一种轴向双分裂整流全箔绕变压器及绕制方法技术

本发明专利技术公开了一种轴向双分裂整流全箔绕变压器及绕制方法，变压器包括至少一组高压绕组（HV11、HV12与HV21、HV22）和一组低压绕组（LV1和LV2），低压绕组的2个绕组相位不同，分别接整流设备。HV11和HV12绕向相反，HV21和HV22绕向相反。HV11和LV1绕向相同，HV22和HV11绕向相同。HV11与HV12串联形成HV1；HV21与HV22串联形成HV2；HV1与HV2并联形成HV；HV11、HV12与HV21、HV22及LV1与LV2全部为箔式绕组。本方案需要的绝缘件少，抗短路能力好，生产效率高，生产成本低，适用于整流变压器领域。

【技术实现步骤摘要】
一种轴向双分裂整流全箔绕变压器及绕制方法
本专利技术涉及变压器领域，尤其是涉及一种轴向双分裂整流全箔绕变压器及绕制方法。
技术介绍
变压器是利用电磁感应的原理来改变交流电压的装置。按照绕组导体结构的不同一般可以分为线绕绕组和箔式绕组。箔式绕线是以不同厚度的铜或铝箔带为导体，以宽带状的绝缘材料为层间绝缘，以窄带状的绝缘材料为端绝缘，在箔式绕线机上一次完成卷绕，形成卷状线圈。中华人民共和国国家知识产权局于2015年04月22日公开了名称为“一种箔绕变压器”的专利文献（公告号：CN204289063U），其公开的箔绕变压器包括：铁芯；箔绕于所述铁芯上的多层低压绕组，所述低压绕组由铜箔绕至而成；其中，各层低压绕组的两端均设置有第一绝缘部件，低压绕组中部附近设置有一条油道。此方案中，需要较多绝缘部件，设备的抗短路能力和绕组的生产效率较低，变压器成本较高。
技术实现思路
本专利技术主要是解决现有技术所存在的设备抗短路能力低、生产效率不高等的技术问题，提供一种节省绝缘部件、抗短路能力高、生产速度快、成本较低的轴向双分裂整流全箔绕变压器及绕制方法。本专利技术针对上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：一种轴向双分裂整流全箔绕变压器，包括高压绕组和低压绕组，所述低压绕组包括绕置在绝缘筒上部的第一低压绕组和绕置在绝缘筒下部的第二低压绕组，所述第一低压绕组和第二低压绕组绕向相同或相反；所述低压绕组外部设置有绝缘件，所述第一低压绕组的首部端子和尾部端子都从上部引出，所述第二低压绕组的首部端子和尾部端子都从下部引出；所述高压绕组包括第一高压绕组和第二高压绕组；所述第一高压绕组包括第一高压正绕组和第一高压反绕组，所述第一高压正绕组绕向与第一低压绕组相同，所述第一高压反绕组绕向与第一低压绕组相反；所述第二高压绕组包括第二高压反绕组和第二高压正绕组，所述第二高压反绕组绕向与第一高压反绕组相同，所述第二高压正绕组绕向与第一高压正绕组相同；所述第一高压正绕组和第一高压反绕组串联，所述第二高压反绕组和第二高压正绕组串联，所述第一高压绕组和第二高压绕组并联；所述第一高压正绕组、第一高压反绕组、第二高压反绕组和第二高压正绕组从上至下依次绕置在绝缘件外部，所述第一高压绕组与第一低压绕组的位置对应，所述第二高压绕组与第二低压绕组的位置对应；所述高压绕组和低压绕组都为箔绕绕组。LV1和LV2分别连接整流设备。变压器的磁路铁心位于第一低压绕组（LV1）和第二低压绕组（LV2）内侧。本方案中，HV11、HV12与HV21、HV22及LV1与LV2全部为箔式绕组，提高了绕组的抗短路能力；HV1与HV2分别为2段式串联的箔绕绕组，解决了高压绕组匝数多采用饼式成本高及不分段箔绕层绝缘多的缺点，提高了线圈的抗短路能力、绕组的生产效率并降低了变压器的成本。作为优选，第一高压正绕组的首部端子从上部引出，尾部端子从下部引出；所述第一高压反绕组的首部端子从上部引出，尾部端子从下部引出；所述第一高压正绕组的尾部端子通过铜排连接第一高压反绕组的首部端子。