本发明专利技术提供一种磁性存储装置，用于存取数据，其包括磁性存储轨道、第一写装置、第二写装置和驱动装置，所述第一写装置和所述第二写装置均位于所述磁性存储轨道的不同位置，所述第一写装置用于写入所述第一数据或所述第二数据，所述第一数据由磁畴的第一磁化方向表示，所述第二数据由磁畴的第二磁化方向来表示，所述第二写装置用于写入所述第三数据和所述第四数据，所述第三数据由磁畴的第三磁化方向表示，所述第四数据由磁畴的第四磁化方向来表示，所述第一磁化方向、第二磁化方向、第三磁化方向和第四磁化方向互不相同。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及信号处理，尤其涉及一种。
技术介绍
磁畴作为磁存储设备中基本记录数据的单元其原理为:单个磁畴在没有被磁化时，单个磁畴内为降低静磁能而产生分化的小型磁化区域，所述小型磁化区域内大量原子的磁矩沿一个方向整齐排列，但相邻小型磁化区域的磁矩方向互不相同，进而相互抵消，使得所述磁畴不显示磁性。但是在对所述单个磁畴施加外磁场进行磁化，当外磁场的磁场强度达到一定程度时，单个磁畴内的所有小型磁化区域的磁矩均与外磁场取相同方向排列，单个磁畴表现磁性，并具有与外磁场方向相同的磁化方向；并且撤销掉外磁场后单个磁畴内的磁性并不会消失，从而将数值以磁化方向的形式记录在磁畴中。而目前公众所知的磁存储设备具体工作是当写入数据时，读写部件通入电信号产生垂直于磁畴壁方向的磁场，从而磁化读写部件所对应的磁畴；使得磁畴内磁化方向统一垂直于磁畴壁,并产生与磁化方向相同的剩磁磁场；即磁畴可记录两个方向相反的磁化方向；其中一个磁化方向记录数据“0”，则另一个磁化方向记录数据“1”。此种存储模式仅能在磁畴中记录垂直于磁畴壁方向的磁场，每一磁畴仅能够表征两个不同数值，无法实现多值存储，不能满足日益需求的多值数据应用。
技术实现思路
本专利技术实施例所要解决的技术问题在于，用于解决现有技术无法实现多值存储的问题。一方面，提供了一种磁性存储装置，包括磁性存储轨道、第一写装置、第二写装置以及驱动装置，其中:所述磁性存储轨道，用于存储数据；所述驱动装置，与所述磁性存储轨道连接，用于向所述磁性存储轨道发送驱动信号，驱动所述磁性存储轨道中的磁畴移动；所述第一写装置与所述第二写装置分别位于所述磁性存储轨道的不同位置；所述第一写装置用于向移动到所述第一写装置处的磁畴中写入第一数据或第二数据，所述第一数据由磁畴的第一磁化方向表示，所述第二数据由磁畴的第二磁化方向表7JK，所述第一磁化方向与所述第二磁化方向相反；所述第二写装置用于向移动到所述第二写装置处的磁畴中写入第三数据或第四数据，所述第三数据由磁畴的第三磁化方向表示，所述第四数据由磁畴的第四磁化方向表示，所述第三磁化方向与所述第四磁化方向相反，所述第一磁化方向、所述第二磁化方向、所述第三磁化方向和所述第四磁化方向互不相同。在第一种可能的实现方式中，所述磁性存储装置还包括第一读取装置和第二读取装置，所述第一读取装置与所述第一写装置位于所述磁性存储轨道的同一侧，所述第二读取装置与所述第二写装置位于所述磁性存储轨道的同一侧，所述第一读取装置，用于从移动到所述第一读取装置处的磁畴中读取所述第一数据或所述第二数据；所述第二读取装置，用于从移动到所述第二读取装置处的磁畴中读取所述第三数据或所述第四数据。结合上述任意一种实施方式，在第二种可能的实现方式中，所述第一磁化方向、所述第二磁化方向、所述第三磁化方向以及所述第四磁化方向与磁畴壁所在平面平行。结合上述任意一种实施方式，在第三种可能的实现方式中，所述第一写装置采用通电线圈产生相互反向的第一感应磁场和第二感应磁场，通过所述第一感应磁场或第二感应磁场对移动到所述第一写装置处的磁畴进行磁化，以产生所述第一磁化方向或第二磁化方向；所述第二写装置采用通电线圈产生相互反向的第三感应磁场和第四感应磁场，通过所述第三感应磁场和第四感应磁场对移动到所述第二写装置处的磁畴进行磁化，以产生所述第三磁化方向和第四磁化方向。结合第一种可能的实现方式，在第四种可能实现的方式中，所述第一读取装置采用磁阻磁头识别所述第一磁化方向和第二磁化方向，以读取所述第一数据和所述第二数据；所述第二读取装置采用磁阻磁头识别所述第三磁化方向和第四磁化方向，以读取所述第三数据和第四数据。结合第四种可能的实现方式，在第五种可能的实现方式中，所述磁性存储装置还包括写驱动电路和模数转换电路，所述写驱动电路电连接所述第一写装置和第二写装置，用于给定所述第一写装置或第二写装置电信号，所述模数转换电路电连接所述第一读取装置和第二读取装置，用于接收所述第一读取装置或第二读取装置的电信号，以识别所述第一磁化方向、第二磁化方向、第三磁化方向和第四磁化方向。