具有偏移量测量标记的多层结构及其偏移量的测量方法技术

本公开提供具有偏移量测量标记的多层结构及其偏移量的测量方法，多层结构包括：第一堆叠层；第二堆叠层；形成于该第一堆叠层上的基准图案结构；及形成于该第二堆叠层上的对位图案结构，该第一堆叠层上的基准图案结构包括第一基准图案和第二基准图案，第二堆叠层上的对位图案结构包括第一对位图案和第二对位图案，当第一堆叠层与第二堆叠层堆叠时，第一对位标记的其中之一与第一方框的其中之一在X方向对齐，第二对位标记的其中之一与第二方框的其中之一在Y方向对齐，该对齐的第一方框所对应的第一横向偏移量为第一堆叠层与第二堆叠层在X方向的偏移量，该对齐的第二方框所对应的第一纵向偏移量为第一堆叠层与第二堆叠层在Y方向的偏移量。

【技术实现步骤摘要】

本公开总地涉及多层结构，及测量多层结构之间偏移量的方法，具体而言，涉及。
技术介绍
在目前TFT阵列基板及低温多晶硅(LTPS)的制造工艺中，必须确保多层堆叠结构之间无偏移，因此，在多层结构的堆叠过程中，需要监控并测量层与层之间的偏移量，并及时纠正偏移，若偏移量测量有误，则会影响后续工艺，导致产品合格率降低。为了提高偏移量的测量精度，实现高解析度的要求，通常是采用方块型的标记作为判断偏移量的依据，如图1所示，以堆叠的第η层(例如第I层)作为基准层100，以堆叠的第n+m层(例如第2层)作为对位层200，基准层100的周围设有方框形基准标记A，对位层200的中间设有方形对位标记B，若基准标记A的中心与对位标记B的中心重合，即，对位标记B处于方框形的基准标记A内的中间位置，则第η层与第n+m层之间无偏移。若基准标记A的中心与对位标记B的中心不重合，则第η层与第n+m层之间存在偏移，偏移量通过检测量设备来量测，即，测量图1中线段LI的中心点扣除掉线段L2中心点的偏移量值。图2示出了现有的另一种形式的基准层1，其周围的四条边并不相连，但其量测原理与图1相同。上述现有技术存在如下缺陷:仅能用检量测设备来判断偏移量，如因图案缺陷，或检量测设备有误，则会造成偏移量与实际不符，有误的偏移量传回曝光机后导致曝光数据错误。因此，现有技术仅依赖检量测设备来判断偏移量，对于这种微小的偏移量难以通过其他测量设备测量，导致难以判断测量准确性，失误率高。在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
公开了一种，用于快速、准确的测量多层结构之间的偏移量。本公开的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得显然，或者可以通过本公开的实践而习得。根据本公开的一个方面，一种具有偏移量测量标记的多层结构，其包括:第一堆叠层；位于所述第一堆叠层上的第二堆叠层；形成于该第一堆叠层上的基准图案结构；及形成于该第二堆叠层上的对位图案结构；其中，该第一堆叠层上的基准图案结构包括沿X方向的第一基准图案和沿垂直于X方向的Y方向的第二基准图案，该第二堆叠层上的对位图案结构包括X方向的第一对位图案和Y方向的第二对位图案；该第一基准图案包括均匀分布的多个第一方框，各第一方框上依次标注第一横向偏移量，该第一对位图案上均勻分布多个第一对位标记；该第二基准图案包括均匀分布的多个第二方框，各第二方框上依次标注第一纵向偏移量，该第二对位图案上均匀分布多个第二对位标记；当第一堆叠层与第二堆叠层堆叠时，多个第一对位标记的其中之一与多个第一方框的其中之一在X方向对齐，多个第二对位标记的其中之一与多个第二方框的其中之一在Y方向对齐，该对齐的第一方框所对应的第一横向偏移量为第一堆叠层与第二堆叠层在X方向的偏移量，该对齐的第二方框所对应的第一纵向偏移量为第一堆叠层与第二堆叠层在Y方向的偏移量。根据本公开的另一方面，一种用于测量上述的多层结构之间的偏移量的方法，该方法包括以下步骤:步骤1:堆叠第一堆叠层和第二堆叠层；步骤2:观察该第一基准图案中具有对正的对位标记的第一方框，该对正的第一方框所对应的偏移量为该第一堆叠层与第二堆叠层之间沿X方向的偏移量；及步骤3:观察该第二基准图案中具有对正的对位标记的第二方框，该对正的第二方框所对应的偏移量为该第一堆叠层与第二堆叠层之间沿Y方向的偏移量。