第一高压正绕组的尾部端子从下部引出；第一高压反绕组的首部端子从上部引出，方便使用铜排连接第一高压正绕组和第一高压反绕组。作为优选，第二高压反绕组的首部端子从下部引出，尾部端子从上部引出；所述第二高压正绕组的首部端子从下部引出，尾部端子从上部引出；所述第二高压反绕组的首部端子通过铜排连接第二高压正绕组的尾部端子。第二高压反绕组的首部端子从下部引出；第二高压正绕组的尾部端子从上部引出，方便使用铜排连接第二高压正绕组和第二高压反绕组。作为优选，第一高压反绕组的尾部端子通过铜排连接第二高压反绕组的尾部端子，第一高压正绕组的首部端子通过铜排连接第二高压正绕组的首部端子。X1从下部引出，X2从上部引出，方便使用铜排串联第一高压绕组和第二高压绕组。按照本方案的排布方式，连接X11和A12的铜排以及连接A21和X22的铜排都位于高压绕组内层，这几个接头都不需要引到外部，可靠性好。本方案涉及的所有端子为轴向出线。一种轴向双分裂整流全箔绕变压器绕制方法，包括以下步骤：a、将第一低压绕组箔绕在绝缘筒上部，第一低压绕组的首部端子和尾部端子都从上部引出；b、将第二低压绕组箔绕在绝缘筒下部，第二低压绕组和第一低压绕组（LV1）的绕向相反，第二低压绕组的首部端子和尾部端子都从下部引出；c、检测第一低压绕组和第二低压绕组的匝数、绝缘及各尺寸是否符合图纸和工艺要求，如果无误，则进入步骤d，如果有误，则拆除线圈重新绕制并检测，直至无误；d、在低压绕组外部放置绝缘件；e、在绝缘件外部箔绕第一高压正绕组、第一高压反绕组、第二高压反绕组和第二高压正绕组；第一高压正绕组绕向与第一低压绕组相同，第一高压反绕组绕向与第一高压正绕组相反；第二高压反绕组绕向与第一高压反绕组相同，第二高压正绕组绕向与第一高压正绕组相同；第一高压正绕组、第一高压反绕组、第二高压反绕组和第二高压正绕组从上至下依次排布，所述第一高压绕组与第一低压绕组的位置对应，所述第二高压绕组与第二低压绕组的位置对应；所述第一高压正绕组的首部端子从上部引出，尾部端子从下部引出；所述第一高压反绕组的首部端子从上部引出，尾部端子从下部引出；所述第二高压反绕组的首部端子从下部引出，尾部端子从上部引出；所述第二高压正绕组的首部端子从下部引出，尾部端子从上部引出；绕制过程中使用铜排连接第一高压正绕组的尾部端子和第一高压反绕组的首部端子；使用铜排连接第二高压反绕组的首部端子和第二高压正绕组的尾部端子；使用铜排连接第一高压反绕组的尾部端子和第二高压反绕组的尾部端子，使用铜排连接第一高压正绕组的首部端子和第二高压正绕组的首部端子。作为优选，步骤d之前，还对低压绕组和绝缘件进行干燥处理。干燥处理可以避免绝缘件收缩造成高低压绕组之间的松动。本专利技术带来的实质性效果是，需要的绝缘件少，抗短路能力好，生产效率高，生产成本低。附图说明图1是本专利技术的一种结构示意图；图中：1、绝缘筒，2、绝缘件。具体实施方式下面通过实施例，并结合附图，对本专利技术的技术方案作进一步具体的说明。实施例：本实施例的一种轴向双分裂整流全箔绕变压器，如图1所示，包括高压绕组和低压绕组，低压绕组包括绕置在绝缘筒上部的第一低压绕组LV1和绕置在绝缘筒下部的第二低压绕组LV2，第一低压绕组LV1和第二低压绕组LV2绕向相同（亦可相反）；低压绕组外部设置有绝缘件，第一低压绕组LV1的首部端子a1和尾部端子x1都从上部引出，第二低压绕组LV2的首部端子a2和尾部端子x2都从下部引出；高压绕组包括第一高压绕组HV1和第二高压绕组HV2；第一高压绕组包括第一高压正绕组HV11和第一高压反绕组HV12，第一高压正绕组HV11绕向与第一低压绕组LV1相同，第一高压反绕组HV12绕向与第一低压绕组