本实用新型专利技术公开了一种全桥驱动电路，包括上桥驱动和下桥驱动，上桥部分包括A部分，下桥部分包括B部分和C部分，所述A部分具体为：继电器K1的1,4脚和二极管D1的负极连接到12V电压，所述继电器K1的常闭触点2脚和MOS管VT2的漏极共同连接到M+接口，所述继电器K1的常开触点3脚连接MOS管VT1的漏极并共同连接到M-接口上，所述继电器线圈K1的5脚和所述二极管D1的正极相连并和三极管V1的集电极相连接，所述三极管V1的发射极连接到GND；本电路装配效率增加，同时取消了自举升压电路，杜绝了驱动电压不足的问题，对控制驱动的单片机不需要专用的互补输出型PWM外设。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于电机驱动
，特别涉及一种全桥驱动电路。
技术介绍
现有的桥式电机驱动一般由4只功率MOS管做开关，配合晶体管驱动电路构成完整的桥式驱动电路，电路结构见图1，该电路由两个结构完全相同的部分组成，即图1中的A部分和B部分，由于两个部分结构完全相同，现已A部分为例描述电路原理：HA和LA分别为上桥和下桥的驱动输入端，二极管AD1和电容AE1组成自举升压电路，保证MOS管VT1导通时有足够的Vgs，使其保持完全导通，当LA为高电平HA为低电平时，LA端的高电平通过三极管N1的发射极电阻AR9使N1的发射极也为高电平，使N1截止不导通，15V电压通过电阻AR6使三极管N1的集电极和P3的基极处形成约为15V的电位，该电位将使得P3截止，切断15V向MOS管VT2提供的驱动电压，同时LA送来的高电平还通过电阻AR10到达三极管N2的基极使N2导通，N2集电极与VT2相连接，N2导通将拉低VT2栅极电压，使得VT2完全可靠截止，BC2接在VT2的GS引脚上，用于消除VT2栅极的毛刺干扰。当HA为低电平时通过AR3加到三极管V1的基极，使V1截止，15V电压通过二极管AD1分成三路，一路通过AR1加到V1集电极和P1基极相连处使得该节点处电位约为15V，P1由于基极电位升高二截止不导通，一路加在P1的发射极，另一路加在电容AE1的正极，并通过AE1的负极连接到U相电机输出接口和与U相电机输出接口连接的电阻AR8形成回路对AE1充电。当HA输入高电平时LA还保持这高电平，使下桥的VT2截止，HA输入的高电平通过AR3和V1的发射极电阻AR4形成回路使V1导通，其集电极电位下降，这样将使P1的基极电位也下降，继而P1导通，AE1上的充的电通过P1经过二极管AD2和充电电阻AR2加到VT1的栅极使VT1导通同时在二极管AD2的正极处连接了P2基极和放电电阻AR5，充电电流在AD2和AR2上产生了一个反向电压时P2截止，完成一个上桥导通过程。当HA为低电平时上桥会截止不导通，LA也为低电平时VCC电压N1通过，和N1的发射极电阻AR9形成基极回路，N1导通，由于LA为低电平，通过AR10使得N2基极为低电平所以N2截止不导通，N1导通后它的集电极电位变低这将引起P3的基极电位变低，P3导通，15V通过P3再经过AR7加到VT2的栅极使VT2导通，完成一个下桥导通过程。该电路结构复杂，使用器件多，需要4个带互补输出的IO口驱动，同时PWM不能做到100%占空比，另外如果自举电容AE1（以U相为例）长期工作后容量减少，会造成上桥自举电压不足，进而造成驱动电压不足，造成VT1不能完全打开，产生的损耗变大，VT1发热严重，最终导致损坏。因此需要一种新型的全桥驱动电路来解决上述问题，使得驱动电压更加稳定。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术的目的是提供本技术提供一种全桥驱动电路在长期的使用中保证了驱动电压的可靠与稳定。