另一方面，还提供一种信息存储方法，运用磁性存储装置，其中，所述磁性存储装置包括磁性存储轨道、第一写装置、第二写装置以及驱动装置，所述第一写装置与所述第二写装置分别位于所述磁性存储轨道的不同位置，所述信息存储方法包括:所述驱动装置输入驱动信号，所述驱动信号用于驱动所述磁性存储装置中的磁畴移动；当所述磁畴移动至所述第一写装置处时，所述第一写装置向所述磁畴中写入第一数据或第二数据，其中，所述第一数据由磁畴的第一磁化方向表示，所述第二数据由磁畴的第二磁化方向表，所述第一磁化方向与所述第二磁化方向相反；当所述磁畴移动至所述第二写装置处时，所述第二写装置向所述磁畴中写入第三数据或第四数据，其中，所述第三数据由磁畴的第三磁化方向表示，所述第四数据由磁畴的第四磁化方向表示，所述第三磁化方向与所述第四磁化方向相反，所述第一磁化方向、所述第二磁化方向、所述第三磁化方向和所述第四磁化方向互不相同。在第一种可能的实现方式中，所述信息存储方法还包括:当所述磁畴移动至所述磁性存储装置中的第一读取装置处时，所述第一读取装置读取所述第一数据或所述第二数据；当所述磁畴移动至所述磁性存储装置中的第二读取装置处时，所述第二读取装置读取所述第三数据或所述第四数据；其中，所述第一读取装置与所述第一写装置位于所述磁性存储轨道的同一侧，所述第二读取装置与所述第二写装置位于所述磁性存储轨道的同一侧。结合上述任意一种实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述第一写装置向所述磁畴中写入第一数据或第二数据包括:所述第一写装置产生第一感应磁场或第二感应磁场，所述第一感应磁场或所述第二感应磁场对所述磁畴进行磁化，以使所述磁畴产生所述第一磁化方向或第二磁化方向，其中，所述第一磁化方向表示第一数据，所述第二磁化方向表示第二数据；所述第二写装置向所述磁畴中写入第三数据或第四数据包括:所述第二写装置产生第三感应磁场或第四感应磁场，所述第三感应磁场或所述第四感应磁场对所述磁畴进行磁化，以使所述磁畴产生所述第三磁化方向或第四磁化方向，其中，所述第三磁化方向表示第三数据，所述第四磁化方向表示第四数据。结合第二种可能的实现方式，在第三种可能实现的方式中，所述第一读取装置读取所述第一数据或所述第二数据包括:所述第一读取装置识别所述第一磁化方向或第二磁化方向；所述第二读取装置读取所述第三数据或所述第四数据包括:所述第二读取装置识别所述第三磁化方向或第四磁化方向。本专利技术实施方式提供的磁性存储装置通过所述第一写装置与所述第二写装置位于所述磁性存储轨道的不同磁性存储轨道位置，并利用所述第一写装置写入所述第一数据或所述第二数据，所述第一数据由磁畴的第一磁化方向表示，所述第二数据由磁畴的第二磁化方向来表示；利用所述第二写装置写入所述第三数据或所述第四数据，所述第三数据由磁畴的第三磁化方向表示，所述第四数值由磁畴的第四磁化方向来表示，实现所述磁性存储轨道内可产生多个平行于磁畴壁的磁化方向，从而可记录多个数据，提高了存储容量。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种磁性存储装置，其特征在于，包括磁性存储轨道、第一写装置、第二写装置以及驱动装置，其中：所述磁性存储轨道，用于存储数据；所述驱动装置，与所述磁性存储轨道连接，用于向所述磁性存储轨道发送驱动信号，驱动所述磁性存储轨道中的磁畴移动；所述第一写装置与所述第二写装置分别位于所述磁性存储轨道的不同位置；所述第一写装置用于向移动到所述第一写装置处的磁畴中写入第一数据或第二数据，所述第一数据由磁畴的第一磁化方向表示，所述第二数据由磁畴的第二磁化方向表示，所述第一磁化方向与所述第二磁化方向相反；所述第二写装置用于向移动到所述第二写装置处的磁畴中写入第三数据或第四数据，所述第三数据由磁畴的第三磁化方向表示，所述第四数据由磁畴的第四磁化方向表示，所述第三磁化方向与所述第四磁化方向相反，所述第一磁化方向、所述第二磁化方向、所述第三磁化方向和所述第四磁化方向互不相同。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨凯，赵俊峰，王元钢，杨伟，林殷茵，傅雅蓉，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，复旦大学，
类型：发明
国别省市：广东;44
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