LV1相反；第二高压绕组包括第二高压反绕组HV21和第二高压正绕组HV22，第二高压反绕组HV21绕向与第一高压反绕组HV21相同，第二高压正绕组HV22绕向与第一高压正绕组HV11相同；第一高压正绕组HV11和第一高压反绕组HV12串联，第二高压反绕组HV21和第二高压正绕组HV22串联，第一高压绕组和第二高压绕组并联；第一高压正绕组HV11、第一高压反绕组HV12、第二高压反绕组HV21和第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种轴向双分裂整流全箔绕变压器，其特征在于，包括高压绕组和低压绕组，所述低压绕组包括绕置在绝缘筒上部的第一低压绕组（LV1）和绕置在绝缘筒下部的第二低压绕组（LV2），所述第一低压绕组（LV1）和第二低压绕组（LV2）绕向相同或相反；所述低压绕组外部设置有绝缘件，所述第一低压绕组（LV1）的首部端子（a1）和尾部端子（x1）都从上部引出，所述第二低压绕组（LV2）的首部端子（a2）和尾部端子（x2）都从下部引出；所述高压绕组包括第一高压绕组和第二高压绕组；所述第一高压绕组包括第一高压正绕组（HV11）和第一高压反绕组（HV12），所述第一高压正绕组（HV11）绕向与第一低压绕组（LV1）相同，所述第一高压反绕组（HV12）绕向与第一低压绕组（LV1）相反；所述第二高压绕组包括第二高压反绕组（HV21）和第二高压正绕组（HV22），所述第二高压反绕组（HV21）绕向与第一高压反绕组（HV12）相同，所述第二高压正绕组（HV22）绕向与第一高压正绕组（HV11）相同；所述第一高压正绕组（HV11）和第一高压反绕组（HV12）串联，所述第二高压反绕组（HV21）和第二高压正绕组（HV22）串联，所述第一高压绕组和第二高压绕组并联；所述第一高压正绕组（HV11）、第一高压反绕组（HV12）、第二高压反绕组（HV21）和第二高压正绕组（HV22）从上至下依次绕置在绝缘件外部，所述第一高压绕组与第一低压绕组（LV1）的位置对应，所述第二高压绕组与第二低压绕组（LV2）的位置对应；所述高压绕组和低压绕组都为箔绕绕组。...

【技术特征摘要】
1.一种轴向双分裂整流全箔绕变压器绕制方法，其特征在于，包括以下步骤：a、将第一低压绕组（LV1）箔绕在绝缘筒上部，第一低压绕组（LV1）的首部端子（a1）和尾部端子（x1）都从上部引出；b、将第二低压绕组（LV2）箔绕在绝缘筒下部，第二低压绕组（LV2）和第一低压绕组（LV1）的绕向相相同或相反，第二低压绕组（LV2）的首部端子（a2）和尾部端子（x2）都从下部引出；c、检测第一低压绕组（LV1）和第二低压绕组（LV2）的匝数、绝缘及各尺寸是否符合图纸和工艺要求，如果无误，则进入步骤d，如果有误，则拆除线圈重新绕制并检测，直至无误；d、在低压绕组外部放置绝缘件；e、在绝缘件外部箔绕第一高压正绕组（HV11）、第一高压反绕组（HV12）、第二高压反绕组（HV21）和第二高压正绕组（HV22）；第一高压正绕组（HV11）绕向与第一低压绕组（LV1）相同，第一高压反绕组（HV12）绕向与第一低压绕组（LV1）相反；第二高压反绕组（HV21）绕向与第一高压反绕组（HV12）相同，第二高压反绕组（HV22）绕向与第一高压正绕组（HV11）相同；第一高压正绕组（HV11）、第一高压反绕组（HV12）、第二高压反绕组（HV21）和第二高压正绕组...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，张安红，
申请(专利权)人：杭州钱江电气集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33