一种全桥驱动电路，所述全桥驱动电路包括上桥驱动和下桥驱动，所述上桥部分包括A部分，所述下桥部分包括B部分和C部分，所述A部分具体为：继电器K1的1,4脚和二极管D1的负极连接到12V电压，所述继电器K1的常闭触点2脚和MOS管VT2的漏极共同连接到M+接口，所述继电器K1的常开触点3脚连接MOS管VT1的漏极并共同连接到M-接口上，所述继电器线圈K1的5脚和所述二极管D1的正极相连并和三极管V1的集电极相连接，所述三极管V1的发射极连接到GND；所述B部分具体为：CWD接口通过电阻R9连接到三极管V3的基极，所述三极管V3的发射极通过电阻R12连接到GND端，所述三极管V3的集电极则与三极管P2的基极和电阻R5一端共同连接R5的一端，所述R5的另一端则与三极管P2的发射极共同连接到12V电压上，所述三极管P2的集电极连接到电阻R13一端，并且与三极管P4的基极和二极管D3的正极相连接，所述电阻R13的另一端和所述三极管P4的集电极共同连接到VT1的源极，所述二极管D3的负极通过R3连接到P4的发射极并共同连接到VT1的栅极，电容C3的两端分别连接于VT1的栅极和源极上；所述C部分具体为：CCWD通过R8连接到三极管V2的基极，所述三极管V2的发射极通过R10接到GND上，所述三极管V2的集电极与三极管P1的基极和电阻R2的一端共同相连接，所述电阻R2的另一端和所述三极管P1的发射极共同连接到12V电源上，所述三极管P1的集电极、二极管D2正极R11的一端和三极管P3的基极共同相连接，同时电阻R11的另一端和三极管P3的集电极共同连接到VT2的S极，所述二极管D2的负极通过电阻R4连接到VT2的栅极上C2两端分别连接于VT2的栅极和源极上；所述VT1和所述VT2的源极共同连接到采样电阻R16//R17的一端，所述R16//R17的另一端连接到GND，所述R16//R17与所述VT1和VT2的源极连接的节点上同时连接了R6和R14，一路经过所述电阻R6连接到电容C1的一端和隔离电阻R7，并通过R7输出采样信号送到OPCRU接口上，另一路经过所述电阻R14连接电容C4的一端和隔离电阻R15，并通过隔离电阻R15输出采样信号送到ADCRU接口上，所述电容C1和电容C4的另一端相连接并共同接到GND端；其中M+和M-为电机的两个输出接口连接电机。本技术的技术方案具有以下有益效果：本技术公开的一种全桥驱动电路，只需要3个IO口驱动，可以不用互补输出的PWM，上桥由原来的24颗器件缩减到4颗，装配效率增加，同时取消了自举升压电路，杜绝了驱动电压不足的问题，对控制驱动的单片机不需要专用的互补输出型PWM外设。附图说明下面通过附图和实施例，对本技术的技术方案做进一步的详细描述。图1是本技术现有技术的电路图；图2是本技术的全桥驱动电路的电路图。具体实施方式为了清楚了解本技术的技术方案，将在下面的描述中提出其详细的结构。显然，本技术实施例的具体施行并不足限于本领域的技术人员所熟习的特殊细节。本技术的优选实施例详细描述如下，除详细描述的这些实施例外，还可以具有其他实施方式。下面结合附图和实施例对本技术做进一步详细说明。如图2所示，为本实施例提出的全桥驱动电路，包括上桥驱动和下桥驱动，上桥部分包括A部分，下桥部分包括B部分和C部分，图2的A部分中，继电器K1的1,4脚和二极管D1的负极连接到12V，K1的2脚（常闭触点）和MOS管VT2的D极（漏极）共同连接到M+接口，继电器K2的3脚（常开触点）连接MOS管VT1的D极（漏极）并共同连接到M-接口上。