【技术实现步骤摘要】
本申请是中国专利申请201180042209.9的分案申请。专利
本专利技术涉及聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及降冰片烯类聚合物在电子器件制造中作为施用于氟聚合物层的夹层的用途、包含降冰片烯类聚合物夹层的电子器件、以及用于制备这种夹层和包含这种夹层的电子器件的方法。
技术介绍
和现有技术电子器件,例如场效应晶体管(FET)用于显示器件和具有逻辑能力的电路。常规的FET典型的包括源电极、漏电极和栅电极,由半导体(SC)材料制成的半导体层和绝缘体层(也称为“电介质”或“栅电介质”),其由介电材料制成并且位于SC层和栅电极之间。半导体例如为有机半导体(OSC)、且电子器件例如为有机电子(OE)器件。WO03/052841A1公开了有机场效应晶体管(OFET)的实施方案,其中栅绝缘体层由具有小于3.0的介电常数(ε)(还已知为相对介电常数或电容率(k))的介电材料制成。不管有机半导体层是否是无序的或准有序的,据报道通常指的是“低k材料”的这种材料提供了良好的迁移性。WO03/052841A1还进一步报道了可商购获得的氟聚合物,例如CytopTM(来自AsahiGlass)或TeflonAFTM(来自DuPont)是示例性的低k材料。在WO05/055248中公开了氟聚合物例如CytopTM因其有利于溶液处理的OFET器件而用作栅绝缘体材料,其中OSC材料选自可溶的、取代的低聚并苯,例如并五苯、并四苯或蒽,或它们的杂环衍生物。这些OS ...
【技术保护点】
降冰片烯类聚合物或聚合物组合物,其包括:-降冰片烯类聚合物,其中所述聚合物包含一种或多种具有可交联基团的重复单元;此外还包括-粘合促进剂,其为包括表面活性官能团和能够与聚合物或聚合物组合物的重复单元的所述可交联基团反应的可交联官能团的化合物,和/或-交联剂,其是具有两种或更多种可交联官能团的化合物,且该可交联官能团能够与聚合物或聚合物组合物的所述重复单元的可交联基团反应。
【技术特征摘要】
2010.09.02 EP 10009119.8;2010.09.03 US 61/379,7951.降冰片烯类聚合物或聚合物组合物,其包括:
-降冰片烯类聚合物,其中所述聚合物包含一种或多种具有可交联基团的重复单元;
此外还包括
-粘合促进剂,其为包括表面活性官能团和能够与聚合物或聚合物组合物的重复单元
的所述可交联基团反应的可交联官能团的化合物,和/或
-交联剂,其是具有两种或更多种可交联官能团的化合物,且该可交联官能团能够与
聚合物或聚合物组合物的所述重复单元的可交联基团反应。
2.根据权利要求1的降冰片烯类聚合物或聚合物组合物,其中所述粘合促进剂是式III
的化合物:
G-A'-PIII
其中G是表面活性基团,A'是单键或间隔基团、连接基团或桥基,且P是可交联基团。
3.根据前述权利要求任一项的降冰片烯类聚合物或聚合物组合物,其中所述粘合促进
剂的表面活性基团是硅烷基团,优选为式SiR12R13R14的,或硅氮烷基团,优选为–NH-
SiR12R13R14的,其中R12、R13和R14各自独立地选自卤素、硅氮烷、C1-C12-烷氧基,C1-C12-烷基氨
基,任选取代的C5-C20-芳氧基和任选取代的C2-C20-杂芳氧基,且其中R12、R13和R14中的一个
或两个还可以表示C1-C12-烷基,任选取代的C5-C20-芳基或任选取代的C2-C20-杂芳基。
4.根据前述权利要求任一项的降冰片烯类聚合物或聚合物组合物,其中所述粘合促进
剂的可交联基团选自马来酰亚胺、3-单烷基马来酰亚胺、3,4-二烷基马来酰亚胺、环氧基
团、乙烯基、乙酰基、茚基、肉桂酸酯或香豆素基团,或者可交联基团包括取代的或未取代的
马来酰亚胺部分、环氧化物部分、乙烯基部分、肉桂酸酯部分或香豆素部分。
5.根据前述权利要求任一项的降冰片烯类聚合物或聚合物组合物,其中所述粘合促进
剂是具有以下结构的化合物:
其中SiR12R13R14...
【专利技术属性】
技术研发人员:D·C·穆勒,P·米斯基韦茨,T·库尔,P·维尔兹乔维克,A·贝尔,E·埃尔斯,L·F·罗迪斯,藤田一義,H·恩格,P·坎达纳拉什希,S·史密斯,
申请(专利权)人:默克专利股份有限公司,普罗米鲁斯有限责任公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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