【附图说明】通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。图1、2示出了现有的多层结构偏移量测定方法示意图。图3示出了根据第一实施方式的基准图案结构的示意图。图4示出了根据第一实施方式的对位图案结构的示意图。图5示出了第一堆叠层与第二堆叠层堆叠后测量标记的位置关系示意图。图6示出了根据第二实施方式的基准图案结构的示意图。图7示出了根据第二实施方式的对位图案结构的示意图。图8示出了第一堆叠层与第二堆叠层堆叠后测量标记的位置关系示意图。图9示出了具有测量标记的多层结构的示意图。【具体实施方式】现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中，为了清晰，夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的各方面。实施方式I本公开提供一种具有偏移量测量标记的多层结构，本实施方式以两层堆叠结构为例进行说明。偏移量测量标记分别位于两层的堆叠结构上，如图3、4所示，具有偏移量测量标记的多层结构，其包括:第一堆叠层LI ;位于第一堆叠层LI上的第二堆叠层L2 ;形成于第一堆叠层上LI上的基准图案结构I ;及形成于第二堆叠层上L2上的对位图案结构2。其中，第一堆叠层LI上的基准图案结构I包括沿X方向的第一基准图案11和沿垂直于X方向的Y方向的第二基准图案12。第二堆叠层L2上的对位图案结构2包括X方向的第一对位图案21和Y方向的第二对位图案22。第一基准图案11包括均匀分布的多个第一方框111，相邻第一方框111的中心距为a,各第一方框111上依次标注第一横向偏移量0、1*A、2*A......,第一对位图案21上均勻分布nl个第一对位标记211,相邻第一对位标记211的中心距为a’。本公开的测量偏移量的原理与游标卡尺原理类似，即，本公开的基准图案结构I相当于游标卡尺的主尺，而对位图案结构2相当于游标卡尺的游标。其中，A、nl、a、a’满足以下条件:A= Δ a=a — a’ =a/nl。对应于游标卡尺原理:A为游标卡尺的精度，a为主尺上最小刻度，a’为游标上最小刻度，nl为游标上有nl个等分刻度。因此，根据游标卡尺的读数方法，看第一对位图案21 (即游标)上第几个对位标记211与第一基准图案11的方框111对齐，如图3所示，第I个对位标记与方框对齐，则X方向偏移量为I乘以精度，即X方向偏移量F1=1*A=1A。本实施例的基准图案结构与游标卡尺的主尺存在区别，基准图案结构并未像主尺那样标出最小刻度a，而是对应标出了第一横向偏移量O、1*A、2*A……。具有对齐的对位标记的方框所对应的第一横向偏移量即为X方向偏移量Fl。同理，Y方向的第二基准图案1当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有偏移量测量标记的多层结构，其包括：第一堆叠层；位于所述第一堆叠层上的第二堆叠层；形成于该第一堆叠层上的基准图案结构；及形成于该第二堆叠层上的对位图案结构；其中，该第一堆叠层上的基准图案结构包括沿X方向的第一基准图案和沿垂直于X方向的Y方向的第二基准图案，该第二堆叠层上的对位图案结构包括X方向的第一对位图案和Y方向的第二对位图案；该第一基准图案包括均匀分布的多个第一方框，各第一方框上依次标注第一横向偏移量，该第一对位图案上均匀分布多个第一对位标记；该第二基准图案包括均匀分布的多个第二方框，各第二方框上依次标注第一纵向偏移量，该第二对位图案上均匀分布多个第二对位标记；当第一堆叠层与第二堆叠层堆叠时，多个第一对位标记的其中之一与多个第一方框的其中之一在X方向对齐，多个第二对位标记的其中之一与多个第二方框的其中之一在Y方向对齐，该对齐的第一方框所对应的第一横向偏移量为第一堆叠层与第二堆叠层在X方向的偏移量，该对齐的第二方框所对应的第一纵向偏移量为第一堆叠层与第二堆叠层在Y方向的偏移量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨靖哲，黄昱嘉，吴韦良，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31