继电器的5脚和二极管D1的正极相连并和三极管V1的集电极相连接，V1的发射极连接到GND，FBD控制端通过电阻R1连接到三极管V1的基极，当FBD端输入高电平将使V1导通，12V经过继电器K1的4脚到5脚经过V1的集电极和发射极将形成一个电流回路，继电器得点进而吸合，使触点1和3接通，反之FBD输入低电平V1将本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种全桥驱动电路，所述全桥驱动电路包括上桥驱动和下桥驱动，所述上桥部分包括A部分，所述下桥部分包括B部分和C部分，其特征在于，所述A部分具体为：继电器K1的1,4脚和二极管D1的负极连接到12V电压，所述继电器K1的常闭触点2脚和MOS管VT2的漏极共同连接到M+接口，所述继电器K1的常开触点3脚连接MOS管VT1的漏极并共同连接到M‑接口上，所述继电器线圈K1的5脚和所述二极管D1的正极相连并和三极管V1的集电极相连接，所述三极管V1的发射极连接到GND；所述B部分具体为：CWD接口通过电阻R9连接到三极管V3的基极，所述三极管V3的发射极通过电阻R12连接到GND端，所述三极管V3的集电极则与三极管P2的基极和电阻R5一端共同连接R5的一端，所述R5的另一端则与三极管P2的发射极共同连接到12V电压上，所述三极管P2的集电极连接到电阻R13一端，并且与三极管P4的基极和二极管D3的正极相连接，所述电阻R13的另一端和所述三极管P4的集电极共同连接到VT1的源极，所述二极管D3的负极通过R3连接到P4的发射极并共同连接到VT1的栅极，电容C3的两端分别连接于VT1的栅极和源极上；所述C部分具体为：CCWD通过R8连接到三极管V2的基极，所述三极管V2的发射极通过R10接到GND上，所述三极管V2的集电极与三极管P1的基极和电阻R2的一端共同相连接，所述电阻R2的另一端和所述三极管P1的发射极共同连接到12V电源上，所述三极管P1的集电极、二极管D2正极R11的一端和三极管P3的基极共同相连接，同时电阻R11的另一端和三极管P3的集电极共同连接到VT2的S极，所述二极管D2的负极通过电阻R4连接到VT2的栅极上C2两端分别连接于VT2的栅极和源极上；所述VT1和所述VT2的源极共同连接到采样电阻R16//R17的一端，所述R16//R17的另一端连接到GND，所述R16//R17与所述VT1和VT2的源极连接的节点上同时连接了R6和R14，一路经过所述电阻R6连接到电容C1的一端和隔离电阻R7，并通过R7输出采样信号送到OPCRU接口上，另一路经过所述电阻R14连接电容C4的一端和隔离电阻R15，并通过隔离电阻R15输出采样信号送到ADCRU接口上，所述电容C1和电容C4的另一端相连接并共同接到GND端；其中M+和M‑为电机的两个输出接口连接电机。...
【技术特征摘要】
1.一种全桥驱动电路，所述全桥驱动电路包括上桥驱动和下桥驱动，所述上桥部分包括A部分，所述下桥部分包括B部分和C部分，其特征在于，
所述A部分具体为：继电器K1的1,4脚和二极管D1的负极连接到12V电压，所述继电器K1的常闭触点2脚和MOS管VT2的漏极共同连接到M+接口，所述继电器K1的常开触点3脚连接MOS管VT1的漏极并共同连接到M-接口上，所述继电器线圈K1的5脚和所述二极管D1的正极相连并和三极管V1的集电极相连接，所述三极管V1的发射极连接到GND；
所述B部分具体为：CWD接口通过电阻R9连接到三极管V3的基极，所述三极管V3的发射极通过电阻R12连接到GND端，所述三极管V3的集电极则与三极管P2的基极和电阻R5一端共同连接R5的一端，所述R5的另一端则与三极管P2的发射极共同连接到12V电压上，所述三极管P2的集电极连接到电阻R13一端，并且与三极管P4的基极和二极管D3的正极相连接，所述电阻R13的另一端和所述三极管P4的集电极共同连接到VT1的源极，所述二极管D3的负极通过R3连接到P4的发射极并共同连接到VT1的栅极，电容C3的两端分别连接于VT1的栅极和源极上；
所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张宁武，夏毅承，
申请(专利权)人：无锡奥文电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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