M+和M-都为高电平，电机停止转动。【主权项】1.一种基于MOS管的新型直流电机驱动控制电路，其特征在于:有4个MOSFET组成的两通道推挽式功率放大电路，通过控制4个M0SFET，即M0SFET1、M0SFET2、M0SFET3、M0SFET4的导通与截止，来控制电机的正转、反转和停止: 当M0SFET1和M0SFET4导通，M0SFET2和M0SFET3截止时，电机正转； 当M0SFET1和M0SFET4截止，M0SFET2和M0SFET3导通时，电机反转； 当M0SFET3和M0SFET4都截止时，电机停止； 所述M0SFET1和M0SFET2是P沟道;M0SFET3和M0SFET4是N沟道;N型和P型MOS管组成H桥驱动电路。【专利摘要】本技术公开了一种基于MOS管的新型直流电机驱动控制电路，由4个MOSFET组成的两通道推挽式功率放大电路组成,通过控制4个MOSFET的导通与截止，来控制电机的正转、反转和停止。该驱动电路具有低静态工作电流，宽电源电压范围2.5V～15v，具有连续1500mA的电流输出能力，TTL/CMOS输出电平兼容，可直接连CPU。内置钳位二极管，适用于感性负载。【IPC分类】H02P7/00【公开号】CN205336166【申请号】CN201520616406【专利技术人】宁立红 【申请人】西安仓实电子科技有限公司【公开日】2016年6月22日【申请日】2015年8月17日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于MOS管的新型直流电机驱动控制电路，其特征在于：有4个MOSFET组成的两通道推挽式功率放大电路,通过控制4个MOSFET,即MOSFET1、MOSFET2、MOSFET3、MOSFET4的导通与截止，来控制电机的正转、反转和停止：当MOSFET1和MOSFET4导通，MOSFET2和MOSFET3截止时，电机正转；当MOSFET1和MOSFET4截止，MOSFET2和MOSFET3导通时，电机反转；当MOSFET3和MOSFET4都截止时，电机停止；所述MOSFET1和MOSFET2是P沟道；MOSFET3和MOSFET4是N沟道；N型和P型MOS管组成H桥驱动电路。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宁立红，
申请(专利权)人：西安仓实电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61
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